由于设备问题,暂时不能上传波形图,我作一说明看能不能解决,芯片使用TL494,494放二次侧驱动两同步整流MOS,通过小驱动变压器耦合至一次侧驱动两主MOS,期望在死区时两主MOS关闭,两同步整流MOS同时导通,但是现在在死区时会有一个主MOS的驱动产生一个较高电平(比完全导通时低)使主MOS误动作而导通,另一个主MOS也是这种情况,也就是说在死区时总有一个MOS是导通的,这时损耗很大.
驱动均为494出来图腾柱驱动,高电平控制主MOS导通,低电平控制同步整流MOS导通.
大家看得懂我的叙述吗?帮我看看,指点一下,谢谢!
