如何加负压加速关断

我用IR的驱动芯片来驱动IGBT，半桥F=80K,Td=2us没什么问题，换成MOSFET如IRFP460后，明显开关损耗增加，我知道MOSFET的体内二极管特性不如IGBT的好，听说加负压关断可以改善，请问负压如何加？？我不需要用变压器来驱动，就在现成的电路改下，或者有他什么好方法吗？另外增加死区时间也许可以改善损耗的问题，可会增加输出纹波，希望大家踊跃发言