锐骏半导体40V系列大电流大功率MOSFET已成系列,极低的内阻是做12V大功率逆变器,防反接电路,大电流锂电池保护的利器,特别是后面几种在75A的电流下还有很低的内阻哦!
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1.8mR?
好东西呀
太恐怖了,这东西开关速度这么快啊,200-250ns的上升速度,栅极电荷很低,而且内阻要做到这么低,还能要这么高的速度,钟工,这MOS是用什么工艺制造的啊?
关键词:栅极电荷 MOS
立体沟槽工艺结合了平面和沟槽工艺的优点,具有内阻小,分布参数小的优点同时又具有一定的抗冲击能力。
这种工艺是不是比平面沟槽要复杂一些啊,带来的好处应该是硅片面积缩小了很多,而且可以更薄了吧
关键词:硅片面积
高啊!行家啊。最新的材料,最新的工艺,极高的功率密度,大电流的搬运能力,这才能达到极高的性价比!
关键词:功率密度
您才是真正的行家,MOSFET可是高端科技工业,有很多东西向您学习的!
关键词:MOSFET
象40280,实际耐压有多少?
师傅,你说4099是不是能上70V
做同步整流的利器!
关键词:整流
广
告
贴
应该删除!
做12V逆变用55V或60V的管子当然比较保险,但是这种管子内阻也高,最好的办法就是降低尖峰,用40V的管子达到成本和效率的最优。发个用这种管子2对上1000W的实际D极波形:
师傅,减小变压器的匝比是不是也能有效的降低漏感,比如两个变压器,初级并联,次级串联?