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输入直流20V~40V 输出直流44V~54V Boost电路求助

刚开始做大功率电源,遇到问题求助:

输入:直流20V~40V
输出:直流44V~54V
输出电流:10A
效率:80%

选择电路结构:Boost,非隔离,100V功率MOSFET做开关管

输出最大功率:Po=54V*10A=540W
输入最大功率:Pin=Po/0.8=675W

若为CCM或临界模式,最大占空比:Dmax=1-Vin(min)/Vo(max)=1-20/54=0.63

接下来,该如何计算电感量,如何利用AP法选择磁芯,计算线圈匝数,气隙长度等参数? 多谢

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starlight
LV.2
2
2011-08-28 17:07
补充一下:硬开关,开关频率选多少为好?暂且选fs=30kHz
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mko145
LV.8
3
2011-08-28 17:31
频率太低了, 那样电感的个子要好大 ~ 
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starlight
LV.2
4
2011-08-28 19:15
@mko145
频率太低了,那样电感的个子要好大~ 
谢谢答复,频率可以提高到50kHz,如下该怎么计算?选什么形状的磁芯要好?
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starlight
LV.2
5
2011-08-28 20:36
顶上去,不要沉了啊
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starlight
LV.2
6
2011-08-28 23:00
等待中,高手请不吝赐教,多谢
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starlight
LV.2
7
2011-08-29 11:26
等待高手帮助解答啊,先谢过
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mko145
LV.8
8
2011-08-29 18:10
既然没有高手指导,我来试着帮你算一算。仅供参考 ~  爆炸不关我的事 输入:直流20V~40V输出:直流44V~54V输出电流:10A最低输入电压 Vi = 20V ; 最高输出电压 Vo = 54V假设MOSFET 导通时 Vds = 1V ; 输出的整流管压降 Vf = 1V(Vi - Vds)/ (Vo+  Vf)= 1/ (1-D) ;D 为占空比 ; 得到 D = 0.655电感上的平均电流为 ILa ; ILa  x (1-D)= Io ;得到 ILa = 10A / (1-0.655) = 29A假设效率为85%; 则电感上电流 IL = 29A / 0.85 = 34A取纹波电流峰峰值△IL = 0.2 IL = 0.2 x 34A = 6.8A △IL  = (Vi - Vds)x Ton / L  ; (L 为电感量) ; 得到 L = 19V x 13.1us / 6.8A = 36.6uH考虑选用 Cool Mu 的 254 铁硅铝磁环 ; Ae = 110mm由公式 N = I x L / (Ae x Bm) ;Bm 取 3500 Gauss ; 得到 N = 32.5 T由公式 L = Al x N2; 得到 Al = 35 nH/T2;查表可知 对应的材料为 26u最后确定为 Cool Mu 的 254 - 26 铁硅铝磁环 ; 
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starlight
LV.2
9
2011-08-29 21:29
@mko145
既然没有高手指导,我来试着帮你算一算。仅供参考~ 爆炸不关我的事[图片]输入:直流20V~40V输出:直流44V~54V输出电流:10A最低输入电压Vi=20V; 最高输出电压Vo=54V假设MOSFET导通时Vds=1V;输出的整流管压降Vf=1V(Vi-Vds)/(Vo+ Vf)=1/(1-D);D为占空比;得到D=0.655电感上的平均电流为ILa;ILa x(1-D)=Io;得到ILa=10A/(1-0.655)=29A假设效率为85%;则电感上电流IL=29A/0.85=34A取纹波电流峰峰值△IL=0.2IL=0.2x34A=6.8A △IL =(Vi-Vds)xTon/L ;(L为电感量);得到L=19Vx13.1us/6.8A=36.6uH考虑选用CoolMu的254铁硅铝磁环;Ae=110mm由公式N=IxL/(AexBm);Bm取3500Gauss;得到N=32.5T由公式L=AlxN2;得到Al=35nH/T2;查表可知对应的材料为26u最后确定为CoolMu的254-26铁硅铝磁环; 
谢谢大侠帮忙,我再看看资料,有问题再请教
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starlight
LV.2
10
2011-09-02 23:18
@mko145
既然没有高手指导,我来试着帮你算一算。仅供参考~ 爆炸不关我的事[图片]输入:直流20V~40V输出:直流44V~54V输出电流:10A最低输入电压Vi=20V; 最高输出电压Vo=54V假设MOSFET导通时Vds=1V;输出的整流管压降Vf=1V(Vi-Vds)/(Vo+ Vf)=1/(1-D);D为占空比;得到D=0.655电感上的平均电流为ILa;ILa x(1-D)=Io;得到ILa=10A/(1-0.655)=29A假设效率为85%;则电感上电流IL=29A/0.85=34A取纹波电流峰峰值△IL=0.2IL=0.2x34A=6.8A △IL =(Vi-Vds)xTon/L ;(L为电感量);得到L=19Vx13.1us/6.8A=36.6uH考虑选用CoolMu的254铁硅铝磁环;Ae=110mm由公式N=IxL/(AexBm);Bm取3500Gauss;得到N=32.5T由公式L=AlxN2;得到Al=35nH/T2;查表可知对应的材料为26u最后确定为CoolMu的254-26铁硅铝磁环; 

