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电源面试题

1    一般情况下,同功率的开关电源与线性电源相比,_____

A, 体积大,效率高   B,体积小,效率低  C, 体积不变,效率低 D, 体积小,效率高
2
,大功率开关电源常用变换拓扑结构形式是_____
A,
反激式   B, 正激式  C,  自激式  D, 他激式 X#i3Zf T%\[;c [
3,  
一般来说,提高开关电源的频率,则电源_____
    A,
同体积时,增大功率  B, 功率减小,体积也减小  C, 功率增大, 体积也增大  D, 效率提高, 体积增大7],v_(s-~dK
4
肖特基管和快恢复管常作为开关电源的____n I.h-K s
    A,
输入整流管  B, 输出整流管  C,  电压瞬变抑制管  D, 信号检波管-| ]#I.Qz6t4V.I`
5
肖特基管与快恢复管相比,____
    A,
耐压高  B, 反向恢复时间长 C,  正向压降大 D, 耐压低, 正向压降小|R!hXkV#{k(X
6
GTRSCRGTOTRIACMOSFETIGBT中,那些是开关电源中变压器常用的驱动元件?____k$J*KW1V.n Sm
    A, GTO
GTR  B, TRIAC IGBT  C, MOSFETIGBT  DSCRMOSFET
7
开关电源变压器的损耗主要包括:____ak8mWV
   A,
磁滞损耗、铜阻损耗、涡流损耗 B, 磁滞损耗、铜阻损耗、介电损耗
C,
铜阻损耗、涡流损耗、介电损耗 D, 磁滞损耗、涡流损耗、介电损耗
8
,开关电源变压器的初级漏感测量方法是___
   A,
次级开路,测初级电感 B, 初级开路,测次级电感C, 次级短路,测初级电感*C8| ?X~2M&p;N
   D,
初级短路,测次级电感"z d.Ia c6_
9
,开关电源变压器的激磁电感测量方法是___
   A,
次级开路,测初级电感 B, 初级开路,测次级电感C, 次级短路,测初级电感'{*X(o O{D{,y$`
   D,
初级短路,测次级电感
10
,变压器初次级间加屏蔽层的目的是_____
   A,
减小初次间分布电感引起的干扰 B, 减小初次间分布电容引起的干扰
   C,
提高效率 D, 增大绝缘能力9J­_-|8G*tqQ;|
11
,减小开关驱动管的损耗主要途经是_____ b R T+_ b4W‑gl
   A,
选用低导通电阻的驱动管  B, 提高驱动管的驱动信号的边沿陡度
   C,
提高开关频率  D, AB及减小开关频率5z~6PZj0e2L1a8G
12
,已知功率管的管芯至管壳的热阻为1.2/W,管壳至散热器的热阻为2.0/W, 散热器至自由空气的热阻为10/W,环境温度为70,如功率管的损耗为6W,工作半小时后,管芯温度大约为___
   A, 149.2
   B 79.2   C, 70   D, 102
13
220VAC输入的电源,输入对外壳、输入对输出的工频耐压试验值一般是_____ l"h/Wh)RBB q \F
   A,500V
1000V  B, 1500V2500V  C, 2500V,1500V  D,1000V,1500V
14
电容的损耗包括漏电损耗和介电损耗,其中介电损耗是主要损耗,损耗角____
   A,
越大,损耗越小  B,越小,损耗越小  C,是消耗有功功率与视在功率之比  D, 是无功功功率与视在功率之比
15
,电感饱和是指_____z‑v g%euI"J9WD
   A,
通过的磁通随电流变化而变化 B, 电抗不变 C, 电抗减小  D,电抗增大  6bSw%T6J'xD

