刚开始做大功率电源,遇到问题求助:
输入:直流20V~40V
输出:直流44V~54V
输出电流:10A
效率:80%
选择电路结构:Boost,非隔离,100V功率MOSFET做开关管
输出最大功率:Po=54V*10A=540W
输入最大功率:Pin=Po/0.8=675W
若为CCM或临界模式,最大占空比:Dmax=1-Vin(min)/Vo(max)=1-20/54=0.63
接下来,该如何计算电感量,如何利用AP法选择磁芯,计算线圈匝数,气隙长度等参数? 多谢
刚开始做大功率电源,遇到问题求助:
输入:直流20V~40V
输出:直流44V~54V
输出电流:10A
效率:80%
选择电路结构:Boost,非隔离,100V功率MOSFET做开关管
输出最大功率:Po=54V*10A=540W
输入最大功率:Pin=Po/0.8=675W
若为CCM或临界模式,最大占空比:Dmax=1-Vin(min)/Vo(max)=1-20/54=0.63
接下来,该如何计算电感量,如何利用AP法选择磁芯,计算线圈匝数,气隙长度等参数? 多谢
请问大侠,boost电源,开关频率50KHz,需要考虑趋肤效应,用多股线并绕吗?
如上计算出来的电感量,一般需要留一定的设计裕量吗?留多少设计裕量合适? 谢谢了
请问大侠,计算导线截面时用的电流密度是多少?我的计算如下:
导线截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2
如果用双线并绕,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13号线并绕33匝。
如上计算是否有误啊?
另外,如果想用体积小一点的磁芯,但开关频率50KHz不变,有没有办法?
是否可以用磁导率高一点的磁芯? 谢谢了
你说的对,铜线是不太够。书上通常讲的3-6A是指变压器的绕组铜线。这个值不是绝对的,也有书上说可以多到 8-12A(忘了是哪本书)。主要看散热情况。相对于变压器,电感的散热要好得多,线也可以用细一些。我之前的线径是根据磁芯的尺寸选取的 -- 正好绕满一层。确实不一定够。你可以试试看,加粗一些,或者加多一两条并绕,但不建议用太粗的线。实际做的时候要根据温升和散热情况进行调整。另外,电感的绕线层数不易太多,当然最好是一层。我手上有个日本cosel的电源(见下图)。上面的30A电感是用AWG17 x 3 并绕的(正好绕满一层)。
如果选用小一些,磁导率高的磁芯,可以做到同样的电感。但Bm会增大,铁损增加。不想铁损增加太多,则需要相应加多圈数(可参考上面计算圈数的公式)。总之,电感会更加热,也需要更粗的铜线。当然,也更难绕。圈数多了散热也会变差,导致温升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的铜线,要看电感的温升。也就是说需要试 ~ 此外,实际做出来的东西和我们的设计还会有出入。一切应以实验数据为准。
谢谢大侠帮忙。
我今天下载了一些美磁的技术资料,按照那份资料提供的方法计算如下:
计算出感量L=36.6uH以后,因为LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2
查Kool Mu 环型和跑道型 磁芯LI^2选型图,水平轴上的数值选定42.3mHA^2。
按照对应的纵向坐标,选择0077721A7磁芯。
查看0077721A7磁芯的参数,电感因子AL=49nH/T^2 ±8%,该磁芯的最小AL值为
AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出来N=29匝。
计算满载时,确定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。
当直流偏置为77.6AT/cm时,磁导率为初始磁导率的67% 。
调整后的匝数为29/0.67=44匝。
重新计算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。
从磁导率-直流偏置曲线看出,对应初始磁导率的57% 。
计算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2 * 0.57=25.7nH/T^2 。
磁芯匝数为44匝,直流偏置水平为118AT/cm,对应最小电感值为
L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在满载直流偏置条件下,
可达到期望的最小36.6uH电感值。
计算导线截面积:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2
可考虑用AWG#16号线双线并绕44匝。
本意是要减小磁芯体积,同时想要理解选磁芯的方法,这样的计算方法磁芯体积更大了。
如上计算是否有误?计算出来的参数与大侠的不同,为什么?请指教,谢谢
谢谢DX帮忙,可否将以上两个计算结果对应的输入参数也贴出来,谢谢
特别是左边的那个,这个软件有时候很奇怪,我试了多个输入参数组合,都没有得出这个结果,~