请问大侠,boost电源,开关频率50KHz,需要考虑趋肤效应,用多股线并绕吗?

如上计算出来的电感量,一般需要留一定的设计裕量吗?留多少设计裕量合适? 谢谢了

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mko145
LV.8
11
2011-09-03 13:10
@starlight
请问大侠,boost电源,开关频率50KHz,需要考虑趋肤效应,用多股线并绕吗?如上计算出来的电感量,一般需要留一定的设计裕量吗?留多少设计裕量合适?谢谢了

趋肤效应还是要考虑的, 网上有计算公式。不过绕电感通常不用很多股线并绕。如果你用我上面讲的磁芯,可以考虑用AWG17或18 的线,双线并绕。差不多刚好绕满一层。 先试试看

电感不用再留余量了。感量的误差一般是5%,问题不大。只是稍微影响一点纹波电流的大小。不会导致饱和什么的 ~

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starlight
LV.2
12
2011-09-06 22:42
@mko145
趋肤效应还是要考虑的,网上有计算公式。不过绕电感通常不用很多股线并绕。如果你用我上面讲的磁芯,可以考虑用AWG17或18的线,双线并绕。差不多刚好绕满一层。先试试看电感不用再留余量了。感量的误差一般是5%,问题不大。只是稍微影响一点纹波电流的大小。不会导致饱和什么的~
谢谢大侠帮忙,这几天在忙其它事情,没上来看,随后有问题再请教,多谢
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starlight
LV.2
13
2011-09-07 19:14
@mko145
趋肤效应还是要考虑的,网上有计算公式。不过绕电感通常不用很多股线并绕。如果你用我上面讲的磁芯,可以考虑用AWG17或18的线,双线并绕。差不多刚好绕满一层。先试试看电感不用再留余量了。感量的误差一般是5%,问题不大。只是稍微影响一点纹波电流的大小。不会导致饱和什么的~

请问大侠,计算导线截面时用的电流密度是多少?我的计算如下:

导线截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2

如果用双线并绕,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13号线并绕33匝。

如上计算是否有误啊?

另外,如果想用体积小一点的磁芯,但开关频率50KHz不变,有没有办法?

是否可以用磁导率高一点的磁芯? 谢谢了

 

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2011-09-07 20:35
@starlight
请问大侠,计算导线截面时用的电流密度是多少?我的计算如下:导线截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2如果用双线并绕,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13号线并绕33匝。如上计算是否有误啊?另外,如果想用体积小一点的磁芯,但开关频率50KHz不变,有没有办法?是否可以用磁导率高一点的磁芯?谢谢了 
帮顶~~
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mko145
LV.8
15
2011-09-08 10:28
@starlight
请问大侠,计算导线截面时用的电流密度是多少?我的计算如下:导线截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2如果用双线并绕,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13号线并绕33匝。如上计算是否有误啊?另外,如果想用体积小一点的磁芯,但开关频率50KHz不变,有没有办法?是否可以用磁导率高一点的磁芯?谢谢了 

你说的对,铜线是不太够。书上通常讲的3-6A是指变压器的绕组铜线。这个值不是绝对的,也有书上说可以多到 8-12A(忘了是哪本书)。主要看散热情况。相对于变压器,电感的散热要好得多,线也可以用细一些。我之前的线径是根据磁芯的尺寸选取的 -- 正好绕满一层。确实不一定够。你可以试试看,加粗一些,或者加多一两条并绕,但不建议用太粗的线。实际做的时候要根据温升和散热情况进行调整。另外,电感的绕线层数不易太多,当然最好是一层。我手上有个日本cosel的电源(见下图)。上面的30A电感是用AWG17 x 3 并绕的(正好绕满一层)。
如果选用小一些,磁导率高的磁芯,可以做到同样的电感。但Bm会增大,铁损增加。不想铁损增加太多,则需要相应加多圈数(可参考上面计算圈数的公式)。总之,电感会更加热,也需要更粗的铜线。当然,也更难绕。圈数多了散热也会变差,导致温升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的铜线,要看电感的温升。也就是说需要试 ~  此外,实际做出来的东西和我们的设计还会有出入。一切应以实验数据为准。