tJc!x#o @



bL9d"n0O@9Y2R­Z
16
,电感、磁环、磁珠的应用区别主要是____
   A,
电感用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁珠用于信号线抗射频干扰 s9jUY8I oADR
   B,
电感用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁环用于信号线抗射频干扰N+c x&y3w]
   C,
磁环用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰I9b!zz‑us"c
   D,
磁珠用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰Z7m4H1y`Cg;m;z)q
17
,真空放电管、压敏电阻、TVS管分别用于____瞬时过压保护。 y9Tjk|!~Iv
   A,
电子元器件、电子设备、电气设备 B,电子设备、电气设备、电子元器件
   C,
电气设备、电子元器件、电子设备 D,电气设备、电子设备、电子元器件
18
EMS测试中,IEC61000标准中浪涌电压、电快速脉冲的脉宽/边沿要求是___ AU&z sncKE
   A, 50µS/5µS  50nS/5nS  B, 50µS/5nS  50nS/5nS \\ E?cBS
   C, 100µS/1µS  100nS/10nS  D, 5µS/5nS  100nS/10Ns
19, 220VAC
电源输入滤波器共模阻抗与差模阻抗相比, _____.
   A,
共模阻抗与差模阻抗基本相同  B, 共模阻抗小于差模阻抗0p/J&lgiU5p+In-{
   C,
共模阻抗大于差模阻抗        D, 共模阻抗等于差模阻抗的平方{_9` M rJxd
20,
模拟电路地与数字电路地一点共地的目的是___.eJ/OAa$`5sL
   A,
减小数字电路地线电流  B, 减小模拟电路受到的辐射干绕 %@smV\9p^;uY.I
C,
增大模拟电路与数字电路的共地阻抗D, 减小模拟电路与数字电路的共地阻抗j x%x0LZ2W5K+L
21,
分布式电压闭环开关电源并联运行, 每台电源在电压给定值不变的情况下,电压电流静态特性应为____.t+]&P`*`M
   A,
硬特性(即恒压特性)  B, 降特性(即随电流增大电压下降)n(w)c#X-wF'oV'K
   C,
升特性(即随电流增大电压增大)  D, 无要求
22, PID
调节方式中,ID的作用分别是____.-mwi.q5aDW
   A,
消除静态误差和提高动态性能  B,提高动态性能和消除静态误差
   C,
减小调节时间和消除静态误差  D, 减小超调量和消除静态误差
23,
一运算放大器的开环增益为80DB, 如不考虑其他误差因素,要求用该放大器一级放大某信号, 误差小于0.5%, 则闭环放大增益K____.aIl9Rc
    A,  K >=100   B,  K>=50   C, 50<=K<=100  D, K<=50
24,
开关电源中反馈用的传输光耦,对其CTR值要求是____.B l4F6h R_
     A,
越大越好  B, 越小越好 C, 有一定的范围  D, 无所谓
25,
如果是NRZ编码,当通讯波特率较高且距离较远时, 总线两端需要接端接电阻,该电阻取值依据为___.$Hs(q5LTLn;tgS
     A,
按总线驱动器的直流负载能力取  B, 按干扰噪声程度取
     C,
取该波特率(频率)对应的通信电缆的波阻抗值 D, 取该波特率对应通信电缆的分布电容的容抗值
1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。

2。在现代开关器件中,经常可以看到punch through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。

3IGBT电导调制的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?

4thyristorgto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。

5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbtmosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?

6。在常用的dcdc converter中,如buck converter boost converter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件鸡拓扑结构。

 

 

正激与反激的根本区别有那些?

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2011-02-22 08:25
谢谢,需要学习和理解,关键是实践!
0
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梁川
LV.5
3
2011-02-22 09:06
@leddream2009
谢谢,需要学习和理解,关键是实践![图片]
最后六题都不会做!谁讲解下
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zhenxiang
LV.10
4
2011-02-22 09:25
@梁川
最后六题都不会做!谁讲解下

谁有答案呢分享下  我大概有1/3 不会   最后6题 就第5题会

0
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2011-02-22 09:25
看见题目就头疼。
0
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2011-02-22 09:55
@梁川
最后六题都不会做!谁讲解下
不过温度系数那条讲的不对劲!
0
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梁川
LV.5
7
2011-02-22 10:02
@qinzutaim
不过温度系数那条讲的不对劲!

我把答案复制过来吧,大家好看一些。

原帖作者的解释
1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。

答:通常为了增加二极管的耐压,理论上可以增厚pn结,并且降低杂质浓度,但是缺点是正相导通损耗变大。
通过加一层低杂质的s层,性能得到改观:正相导通的时候s层完全导通,近似于短路,直接pn连接,所以压降小;反相接电压的时候,由于s层的杂质浓度低,电导低,或者说此s层能够承受的最大电场E较大,所以s层能够承受较大电压而不被击穿。

2。在现代开关器件中,经常可以看到punch through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。

答:在开关器件中,用于提高耐压的s层往往并没有得到充分的利用,因为s层的一端耐压为Emax的时候,另外一段为0,也就是说,E在s层并不是均匀分布的,Umax~0.5(Emax+Emin)——注意,器件耐压只取决于s层中E对于l长度的积分。punch through就是在s层与pn结直接再加一层高杂质掺杂的薄层,使得此层中电场由Emax变化到Emin=0,而真正的s层中处处场强都接近于Emax。
理论上,通过punch through技术,s层的宽度可以减少50%——在耐压不变的前提下。实际中由于s层必须有一定的电导,宽度会略大于50%。

3。IGBT有“电导调制”的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?

