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扫盲教育 之 SEPIC电路的设计与计算

 

SEPIC拓扑结构

 

Q1导通时的电流方向

 

Q1关断时的电流方向

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2010-07-07 00:54

 

SEPIC开关波形

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2010-07-07 00:55
耐心等候,精彩会继续~~~~~
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powerants
LV.6
4
2010-07-07 05:18
@龙啸九天
耐心等候,精彩会继续~~~~~
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2010-07-07 12:02

不过这也算原创吗?那大家可以去抄文章去了,把杨波的LLC论文翻译过来都比这强100倍。

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贴片机
LV.8
6
2010-07-07 13:54
@龙啸九天
[图片] SEPIC开关波形
等待具体案例分析。。。
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lwp1975
LV.7
7
2010-07-07 14:34
@屠龙武士
不过这也算原创吗?那大家可以去抄文章去了,把杨波的LLC论文翻译过来都比这强100倍。
楼主好像没有注明是原创吧?
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2010-07-07 16:01

占空比的计算

连续传导工作模式的占空比计算公式如下:

 

VD是不二极管D1的正向压降,其最大占空比计算公式如下:

 

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2010-07-07 16:22
@屠龙武士
不过这也算原创吗?那大家可以去抄文章去了,把杨波的LLC论文翻译过来都比这强100倍。
俺还真没说是原创,
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xianfjq
LV.7
10
2010-07-07 16:27
**此帖已被管理员删除**
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2010-07-07 16:53
@xianfjq
**此帖已被管理员删除**
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2010-07-07 17:07

电感的计算

确定电感的一个好规则就是,在最小输入电压下,使得纹波电流峰峰值大约等于最大输入电流的40%,流入相同值电感L1和L2的纹波电流为:

 

电感量计算公式如下:

 

Fsw为开关频率,Dmax为在Vin最小值时的占空比。

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powerants
LV.6
13
2010-07-07 17:07
@xianfjq
**此帖已被管理员删除**

技术版面请注意文明用语,共同创造良好的交流环境,谢谢!

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2010-07-07 17:08

为了确保电感不会饱和,电感的峰值电流的计算公式如下:

 

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2010-07-07 17:14

如果L1和L2绕在同一个磁芯上,由于存在互感,那么13楼中的电感值就应该替换为2L,具体电感值计算公式如下:

 

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2010-07-08 18:20

功率mos的选择与计算

决定mos的参数有:最小阀值电压Vth(min)、导通电阻RDS(on)、栅漏电荷Qgd、最大漏源电压Vds(max)。

根据栅极驱动电压,选择逻辑电平或者亚逻辑电平阀值的mos。

峰值开关电压等于Von+Vout,其峰值开关电流的计算公式如下:

 

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2010-07-08 18:25

流经开关的平均电流(RMS)的计算公式如下:

 

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2010-07-08 18:26

mos的功率损耗PQ1约等于:

 

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2010-07-08 18:30

mos的整体功率损耗PQ1包括了传导损耗(17楼)和开关损耗(18楼),Ig是栅驱动电流。

Rds(on)应该选取在最大工作结温下的值,此值一般会在mos的数据手册中能找到。

需要确保传导损耗加上开关损耗不会超过封装额定值或整体散热预算。

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release
LV.6
20
2010-08-16 15:13
@龙啸九天
mos的整体功率损耗PQ1包括了传导损耗(17楼)和开关损耗(18楼),Ig是栅驱动电流。Rds(on)应该选取在最大工作结温下的值,此值一般会在mos的数据手册中能找到。需要确保传导损耗加上开关损耗不会超过封装额定值或整体散热预算。
接受了扫盲教育,顶一把!
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2010-08-17 09:03
@龙啸九天
mos的整体功率损耗PQ1包括了传导损耗(17楼)和开关损耗(18楼),Ig是栅驱动电流。Rds(on)应该选取在最大工作结温下的值,此值一般会在mos的数据手册中能找到。需要确保传导损耗加上开关损耗不会超过封装额定值或整体散热预算。

这电路用的好少啊,对那个电容(CS)的要求是不是好高?

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戈卫东
LV.5
22
2010-08-17 10:09
@龙啸九天
mos的整体功率损耗PQ1包括了传导损耗(17楼)和开关损耗(18楼),Ig是栅驱动电流。Rds(on)应该选取在最大工作结温下的值,此值一般会在mos的数据手册中能找到。需要确保传导损耗加上开关损耗不会超过封装额定值或整体散热预算。
听课....................
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luodayount
LV.1
23
2010-08-17 21:24
@龙啸九天
占空比的计算连续传导工作模式的占空比计算公式如下:[图片] VD是不二极管D1的正向压降,其最大占空比计算公式如下:[图片] 

这个Dmax计算公式里是不是多写了一个Vin??求解 ......

 

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emmanuelle
LV.3
24
2010-10-10 22:06
@龙啸九天
mos的整体功率损耗PQ1包括了传导损耗(17楼)和开关损耗(18楼),Ig是栅驱动电流。Rds(on)应该选取在最大工作结温下的值,此值一般会在mos的数据手册中能找到。需要确保传导损耗加上开关损耗不会超过封装额定值或整体散热预算。

我也顶一把,明天交作业,抓紧看看

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fly
25
2010-10-10 23:12

讲的不错啊,支持一下

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songxium
LV.7
26
2010-10-11 14:04
@龙啸九天
[图片] SEPIC开关波形
学习如何用这个软件仿真。
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hlp330
LV.9
27
2010-10-11 15:57
@fly
讲的不错啊,支持一下

有个疑问:L2的电流方向为什么不是这样的?

 

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liuliang
LV.5
28
2011-04-04 12:23
@龙啸九天
[图片] SEPIC开关波形
测试时发现输入电压固定时,输出电流变化时,占空比是固定的,而我的开关频率也是固定,不知道输出电压是怎么控制的。只有输入电压变化时,占空比才变化。
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abcdef_1
LV.1
29
2011-06-17 15:31
@龙啸九天
[图片] SEPIC开关波形

上图中VQ1的电压波形不对吧,TOFF期间,VQ1的电压应该为VIN+VO才对。

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catykil
LV.4
30
2011-10-22 20:39
顶!
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Ai-China
LV.5
31
2012-01-31 11:11

哪位大师能详细的讲解以下两个问题:

1. SEPIC利用耦合电感实现输入零纹波的原理。

2. SEPIC中实现输入零纹波的耦合电感设计。

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