原理图和BOOST的是一样的,我就不上图了,二极管型号是HER307,工作频率60K,专用芯片驱动场效应管开关,波形没问题,用直径30MM的磁环做电感,绕了6圈,工作12V升压至40V,接一个笔记本电脑,负载30W以内,二极管温度很高。最后击穿。场效应管工作正常,温度很低。我预计要做150W的。现在不知道怎么处理了。请高手指教解决方法。另外问下:如果加一个线圈,初级6匝,12V,次级应该多少,功率就是预计的150W,升压200V左右?就是这个升压的反激结构。
原理图和BOOST的是一样的,我就不上图了,二极管型号是HER307,工作频率60K,专用芯片驱动场效应管开关,波形没问题,用直径30MM的磁环做电感,绕了6圈,工作12V升压至40V,接一个笔记本电脑,负载30W以内,二极管温度很高。最后击穿。场效应管工作正常,温度很低。我预计要做150W的。现在不知道怎么处理了。请高手指教解决方法。另外问下:如果加一个线圈,初级6匝,12V,次级应该多少,功率就是预计的150W,升压200V左右?就是这个升压的反激结构。