答:电导调制其实很简单,也就是Uce之间的等效电路模型为一接近理想的二极管。饱和电压不随着电流增加而增加,导通损耗为P~I;而mosfet的ds等效电路为一个电阻,损耗为P~I^2。因此在通态损耗占主要因素的场合(如电机驱动),igbt更有优势。

4。thyristor和gto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。

答:比较难用文字说清楚,gto是的层与层之间是环形结构,所以结合程度要比普通的晶闸管好,能够实现关断(具体请自行参阅相关文献)。

5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?

答:mosfet可直接用于并联,igbt不方便。因为mosfet是负温度系数,各个并联管之间可以平衡:T上升,Rds上升-》I减小。而igbt是正温度系数不行,同理,双极型三极管也不可以简单并联。如果要并联,必须串联在e极一个小电阻,但这就降低了效率,不太实用。
另外igbt还有latch的问题,详情参考相关文献。


6。在常用的dcdc converter中,如buck converter 或boost converter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件鸡拓扑结构。

答:方案一,用SiC代替快回复二极管。经过计算得出,不少情况下,虽然SiC二极管比较贵,但从整体而言产品性价比更高,原因:开关损耗小,散热片小。。。
方案二,用synchronous boost、buck converter代替。上臂的管子也用mosfet。利用mosfet在Ugs接电压的时候ds双向导通的特点(纯看上去一电阻),减小损耗,尤其在低电压驱动电路中,此结构可大大减少电路通态损耗。
方案三,让管子工作在discontinueous的状态。
方案死,让管子工作在continueous状态,但是减小电感,增加电流的ripple,使其最小值低于0——resonant pole,缺点是mosfet通态损耗变大。

以上答案均为个人总结,如有差错,还请包涵。

感想:此考试的专业并不是半导体制造工艺,而是很general的基础课程。50%的电子方向学生都必须通过这门考试。我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的。可是我感觉,如果没有对于一个系统有着真正本质的了解而只是浮在表面,作出来的系统很难工作在一个optimal的状况下。譬如选电感的时候,ripple factor多大对于系统最优?电解采用哪种产品,它在“此”电路中的寿命大约多少?mosfet在此电路中的寿命大概是多少?确实,这些是很底层的东西,但是如果我们工程师不去掌握它,设计层面停留在“大约”的阶段,产品是很难和国外的相比的。



