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关于并联IGBT和MOSFET

 大家都知道在变频器中，MOSFET和IGBT各有优点。在功率损失上，MOSFET在低电流领域有优势，而IGBT在大电流领域有优势，如果把这两种器件并联使用会对效率有一个很大的提高，不知道有没有那一位实际使用过这种电路结构？

发一篇关于这方面的论文。IGBT_MOSFET_Combination 

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让你记得我的好
LV.10
2
2011-04-23 21:04
有的。论坛里有朋友发过实际的电路。
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让你记得我的好
LV.10
3
2011-04-23 21:09

嗯，帖子找到了，这个：

http://bbs.dianyuan.com/topic/609482

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hvic
LV.4
4
2011-04-24 17:16
@让你记得我的好
嗯，帖子找到了，这个：http://bbs.dianyuan.com/topic/609482
除了记得让IGBT先开后关还有什么要注意的吗，实际的驱动电路和IGBT和MOSFET的型号有吗？ 
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让你记得我的好
LV.10
5
2011-04-24 17:19
@hvic
除了记得让IGBT先开后关还有什么要注意的吗，实际的驱动电路和IGBT和MOSFET的型号有吗？ 
IGBT先开，也先关。具体的电路我就没有了。
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ccps
LV.7
6
2011-04-24 23:35
下载学习一下
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hvic
LV.4
7
2011-04-25 22:23
@让你记得我的好
IGBT先开，也先关。具体的电路我就没有了。
为什么IGBT要先关呢？
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LV.1
8
2011-04-26 08:28
@hvic
为什么IGBT要先关呢？
我试着帮好版回答你：因为IGBT关断的时候有拖尾电流，如果先关断IGBT，这时MOS是开通的，VDS很小，所以IGBT的拖尾电流带来的损耗很小。。。。。
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让你记得我的好
LV.10
9
2011-04-26 09:41
@
我试着帮好版回答你：因为IGBT关断的时候有拖尾电流，如果先关断IGBT，这时MOS是开通的，VDS很小，所以IGBT的拖尾电流带来的损耗很小。。。。。
对的。
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liuhou
LV.9
10
2011-04-26 15:54

没有遇到过将MOSFET和IGBT并在一起线路。

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powerants
LV.6
11
2011-04-27 06:58

IGBT与MOS并, 是为了用高速MOS承担切换, 而IGBT承担导通期间的导通电流.

正确的是: MOS先开后关, IGBT后开先关, 弄好驱动时序就行了.

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hvic
LV.4
12
2011-05-01 09:57
@powerants
IGBT与MOS并,是为了用高速MOS承担切换,而IGBT承担导通期间的导通电流.正确的是:MOS先开后关,IGBT后开先关,弄好驱动时序就行了.
因为IGBT和驱动电路的离散性,其实很不容易
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powerants
LV.6
13
2011-05-01 22:36
@hvic
因为IGBT和驱动电路的离散性,其实很不容易
时序很重要, 通常来说, 器件的离散性再大, 也不可能相差几倍, 裕量放多点就行了
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hvic
LV.4
14
2011-05-09 22:03
@让你记得我的好
对的。
其实这个方法在太阳能逆变器上很有用 ，附件写的很不错。InnovativeTopologiesForHighEfficientSolarApplications
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ana2004
LV.1
15
2014-01-10 15:02
@powerants
时序很重要,通常来说,器件的离散性再大,也不可能相差几倍,裕量放多点就行了

10樓的答案是正確的

具體做法是同時開,但是IGBT提早先關

這個技術在20年前澳大利亞RTP公司

就已經申請專利使用在48V/100A通信電源模塊上了

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