呵呵.我也跟楼主遇到同一个问题.CCM模式应该是用高-低的.
请问楼主在哪本书上看到过用(IPK高-IPK低)???
既不是IPK高-IPK低，也不是（IPK高+IPK低）/（1+K），更不是(IPK高-IPK低)。
这里的Ipk就是Ipk，就是MOS关断的瞬间的那个电流峰值。当然是按照不同工况，取最大的那个时候的值。
根据计算出来的AP值，我们可以选择到合适的磁芯。有了磁芯，那么就可以计算初级侧的绕组匝数了。
其中，L是初级电感量，单位H，Ip是初级峰值电流，单位A，ΔB是磁感应强度变化量，单位为T，Ae是磁芯截面积，单位cm2。
你好！
请教一下，在算NP时，公式中的Ip是指初级峰值电流Ip2吗？还是Ip2-Ip1?
我认为是Ip2 - Ip1
当是DCM时，你就把Ip1当为0算，CCM时就依你定的一个值。
对的，还是用Ip2-Ip1，只不过，Ip1是0.
谢谢，
我在那里的157帖，是回复151帖的内容的。
当是DCM时，因为IP1=0，所以IP2就是IPK，所以用IP2-IP1是可以的。
应该说，是我审题不够仔细，谢谢指出！
哪里不理解了！MOS管关断次级电流的变化就是Ip1上升到Ip2啊
老师别这么说，看了你那篇帖子后我才对变压器计算有个概念。很感谢您呢
对于上面公式中的ΔB，如果ΔB是每个开关周期中的变化量，那么就应该是ip2-ip1。
如果ΔB是从变压器的剩磁Br开始考虑的，那么就应该是IPK，而对于反激来说，因为加了气隙后，Br很小，所以ΔB和最大工作磁感应强度在数值上是一样的。
关键还是要理解各工作过程和物理意义。不要简单的去套公式。
就是峰值电流。Ipk。
CCM下，KRP取值0.4~1，DCM下1
KRP算一下就知道了。
算法还真多，有些计算方法就冒出个Krp系数.有些压根就没看到!
如果MOS下有电流采样电阻，那就测这个电阻上的电压波形。
如果没有这个电阻，就需要用一个霍尔型的电流探头来测MOS的D极的电流了。
老师。我用一个CCM模式的电源测电阻上的电压波形怎么看到的还是三角波？
我调的200V输入.满载工作的呀~~我贴个图上来给老师看一下吧!
这就是那下拉电阻的波形.是三角波吧??(输入AC200V.负载18.6V 3.1A)
这是VDS的波形,工作于CCM模式!
应该是梯形，只不过，那个短边很短，看上去就是三角形的了。你再仔细看看。
另外，你这个电路，应该是刚进入CCM模式，所以，波形看上去不明显。
你那篇跟我学系列四里面人家问你这个问题的时候.不就是说是Ip2-Ip1的吗.只不过是DCM时Ip1=0
