效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器

效率可达98.5%的采用SiC-MOSFET的逆变器,作为功率器件硅材料用的很多，但是碳化硅材料的诞生，具有划时代的意义。利用碳化硅生产的肖特基，具有高耐压零恢复特性，并且有良好的高温特性。而利用碳化硅设计的JFET或者MOS，具有极低的导通内阻，要是现在业界COOLMOS内阻的五分之一到十分之一，而且极低的电荷，极好的高温特性175度甚至更高，很适合于应用于高效，高频，高温，低EMI电源的设计。

附件中有详细的应用。