 

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starlight
LV.2
16
2011-09-09 16:33
@mko145
你说的对,铜线是不太够。书上通常讲的3-6A是指变压器的绕组铜线。这个值不是绝对的,也有书上说可以多到8-12A(忘了是哪本书)。主要看散热情况。相对于变压器,电感的散热要好得多,线也可以用细一些。我之前的线径是根据磁芯的尺寸选取的--正好绕满一层。确实不一定够。你可以试试看,加粗一些,或者加多一两条并绕,但不建议用太粗的线。实际做的时候要根据温升和散热情况进行调整。另外,电感的绕线层数不易太多,当然最好是一层。我手上有个日本cosel的电源(见下图)。上面的30A电感是用AWG17x3并绕的(正好绕满一层)。如果选用小一些,磁导率高的磁芯,可以做到同样的电感。但Bm会增大,铁损增加。不想铁损增加太多,则需要相应加多圈数(可参考上面计算圈数的公式)。总之,电感会更加热,也需要更粗的铜线。当然,也更难绕。圈数多了散热也会变差,导致温升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的铜线,要看电感的温升。也就是说需要试~ 此外,实际做出来的东西和我们的设计还会有出入。一切应以实验数据为准。[图片] 

谢谢大侠帮忙。
我今天下载了一些美磁的技术资料,按照那份资料提供的方法计算如下:

计算出感量L=36.6uH以后,因为LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2
查Kool Mu 环型和跑道型 磁芯LI^2选型图,水平轴上的数值选定42.3mHA^2。
按照对应的纵向坐标,选择0077721A7磁芯。

查看0077721A7磁芯的参数,电感因子AL=49nH/T^2 ±8%,该磁芯的最小AL值为
AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出来N=29匝。

计算满载时,确定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。
当直流偏置为77.6AT/cm时,磁导率为初始磁导率的67% 。
调整后的匝数为29/0.67=44匝。

重新计算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。
从磁导率-直流偏置曲线看出,对应初始磁导率的57% 。

计算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2 * 0.57=25.7nH/T^2 。
磁芯匝数为44匝,直流偏置水平为118AT/cm,对应最小电感值为
L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在满载直流偏置条件下,
可达到期望的最小36.6uH电感值。

计算导线截面积:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2
可考虑用AWG#16号线双线并绕44匝。

