开关变换器简要设计分析
第二篇: 临界模式PFC电路设计分析
给定磁心同等圈数气隙大的感量小,不知道您所谓“⑤减小原边电感量 ——→减小气隙,减小边缘磁通”的说法是怎么得到的?
“具体来说,过小的漏感会导致过大的分布电容,带来的直接后果是传导恶化,EMI成本的增高,NF必须绕在第二层当做屏蔽绕组来用。”这个也不敢苟同,无Y方案的变压器没人这么干。
“测量变压器温升的时候,都在90VAC输入测量。其实反激变压器的磁芯(绕组也可能)的最大温升是在264VAC输入。”这个也有待商榷。温升直接对应的有两个因数:能量损耗和散热条件,CCM模式整个周期内都有能耗,而深度DCM模式在T-Ton-Toff时间内是自然散热的。如果自然散热条件不好,例如线包太紧或者布局紧凑变压器外包绝缘胶带,那么264Vac输入时的温升是可能大于90Vac输入的。散热条件良好的话,通常都是90Vac时的温升更高。
本意是:
减小LP(不是同等NP,我的例子里有多组NP),以较小的NP,获得较低LP(B会增加很多)。因为NP与LP不是线性关系,气隙会大幅度减小。
无Y电容方案没有研究过,所以不敢妄下结论,无Y方案通常小于15W,而且必须增加屏蔽层。所以很少用在稍大输出的产品中
如果输出几十瓦甚至上百瓦,漏感能量的作用非常明显。
三明治绕法,存在漏感越小,分布电容越大,这是种矛盾的关系。本来我想上传实例中顺序绕法和三明治绕法的EMI的测试资料,但是没有找到电子文档。
关于温升,你考虑的很详细,我没有考虑工艺等问题,从交流磁通的角度来分析,264V输入磁损更大。实例中交流磁通差不多相差1.5倍,不同输入,温升相差10度以上。
谢谢仔细分析,文中省略了不少文字,阅读有一定困难
我就是提出跟我算的不同的地方,其实工程上很多近似处理的,精确计算的结果我也是不敢用的,感觉你留的余量有点大而已,不是什么大问题。
倒是反激那一段看得我头痛,你有好多描述我都觉得不能认同,不知道是不是文字表达的关系,我总觉得有些东西你写拧了。。。