希望国内搞技术的工程师,多掌握理论知识,知其然并知其所以然。不管是电子,机械制造方面也是一样。

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梁川
LV.5
8
2011-02-22 10:16
@梁川
我把答案复制过来吧,大家好看一些。原帖作者的解释1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。答:通常为了增加二极管的耐压,理论上可以增厚pn结,并且降低杂质浓度,但是缺点是正相导通损耗变大。通过加一层低杂质的s层,性能得到改观:正相导通的时候s层完全导通,近似于短路,直接pn连接,所以压降小;反相接电压的时候,由于s层的杂质浓度低,电导低,或者说此s层能够承受的最大电场E较大,所以s层能够承受较大电压而不被击穿。2。在现代开关器件中,经常可以看到punchthrough技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。答:在开关器件中,用于提高耐压的s层往往并没有得到充分的利用,因为s层的一端耐压为Emax的时候,另外一段为0,也就是说,E在s层并不是均匀分布的,Umax~0.5(Emax+Emin)——注意,器件耐压只取决于s层中E对于l长度的积分。punchthrough就是在s层与pn结直接再加一层高杂质掺杂的薄层,使得此层中电场由Emax变化到Emin=0,而真正的s层中处处场强都接近于Emax。理论上,通过punchthrough技术,s层的宽度可以减少50%——在耐压不变的前提下。实际中由于s层必须有一定的电导,宽度会略大于50%。3。IGBT有“电导调制”的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?答:电导调制其实很简单,也就是Uce之间的等效电路模型为一接近理想的二极管。饱和电压不随着电流增加而增加,导通损耗为P~I;而mosfet的ds等效电路为一个电阻,损耗为P~I^2。因此在通态损耗占主要因素的场合(如电机驱动),igbt更有优势。4。thyristor和gto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。答:比较难用文字说清楚,gto是的层与层之间是环形结构,所以结合程度要比普通的晶闸管好,能够实现关断(具体请自行参阅相关文献)。5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?答:mosfet可直接用于并联,igbt不方便。因为mosfet是负温度系数,各个并联管之间可以平衡:T上升,Rds上升-》I减小。而igbt是正温度系数不行,同理,双极型三极管也不可以简单并联。如果要并联,必须串联在e极一个小电阻,但这就降低了效率,不太实用。另外igbt还有latch的问题,详情参考相关文献。6。在常用的dcdcconverter中,如buckconverter或boostconverter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件鸡拓扑结构。答:方案一,用SiC代替快回复二极管。经过计算得出,不少情况下,虽然SiC二极管比较贵,但从整体而言产品性价比更高,原因:开关损耗小,散热片小。。。方案二,用synchronousboost、buckconverter代替。上臂的管子也用mosfet。利用mosfet在Ugs接电压的时候ds双向导通的特点(纯看上去一电阻),减小损耗,尤其在低电压驱动电路中,此结构可大大减少电路通态损耗。方案三,让管子工作在discontinueous的状态。方案死,让管子工作在continueous状态,但是减小电感,增加电流的ripple,使其最小值低于0——resonantpole,缺点是mosfet通态损耗变大。以上答案均为个人总结,如有差错,还请包涵。感想:此考试的专业并不是半导体制造工艺,而是很general的基础课程。50%的电子方向学生都必须通过这门考试。我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的。可是我感觉,如果没有对于一个系统有着真正本质的了解而只是浮在表面,作出来的系统很难工作在一个optimal的状况下。譬如选电感的时候,ripplefactor多大对于系统最优?电解采用哪种产品,它在“此”电路中的寿命大约多少?mosfet在此电路中的寿命大概是多少?确实,这些是很底层的东西,但是如果我们工程师不去掌握它,设计层面停留在“大约”的阶段,产品是很难和国外的相比的。希望国内搞技术的工程师,多掌握理论知识,知其然并知其所以然。不管是电子,机械制造方面也是一样。

"我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的"

这句话说到点子上了,国内很多值的选取都是说“经验”。经验这东西是好,但年轻工程师没有怎么办?就不开发产品了?就必须去做一大堆错误的东西才能得到你们所说的“经验”?

