IGBT的饱和压降在做保护时一般取多大的值?例如:FGL60N170 TYP是5V,MAX是6V
还有怎么不能上图了?
IGBT的饱和压降在做保护时一般取多大的值?例如:FGL60N170 TYP是5V,MAX是6V
还有怎么不能上图了?
IGBT 饱和压降Vsat实测值和官方参数对比
在国内电子市场上,鱼目混珠的产品太多,特别是大功率的IGBT,全新的和翻新的很难分辨出真假,标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试IGBT是否顺坏,但是难测试大电流情况下IGBT的表现情况。如果采用多个IGBT并联工作,即使是同一批次的产品,由于个体差异,大电流情况下的Vce压降千差万别,无法很好实现均流。如果能够真实测量大电流情况下,IGBT的实际压降,使用IGBT到实际产品时,能够大大的提高产品的可靠性。当然,本产品可以再采购时使用,准确分辨IGBT真伪,防止买到次品。
厂家给定的参数为400A时,对应输出电压为2.5V@ Vgs=15.0V,对应的管子热量损耗为1000W。如果工程师安装这个特性曲线进行散热设计,选择多大的散热片,选择多大的风速都是可以计算出来的。这些当然是理想的情况了,实际上,厂家给出的管子特性曲线都是真实的IGBT的实际测试曲线,但是那些IGBT是经过挑选的,一批里面最好的管子,这样在销售的时候才有竞争力,你会去买一个同样电流,压降更大的管子吗?当然不会,选择性能好的才是最佳选择呀!本人也是工程师,在此深受其害。记的在做一个30V1200A的36kW恒流恒压电源的时候,本人采用了移向全桥结构,如下图。
图1 移向全桥结构
使用uc3875作为主控芯片,当满功率测试时,器件都工作在了软开关阶段了,扇热片发热厉害,分析一下,这个时候只有剩下导通损耗了呀。多次怀疑自己的开通时序问题,但是都没有发现问题,经过长时间的折腾,测试IGBT的特性,发现问题是IGBT的管压降比官方参数高,官方2.0V,实测2.8V,时间高0.8V,多么可怕。
这里使用艾克思科技的IGBT-1200A型测试仪来测试,CM400HA-24HA型IGBT来说明问题,器件参数如下图所示。
图2 IGBT外形图和参数图
测试器件为CM400HA-24H@Vgs=15.0V,得到的曲线如下图:
下表将测试数据和官方数据进行比较,
电流(A) |
电压(V) |
官方数据(V) |
0 |
0.032 |
0 |
162.8 |
2.264 |
1.9 |
319.5 |
2.774 |
2.4 |
482.4 |
3.208 |
2.6 |
639.1 |
3.598 |
2.85 |
802 |
4.004 |
3.2 |
1001 |
4.526 |
无 |
1097.4 |
4.8 |
无 |
1200 |
5.116 |
无 |
通过比较发现:官方数据仅供参考,数据优化后非常美,实际上达不到标定参数,如果按照官方给定的参数设计散热量的话,你就相差50%,后果严重,模电工程师不但需要具备看英文参数手册的能力,还需要具有准确的判断手头上的IGBT真实参数的能力,哈哈哈模电工程师就是一个需要资历、经验的岗位。
回想我的一个朋友曾经使用IGBT做并联,获得更大的电流容量,在实际的操作中,损失伤亡较大。后来我去帮忙解决问题,发现主要问题是IGBT的Vsat问题,当使用仪器测试好器件的Vsat后,然后使用相同批次,相同Vsat的IGBT并联后,一切都工作正常了。结论是:同一批产品,igbt不像mos管的参数那么标准,差别较大,并联更需谨慎。
好帖子,怎么没人顶啊
IGBT的饱和压降Vce(sat)对使用影响很大,除了影响损耗外还对饱和有影响
并联影响更大
好贴