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我来将进口3.0KWPFC原理图画出,送给大家

这几天画3.0KWPFC原理图
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shayu1000
LV.8
2
2010-12-30 08:41
沙发
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zvszcs
LV.12
3
2010-12-30 08:45

电源就不画了,太复杂了,要画电源估计要画一周才能好

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2010-12-30 08:52
期待高手的成果,造福網友。
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zvszcs
LV.12
5
2010-12-30 10:41
@peterchen0721
期待高手的成果,造福網友。
 
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zvszcs
LV.12
6
2010-12-30 11:22
@zvszcs
[图片] 
 
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2010-12-30 12:07
@zvszcs
[图片] 
顶!上面的是?还是等最后完整的。
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cheng111
LV.11
8
2010-12-30 13:50
 zvszcs旅长的好东西多 啊....顶
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hk2007
LV.8
9
2010-12-30 15:04
@zvszcs
[图片] 

顶起,想看一下进口3KW的电原长啥样?

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zvszcs
LV.12
10
2010-12-30 15:05
@cheng111
 zvszcs旅长的好东西多啊....顶
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zvszcs
LV.12
11
2010-12-30 15:07
@zvszcs
[图片]ProtelSchematic 画完
MOS与IGBT互补做PFC,头一回
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2010-12-30 17:15
@zvszcs
MOS与IGBT互补做PFC,头一回
MOS&IGBT同用,出力均匀是个难题
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cheng111
LV.11
13
2010-12-30 17:17
@zvszcs
[图片]ProtelSchematic 画完
旅长来一张照片。
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gcl520440
LV.3
14
2010-12-31 17:22
@feibingliuabc
MOS&IGBT同用,出力均匀是个难题
均流是一个难题。。。。。。。。。。
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lf8754321lf
LV.5
15
2011-01-01 02:39
@zvszcs
MOS与IGBT互补做PFC,头一回

ZCT或ZVT 方案(IGBT为主功率管。MOS为辅助开关,而且一般使用功率相对较小的管子)。

1 开通时MOS与IGBT一起导通,电流主要经过IGBT,MOS只有很小的一部分电流。

2 关断时 IGBT提前关断,由于MOS管还是导通的,所以IGBT的关断损耗非常低,IGBT完成关断后MOS管紧跟着立刻关断(由于实际的MOS管的开关速度要比IGBT快很多,并且不像IGBT那样 关断时还存在拖尾效应,MOS管的开关损耗就相对而言会小很多)。

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haosan
LV.5
16
2011-01-01 14:47
@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案(IGBT为主功率管。MOS为辅助开关,而且一般使用功率相对较小的管子)。1开通时MOS与IGBT一起导通,电流主要经过IGBT,MOS只有很小的一部分电流。2关断时IGBT提前关断,由于MOS管还是导通的,所以IGBT的关断损耗非常低,IGBT完成关断后MOS管紧跟着立刻关断(由于实际的MOS管的开关速度要比IGBT快很多,并且不像IGBT那样关断时还存在拖尾效应,MOS管的开关损耗就相对而言会小很多)。
分析很透彻啊!
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haosan
LV.5
17
2011-01-01 14:47
@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案(IGBT为主功率管。MOS为辅助开关,而且一般使用功率相对较小的管子)。1开通时MOS与IGBT一起导通,电流主要经过IGBT,MOS只有很小的一部分电流。2关断时IGBT提前关断,由于MOS管还是导通的,所以IGBT的关断损耗非常低,IGBT完成关断后MOS管紧跟着立刻关断(由于实际的MOS管的开关速度要比IGBT快很多,并且不像IGBT那样关断时还存在拖尾效应,MOS管的开关损耗就相对而言会小很多)。
分析很透彻啊!
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高等数学
LV.10
18
2011-01-01 19:45
@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案(IGBT为主功率管。MOS为辅助开关,而且一般使用功率相对较小的管子)。1开通时MOS与IGBT一起导通,电流主要经过IGBT,MOS只有很小的一部分电流。2关断时IGBT提前关断,由于MOS管还是导通的,所以IGBT的关断损耗非常低,IGBT完成关断后MOS管紧跟着立刻关断(由于实际的MOS管的开关速度要比IGBT快很多,并且不像IGBT那样关断时还存在拖尾效应,MOS管的开关损耗就相对而言会小很多)。

~~

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fuliu
LV.2
19
2011-01-02 14:47
@cheng111
旅长来一张照片。
谢谢楼主
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holyfaith
LV.8
20
2011-01-02 21:05
@zvszcs
[图片]ProtelSchematic 画完
谢谢了 这个贺岁大礼真给力!
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ccps
LV.7
21
2011-01-03 10:31
@holyfaith
谢谢了这个贺岁大礼真给力!
楼主强悍,谢谢
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dcg1985362
LV.5
22
2011-01-03 20:15
@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案(IGBT为主功率管。MOS为辅助开关,而且一般使用功率相对较小的管子)。1开通时MOS与IGBT一起导通,电流主要经过IGBT,MOS只有很小的一部分电流。2关断时IGBT提前关断,由于MOS管还是导通的,所以IGBT的关断损耗非常低,IGBT完成关断后MOS管紧跟着立刻关断(由于实际的MOS管的开关速度要比IGBT快很多,并且不像IGBT那样关断时还存在拖尾效应,MOS管的开关损耗就相对而言会小很多)。
你这个电源买成多少钱啊?
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wuyong_ah
LV.1
23
2011-01-04 07:49
@zvszcs
[图片]ProtelSchematic 画完

多谢共享!MARK!

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bkq7758
LV.4
24
2011-01-05 12:18

谢谢分享

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3a6bu
LV.3
25
2011-01-05 15:19

这是RT公司的专利,10几年前就有了.它充分利用了IGBT和MOS管的长处,道理基本如前贴所述。随着功率器件(如英飞凌的COOLMOS)和PFC技术(如UCC28070)的发展,该技术已逐渐失去实用价值。

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高等数学
LV.10
26
2011-01-05 21:30
@3a6bu
这是RT公司的专利,10几年前就有了.它充分利用了IGBT和MOS管的长处,道理基本如前贴所述。随着功率器件(如英飞凌的COOLMOS)和PFC技术(如UCC28070)的发展,该技术已逐渐失去实用价值。
能否给这资料,想详细看下~
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wuzhonggui
LV.9
27
2011-04-08 18:36
@高等数学
能否给这资料,想详细看下~[图片]
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javike
LV.12
28
2011-05-20 23:56
我顶!
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LV.1
29
2011-05-21 10:15
@zvszcs
[图片]ProtelSchematic 画完
谢了
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