金封与塑封的MOSFET在散热方面到底差多少

应该还是看它与散热器的接触面积的大小吧,单独散热可能金封的好些

金封的三极管比较多,如:TO-92,F2封装等,但金封的MOSFET很少见,贴个图片看看.

比如toshiba的K2611

2SK2611看起来象TO-247封装,这不是金属封装的.

不是2SK2611,是K2611~~

什么是金属封装?不是管子后面有一块金属?还是整个外壳都是金属的?

全金属封装的和塑封的MOS管区别不只是散热这么简单,两者的区别主要在是否能满足航空航天对器件的高空底气压,抗离子辐射,震动冲击 等等恶劣条件 要求, 普通的管子肯定是过不了这些的,所以那也就是为什么军品一定要用全金属封装的MOSFET ,偶原来做过两年军用电源,现在做军用器件的贸易,欢迎大家指教,当然如果要金属封装的MOS管,偶这里就有啦   注意:所谓金属封装,为全金属封装,3只脚都与散热金属壳体绝缘

不管2SK2611 还是K2611 都不是金属封装的,如果大家想看金属封装的,偶来贴个图好了500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141784434.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

哦,知道了,我说的这个叫半塑封~~~

这才是货真价实的金属封装.

真是行家!

IR460就有金封的,价格很高

呵呵 老兄 真是识货

多谢各位的帮忙.
我说的金封是指各位说的半金封(即背面有一金属块的,全金封的本人还是第一次听说),还有一个问题想请教:我用塑封的MOS,测得MOS本体与其散热片的温度相差15度左右(MOS与散热片之间涂有硅脂,即散热油),而用相同参数的半金封的MOS时,其温度相差30度左右(MOS与散热片之间加了矽胶片,就是大家通用的那种,灰色的),不知道是我的矽胶片质量不行还是别的什么原因,但是我用云母片代替矽胶片温度也是相差30度左右(用云母片时有涂硅脂).
另外,MOS管的规格书上写的最高工作温度是指MOS的表面温度还是内部的节温呢?
请各位帮忙解答,谢谢.

呵呵,找你要样品也是拿来开开眼界,象我做消费电子的是不可能用这种“黄金”的...

可能是因为塑封的内外温差大,半塑封内外温差小吧~~~
工作温度应该是指内部温度,要推算的~~~

怎么测MOS的内部的温度?

那应该根据规格书推算的吧,测估计是测不出来的吧?

长了见识!

那规格书里有什么数据可以推算的?

TO-3的铁壳大管子呢?

老大发了.

 来个图看看吧  IR宇航级的MOSFET 

因为是你的导热绝缘材料不合格，仅仅绝缘但是不导热，我这现在使用的是氧化铝陶瓷片。导热系数为29.3.是矽胶片的30多倍。你可以来咨询我哈。 QQ 346493791