本意是要减小磁芯体积,同时想要理解选磁芯的方法,这样的计算方法磁芯体积更大了。
如上计算是否有误?计算出来的参数与大侠的不同,为什么?请指教,谢谢

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brsys
LV.7
17
2011-09-09 18:30
@mko145
你说的对,铜线是不太够。书上通常讲的3-6A是指变压器的绕组铜线。这个值不是绝对的,也有书上说可以多到8-12A(忘了是哪本书)。主要看散热情况。相对于变压器,电感的散热要好得多,线也可以用细一些。我之前的线径是根据磁芯的尺寸选取的--正好绕满一层。确实不一定够。你可以试试看,加粗一些,或者加多一两条并绕,但不建议用太粗的线。实际做的时候要根据温升和散热情况进行调整。另外,电感的绕线层数不易太多,当然最好是一层。我手上有个日本cosel的电源(见下图)。上面的30A电感是用AWG17x3并绕的(正好绕满一层)。如果选用小一些,磁导率高的磁芯,可以做到同样的电感。但Bm会增大,铁损增加。不想铁损增加太多,则需要相应加多圈数(可参考上面计算圈数的公式)。总之,电感会更加热,也需要更粗的铜线。当然,也更难绕。圈数多了散热也会变差,导致温升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的铜线,要看电感的温升。也就是说需要试~ 此外,实际做出来的东西和我们的设计还会有出入。一切应以实验数据为准。[图片] 
不错啊
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brsys
LV.7
18
2011-09-09 18:30
@starlight
谢谢大侠帮忙。我今天下载了一些美磁的技术资料,按照那份资料提供的方法计算如下:计算出感量L=36.6uH以后,因为LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2查KoolMu环型和跑道型磁芯LI^2选型图,水平轴上的数值选定42.3mHA^2。按照对应的纵向坐标,选择0077721A7磁芯。查看0077721A7磁芯的参数,电感因子AL=49nH/T^2±8%,该磁芯的最小AL值为AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出来N=29匝。计算满载时,确定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。当直流偏置为77.6AT/cm时,磁导率为初始磁导率的67%。调整后的匝数为29/0.67=44匝。重新计算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。从磁导率-直流偏置曲线看出,对应初始磁导率的57%。计算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2*0.57=25.7nH/T^2。磁芯匝数为44匝,直流偏置水平为118AT/cm,对应最小电感值为L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在满载直流偏置条件下,可达到期望的最小36.6uH电感值。计算导线截面积:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2可考虑用AWG#16号线双线并绕44匝。本意是要减小磁芯体积,同时想要理解选磁芯的方法,这样的计算方法磁芯体积更大了。如上计算是否有误?计算出来的参数与大侠的不同,为什么?请指教,谢谢
的确不错
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starlight
LV.2
19
2011-09-10 08:29
@mko145
你说的对,铜线是不太够。书上通常讲的3-6A是指变压器的绕组铜线。这个值不是绝对的,也有书上说可以多到8-12A(忘了是哪本书)。主要看散热情况。相对于变压器,电感的散热要好得多,线也可以用细一些。我之前的线径是根据磁芯的尺寸选取的--正好绕满一层。确实不一定够。你可以试试看,加粗一些,或者加多一两条并绕,但不建议用太粗的线。实际做的时候要根据温升和散热情况进行调整。另外,电感的绕线层数不易太多,当然最好是一层。我手上有个日本cosel的电源(见下图)。上面的30A电感是用AWG17x3并绕的(正好绕满一层)。如果选用小一些,磁导率高的磁芯,可以做到同样的电感。但Bm会增大,铁损增加。不想铁损增加太多,则需要相应加多圈数(可参考上面计算圈数的公式)。总之,电感会更加热,也需要更粗的铜线。当然,也更难绕。圈数多了散热也会变差,导致温升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的铜线,要看电感的温升。也就是说需要试~ 此外,实际做出来的东西和我们的设计还会有出入。一切应以实验数据为准。[图片] 
顶上去,等待解答,谢谢
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mko145
LV.8
20
2011-09-10 23:30
@starlight
顶上去,等待解答,谢谢
谈不上指教,大家一起学习,共同进步。 我没有看美磁的技术资料,不知道你具体的计算是不是没问题。但你的结果应该是接近正确。后来发现美磁的网站上有电感计算的软件,就偷懒用提供的软件算了一把。结果如下图所示 ~ 算出的两个磁芯一大一个小,但损耗相当。你算得的磁芯大小介乎两者之间,所以感觉你的计算应该靠谱。由软件计算结果看到两种大小磁芯的损耗差不多。差别主要有两个地方。一是空载电感。磁芯越小空载电感越大,这个好像不是什么大问题。二是电感的温升。虽然损耗一样,但磁芯小则温升高 - 很合理。 具体到你的设计,如果有风扇,那么应该可以用小些的的磁芯。电感的总损耗17W多点,只占到总输入功率的 3%, 感觉上不算多。
我原先的设计磁芯要再小一点。原因是忽略了电感满载时磁导率的下降。当时粗略的从特性图上看磁导率似乎只变化几个percent,就没有理它。所以导致误差很大。
从软件计算结果看,最小的磁芯外径是 47mm(比我原先计算的40mm还略大)。你不妨先按这个参数做样品试试,如果温度允许再换小的磁芯。当然前提是最好有风扇 ~
  
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starlight
LV.2
21
2011-09-13 19:39
@mko145
谈不上指教,大家一起学习,共同进步。我没有看美磁的技术资料,不知道你具体的计算是不是没问题。但你的结果应该是接近正确。后来发现美磁的网站上有电感计算的软件,就偷懒用提供的软件算了一把。结果如下图所示~算出的两个磁芯一大一个小,但损耗相当。你算得的磁芯大小介乎两者之间,所以感觉你的计算应该靠谱。由软件计算结果看到两种大小磁芯的损耗差不多。差别主要有两个地方。一是空载电感。磁芯越小空载电感越大,这个好像不是什么大问题。二是电感的温升。虽然损耗一样,但磁芯小则温升高-很合理。 具体到你的设计,如果有风扇,那么应该可以用小些的的磁芯。电感的总损耗17W多点,只占到总输入功率的3%,感觉上不算多。我原先的设计磁芯要再小一点。原因是忽略了电感满载时磁导率的下降。当时粗略的从特性图上看磁导率似乎只变化几个percent,就没有理它。所以导致误差很大。从软件计算结果看,最小的磁芯外径是47mm(比我原先计算的40mm还略大)。你不妨先按这个参数做样品试试,如果温度允许再换小的磁芯。当然前提是最好有风扇~[图片] [图片] 

