关键词：IGBT
楼主，想讨论啥呢？
难道这就是慢降过流保护？
没看懂什么意思
这只是原理图而已，实际运用还得以实际用来计算的，1K改为10欧姆
呵呵。。IGBT导通的时候压降很低。D2导通。。
反之。。。IGBT过流的时候压会增大。D2截止。。C被充电。。
关键词：IGBT 导通
在书上看到的与你讲的确相反，到底是你讲得对呢还是出书的专家搞错了。能不能有更好的方法呢
D3多少V的呀？
IGBT压降有你们大吗？ D1+D3+VQ1_BE至少等于2.1V左右哦
嗯差不多
没用过IGBT，学习了
看来以后得注意了
慢关断适合在带感性负载的场合，如用于电阻性负载就不要太迷恋慢关断；
慢关断保护对关断时间也有要求，关断期间损耗不能超过IGBT的安全工作区域，所以针对不同IGBT要有不同参数搭配。
是呀，那D3呢？
最低的稳压管也有1.2V吧，那就是哦0.7+1.2+0.7=2.6V了哦
IGBT功耗好大哦
D3设为1。2V是不行的
那得多少？
楼主，你还是把原文贴出来吧
D1和R1之间的电压为V。=Vce+D1开通压降+2V；ZD1的稳压值则比V。高2V左右；D1一旦被反偏截止，ZD1就会被击穿，Q2才得以开通。自己计算一下就出来了.Vce是IGBT的饱和压降的电压。
真是高手！