希望今后大家都能把“经验”实际化一点,别搞得那么抽象,那么的琢磨不透。让技术能得到真正的传播,升华。

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2011-02-22 10:34
@电源猎头
看见题目就头疼。
理论还是很重要的.
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hk2007
LV.8
10
2011-02-22 10:44
@梁川
我把答案复制过来吧,大家好看一些。原帖作者的解释1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。答:通常为了增加二极管的耐压,理论上可以增厚pn结,并且降低杂质浓度,但是缺点是正相导通损耗变大。通过加一层低杂质的s层,性能得到改观:正相导通的时候s层完全导通,近似于短路,直接pn连接,所以压降小;反相接电压的时候,由于s层的杂质浓度低,电导低,或者说此s层能够承受的最大电场E较大,所以s层能够承受较大电压而不被击穿。2。在现代开关器件中,经常可以看到punchthrough技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。答:在开关器件中,用于提高耐压的s层往往并没有得到充分的利用,因为s层的一端耐压为Emax的时候,另外一段为0,也就是说,E在s层并不是均匀分布的,Umax~0.5(Emax+Emin)——注意,器件耐压只取决于s层中E对于l长度的积分。punchthrough就是在s层与pn结直接再加一层高杂质掺杂的薄层,使得此层中电场由Emax变化到Emin=0,而真正的s层中处处场强都接近于Emax。理论上,通过punchthrough技术,s层的宽度可以减少50%——在耐压不变的前提下。实际中由于s层必须有一定的电导,宽度会略大于50%。3。IGBT有“电导调制”的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?答:电导调制其实很简单,也就是Uce之间的等效电路模型为一接近理想的二极管。饱和电压不随着电流增加而增加,导通损耗为P~I;而mosfet的ds等效电路为一个电阻,损耗为P~I^2。因此在通态损耗占主要因素的场合(如电机驱动),igbt更有优势。4。thyristor和gto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。答:比较难用文字说清楚,gto是的层与层之间是环形结构,所以结合程度要比普通的晶闸管好,能够实现关断(具体请自行参阅相关文献)。5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?答:mosfet可直接用于并联,igbt不方便。因为mosfet是负温度系数,各个并联管之间可以平衡:T上升,Rds上升-》I减小。而igbt是正温度系数不行,同理,双极型三极管也不可以简单并联。如果要并联,必须串联在e极一个小电阻,但这就降低了效率,不太实用。另外igbt还有latch的问题,详情参考相关文献。6。在常用的dcdcconverter中,如buckconverter或boostconverter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件鸡拓扑结构。答:方案一,用SiC代替快回复二极管。经过计算得出,不少情况下,虽然SiC二极管比较贵,但从整体而言产品性价比更高,原因:开关损耗小,散热片小。。。方案二,用synchronousboost、buckconverter代替。上臂的管子也用mosfet。利用mosfet在Ugs接电压的时候ds双向导通的特点(纯看上去一电阻),减小损耗,尤其在低电压驱动电路中,此结构可大大减少电路通态损耗。方案三,让管子工作在discontinueous的状态。方案死,让管子工作在continueous状态,但是减小电感,增加电流的ripple,使其最小值低于0——resonantpole,缺点是mosfet通态损耗变大。以上答案均为个人总结,如有差错,还请包涵。感想:此考试的专业并不是半导体制造工艺,而是很general的基础课程。50%的电子方向学生都必须通过这门考试。我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的。可是我感觉,如果没有对于一个系统有着真正本质的了解而只是浮在表面,作出来的系统很难工作在一个optimal的状况下。譬如选电感的时候,ripplefactor多大对于系统最优?电解采用哪种产品,它在“此”电路中的寿命大约多少?mosfet在此电路中的寿命大概是多少?确实,这些是很底层的东西,但是如果我们工程师不去掌握它,设计层面停留在“大约”的阶段,产品是很难和国外的相比的。希望国内搞技术的工程师,多掌握理论知识,知其然并知其所以然。不管是电子,机械制造方面也是一样。
看来自己基础知识,还不够扎实
0
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dl36520
LV.5
11
2011-02-22 11:04
@feibingliuabc
理论还是很重要的.

顶起,要多多学习了

0
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2011-02-22 13:01
@梁川
最后六题都不会做!谁讲解下
前面选择题都会了?麻烦你讲讲12题。
0
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allen-leon
LV.5
13
2011-02-22 13:25
@电源猎头
看见题目就头疼。
punch through技术??ic内部技术?怎么没听过。。
0
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hk2007
LV.8
14
2011-02-22 14:01
@august850811
前面选择题都会了?麻烦你讲讲12题。
70+13.2*6=149.2
0
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hk2007
LV.8
15
2011-02-22 14:02
选择题16-25不是很确定,哪位老师给讲讲,给个参考答案?
0
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冰上鸭子
LV.10
16
2011-02-22 14:52

好东西

0
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cheng111
LV.11
17
2011-02-22 19:16
@梁川
"我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的"这句话说到点子上了,国内很多值的选取都是说“经验”。经验这东西是好,但年轻工程师没有怎么办?就不开发产品了?就必须去做一大堆错误的东西才能得到你们所说的“经验”?希望今后大家都能把“经验”实际化一点,别搞得那么抽象,那么的琢磨不透。让技术能得到真正的传播,升华。
哎...补课啊。加强学习。
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zzb5355
LV.4
18
2011-02-22 19:26
@hk2007
选择题16-25不是很确定,哪位老师给讲讲,给个参考答案?

