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弱弱的问一声;为啥LED会发光?

麻烦大师告诉;同样是二极管;为啥有LED能发光;而硅、锗二极管就没有?哪怕很小的一点光都没有?菜鸟谢啦
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gmgdxu
LV.4
2
2010-07-05 08:34

自己在网上一找就知道答案了

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水蜘蛛
LV.8
3
2010-07-05 11:39
@gmgdxu
自己在网上一找就知道答案了

我只找到了LED发光原理。可同样是电子跃迁;为啥硅/锗管就没光呢?始终没找到原因。

按照可逆原理;硅/锗管可以见光发电,LED冒似也行。

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2010-07-05 14:05
@水蜘蛛
我只找到了LED发光原理。可同样是电子跃迁;为啥硅/锗管就没光呢?始终没找到原因。按照可逆原理;硅/锗管可以见光发电,LED冒似也行。
想发光就发光!!!!
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powerants
LV.6
5
2010-07-05 15:02
这只水蜘蛛,思维真是天马行空,我喜欢
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paloalto
LV.6
6
2010-07-05 15:34
上帝说:要有光!于是,就有了光。
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erwa
LV.3
7
2010-09-17 13:21
@水蜘蛛
我只找到了LED发光原理。可同样是电子跃迁;为啥硅/锗管就没光呢?始终没找到原因。按照可逆原理;硅/锗管可以见光发电,LED冒似也行。

发热了嘛,说明有红外线发出来啊。红外线也是光,只是我们看不到。

 

只是LED能发出可见光范围内的光。发什么波长的光跟电子跃迁的能级有关,也就跟半导体材料有关。

 

自己想当然的,不保证正确。哈哈··

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2010-09-17 15:20

LED是由3-5Z族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成的,其核心是PN结,而PN结在一定条件下具有发光的特性。

   PN结根据器端电压构成一定的势垒,当加正向偏置电压时势垒下降,P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的的空穴复合时得到的能量以光的形式释放。这就是PN结发光的原理。    

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水蜘蛛
LV.8
9
2010-09-17 15:42
@xhpxhpxhp89
LED是由3-5Z族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成的,其核心是PN结,而PN结在一定条件下具有发光的特性。  PN结根据器端电压构成一定的势垒,当加正向偏置电压时势垒下降,P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的的空穴复合时得到的能量以光的形式释放。这就是PN结发光的原理。    
谢谢!长见识了。能隙带宽;导致电子约迁释放的能量波长刚好落到了可见光区域,这样理解对吧?
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John2010
LV.5
10
2010-09-17 17:44
@水蜘蛛
谢谢!长见识了。能隙带宽;导致电子约迁释放的能量波长刚好落到了可见光区域,这样理解对吧?

什么是LED? 发光二极管。

不发光能叫LED吗?

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xhpxhpxhp89
LV.1
11
2010-09-19 10:00
@水蜘蛛
谢谢!长见识了。能隙带宽;导致电子约迁释放的能量波长刚好落到了可见光区域,这样理解对吧?

可以,光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即:

                                        波长=1240/Eg(nm)

其中Eg的单位是电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm的紫光到780nm的红光),半导体材料的Eg应该在3.26~1.63eV之间。所以只有特定的二极管才能发出可见光。比红光波长长的光为红外光。

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2010-09-19 21:53
@xhpxhpxhp89
LED是由3-5Z族化合物,如GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成的,其核心是PN结,而PN结在一定条件下具有发光的特性。  PN结根据器端电压构成一定的势垒,当加正向偏置电压时势垒下降,P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的的空穴复合时得到的能量以光的形式释放。这就是PN结发光的原理。    

是的,正式因为复合时只有少部分能力转变成了光能,其余的能量则以热的形式释放掉了,所以LED的光效不高

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zysandy
LV.5
13
2010-09-20 08:00
其实这个问题能在百度找到哈
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01154028
LV.2
14
2010-09-24 15:21
@xhpxhpxhp89
可以,光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即:                                       波长=1240/Eg(nm)其中Eg的单位是电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm的紫光到780nm的红光),半导体材料的Eg应该在3.26~1.63eV之间。所以只有特定的二极管才能发出可见光。比红光波长长的光为红外光。
发光二极管的这个   光  指的是可见光,其他的只不是波长不在可见光波段内,看不到而已,并不是没有。
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martin0105
LV.2
15
2010-09-25 21:23
@gmgdxu
自己在网上一找就知道答案了

“母”的电子,“公”的空穴,相互吸引、结合,产生。

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水蜘蛛
LV.8
16
2010-09-25 21:44
@martin0105
“母”的电子,“公”的空穴,相互吸引、结合,产生。

太形象了!

生出了光和热!

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2010-09-25 21:45
@心中有冰
是的,正式因为复合时只有少部分能力转变成了光能,其余的能量则以热的形式释放掉了,所以LED的光效不高

LED光效不高?现在的大功率LED光效已经非常高了。。

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anguslin
LV.5
18
2010-09-26 09:01
其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合,电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大,产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应,可见光的频谱范围内,蓝色光、紫色光携带的能量最多,桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙,从而能够发出不同颜色的光。
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水蜘蛛
LV.8
19
2010-09-26 10:16
@anguslin
其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合,电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大,产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应,可见光的频谱范围内,蓝色光、紫色光携带的能量最多,桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙,从而能够发出不同颜色的光。

谢谢大侠!真专业!

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jack xu
LV.4
20
2010-09-27 08:33
@水蜘蛛
谢谢大侠!真专业!
专业是专业,但是听起来还是很抽象,特别是没接触过LED的人来说。
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ahu5
LV.5
21
2010-09-29 19:26
@水蜘蛛
我只找到了LED发光原理。可同样是电子跃迁;为啥硅/锗管就没光呢?始终没找到原因。按照可逆原理;硅/锗管可以见光发电,LED冒似也行。

led也可以,只是很微弱。

像有些单片机控制的led灯就用到了led的吸收光的原理

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nk6108
LV.8
22
2012-08-02 01:55
@心中有冰
是的,正式因为复合时只有少部分能力转变成了光能,其余的能量则以热的形式释放掉了,所以LED的光效不高

只有复合才能令半导体发光,扩散流是没用的!

新一代的LED是 PIN 架构,I 层为大规模复合提供条件,

PN材料各有两层,紧贴 I 层的很薄,窄禁带,与电极连接的外围区则是宽禁带的,这会造成 量子阱,既使能量的释放集中于一处,又使电子的跃迁能阶得以规范。

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nk6108
LV.8
23
2012-08-03 00:29
@anguslin
其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合,电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大,产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应,可见光的频谱范围内,蓝色光、紫色光携带的能量最多,桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙,从而能够发出不同颜色的光。
这能量表现为频率,参与发光的载流子的数量 才是亮度。
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2012-08-03 15:42
@nk6108
这能量表现为频率,参与发光的载流子的数量才是亮度。
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junestar520
LV.9
25
2012-08-03 16:09
@anguslin
其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合,电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大,产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应,可见光的频谱范围内,蓝色光、紫色光携带的能量最多,桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙,从而能够发出不同颜色的光。

学习了......

 

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