谢谢DX帮忙,可否将以上两个计算结果对应的输入参数也贴出来,谢谢

特别是左边的那个,这个软件有时候很奇怪,我试了多个输入参数组合,都没有得出这个结果,~

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mko145
LV.8
22
2011-09-14 00:21
@starlight
谢谢DX帮忙,可否将以上两个计算结果对应的输入参数也贴出来,谢谢特别是左边的那个,这个软件有时候很奇怪,我试了多个输入参数组合,都没有得出这个结果,~

知道你为什么算不出来 

  

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starlight
LV.2
23
2011-09-14 11:40
@mko145
知道你为什么算不出来 [图片][图片] [图片] 
呵呵,直流电流相差1A(3%),计算结果相差很大啊,~
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starlight
LV.2
24
2011-09-21 15:00

请问DX,通常Boost电路需要加MOSFET尖峰电压吸收电路吗?

如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V 104A,     该选用 RC、RCD,哪种电路?

RC、RCD,电路参数该如何选?在网上看了一些资料,

还是有太清楚啊,先谢过

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2011-09-22 13:55
关注一下。。。
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宾工
LV.2
26
2011-09-25 13:47
@starlight
请问DX,通常Boost电路需要加MOSFET尖峰电压吸收电路吗?如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V104A,    该选用RC、RCD,哪种电路?RC、RCD,电路参数该如何选?在网上看了一些资料,还是有太清楚啊,先谢过
其实,除了用BOOST拓扑外,还可以用其它拓扑电路做,效率体积都会比你这个好!
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starlight
LV.2
27
2011-09-25 22:56
@宾工
其实,除了用BOOST拓扑外,还可以用其它拓扑电路做,效率体积都会比你这个好!

其他什么拓扑?推挽拓扑吗?

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starlight
LV.2
28
2011-09-25 22:57
@starlight
请问DX,通常Boost电路需要加MOSFET尖峰电压吸收电路吗?如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V104A,    该选用RC、RCD,哪种电路?RC、RCD,电路参数该如何选?在网上看了一些资料,还是有太清楚啊,先谢过
等待DX指教啊,呵呵
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宾工
LV.2
29
2011-09-26 17:30
@starlight
其他什么拓扑?推挽拓扑吗?
BOOST功率密度较低,可考虑用磁芯双向磁化的变压器拓扑。
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mko145
LV.8
30
2011-09-28 23:38
@starlight
请问DX,通常Boost电路需要加MOSFET尖峰电压吸收电路吗?如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V104A,    该选用RC、RCD,哪种电路?RC、RCD,电路参数该如何选?在网上看了一些资料,还是有太清楚啊,先谢过
好像不需要吧 ~ 如果要的话 RC应该可以了
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yzhxx
LV.5
31
2012-03-07 23:59
@starlight
谢谢大侠帮忙。我今天下载了一些美磁的技术资料,按照那份资料提供的方法计算如下:计算出感量L=36.6uH以后,因为LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2查KoolMu环型和跑道型磁芯LI^2选型图,水平轴上的数值选定42.3mHA^2。按照对应的纵向坐标,选择0077721A7磁芯。查看0077721A7磁芯的参数,电感因子AL=49nH/T^2±8%,该磁芯的最小AL值为AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出来N=29匝。计算满载时,确定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。当直流偏置为77.6AT/cm时,磁导率为初始磁导率的67%。调整后的匝数为29/0.67=44匝。重新计算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。从磁导率-直流偏置曲线看出,对应初始磁导率的57%。计算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2*0.57=25.7nH/T^2。磁芯匝数为44匝,直流偏置水平为118AT/cm,对应最小电感值为L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在满载直流偏置条件下,可达到期望的最小36.6uH电感值。计算导线截面积:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2可考虑用AWG#16号线双线并绕44匝。本意是要减小磁芯体积,同时想要理解选磁芯的方法,这样的计算方法磁芯体积更大了。如上计算是否有误?计算出来的参数与大侠的不同,为什么?请指教,谢谢
今晚又长见识了
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