能不能给出全部选择题的答案

让我学习学习

0
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EeTsang
LV.5
19
2011-02-22 19:37
@梁川
"我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的"这句话说到点子上了,国内很多值的选取都是说“经验”。经验这东西是好,但年轻工程师没有怎么办?就不开发产品了?就必须去做一大堆错误的东西才能得到你们所说的“经验”?希望今后大家都能把“经验”实际化一点,别搞得那么抽象,那么的琢磨不透。让技术能得到真正的传播,升华。
说得好!
0
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2011-02-22 20:18
希望出现一位大侠.能给小弟们上上课...这试卷我绝对在面试的时候做过..对不对我就不是很清楚咯.当时都平感觉乱.....
0
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小小罗
LV.3
21
2011-02-25 08:50
@august850811
希望出现一位大侠.能给小弟们上上课...这试卷我绝对在面试的时候做过..对不对我就不是很清楚咯.当时都平感觉乱.....

1-5题:DBDBD

6-10题  CBCDA

11-15题 AADBA

16-20题  ADBCB

21-25题不会做

以上是新手的答案,还请高手指正!

非常感谢!

0
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perterlong
LV.6
22
2011-02-25 11:07
@小小罗
1-5题:DBDBD6-10题 CBCDA11-15题AADBA16-20题 ADBCB21-25题不会做以上是新手的答案,还请高手指正!非常感谢!

期待答案。。。。

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懶人
LV.7
23
2011-02-25 11:56

题目出的有点怪!也有模拟两可得。期待出题人给答案~

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2011-02-25 13:47
@懶人
题目出的有点怪!也有模拟两可得。期待出题人给答案~

我是在面试时。遇到过其中的问题。到百度去查答案时碰巧有这么个试卷。就复制过来了。

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一只羊
LV.3
25
2011-02-25 14:41
@august850811
我是在面试时。遇到过其中的问题。到百度去查答案时碰巧有这么个试卷。就复制过来了。
电力电子课考的比这个还理论  还有谐波 与小信号的东西   这些对于老师们来说都是常识
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2011-02-25 21:54
@小小罗
1-5题:DBDBD6-10题 CBCDA11-15题AADBA16-20题 ADBCB21-25题不会做以上是新手的答案,还请高手指正!非常感谢!
先指出10题..原副边屏蔽减小了分布电容,这样原边干扰源产生的共模电流就会减小,耦合到地的噪声就会减小。可以称为电屏蔽
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2011-02-25 22:05
@august850811
先指出10题..原副边屏蔽减小了分布电容,这样原边干扰源产生的共模电流就会减小,耦合到地的噪声就会减小。可以称为电屏蔽
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2011-02-25 22:35

22题  

PID是比例,积分,微分的缩写.比例调节作用:是按比例反应系统的偏差,系统一旦出现了偏差,比例调节立即产生调节作用用以减少偏差。比例作用大,可以加快调节,减少误差,但是过大的比例,使系统的稳定性下降,甚至造成系统的不稳定。积分调节作用:是使系统消除稳态误差,提高无差度。因为有误差,积分调节就进行,直至无差,积分调节停止,积分调节输出一常值。积分作用的强弱取决与积分时间常数Ti,Ti越小,积分作用就越强。反之Ti大则积分作用弱,加入积分调节可使系统稳定性下降,动态响应变慢。积分作用常与另两种调节规律结合,组成PI调节器或PID调节器。微分调节作用:微分作用反映系统偏差信号的变化率,具有预见性,能预见偏差变化的趋势,因此能产生超前的控制作用,在偏差还没有形成之前,已被微分调节作用消除。因此,可以改善系统的动态性能。在微分时间选择合适情况下,可以减少超调,减少调节时间。微分作用对噪声干扰有放大作用,因此过强的加微分调节,对系统抗干扰不利。此外,微分反应的是变化率,而当输入没有变化时,微分作用输出为零。微分作用不能单独使用,需要与另外两种调节规律相结合,组成PD或PID控制器。
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str-h7000
LV.2
29
2011-02-26 02:47
@allen-leon
punchthrough技术??ic内部技术?怎么没听过。。
IGBT制作工艺。PT属于比较老的技术,后面有NPT; not punch through和field stop trench技术。 
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str-h7000
LV.2
30
2011-02-26 05:11
@perterlong
期待答案。。。。
1.D  2. B  3. A  4.B  5.D  6.C  7.A  8.C  9.A  10.B  11.D  12.A  13.B  14.B  15.C  16.A 
      17.D  18.A  19.C  20.D  21.B  22.A  23.D  24.C  25.C 
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ta7698
LV.9
31
2011-02-26 07:35
@str-h7000
IGBT制作工艺。PT属于比较老的技术,后面有NPT; not punch through和field stop trench技术。[图片] 
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