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温度升高,EMI辐射变差!

最近在做一款150W LLC架构电源,PFC电容采用L6562 DCM模式,LLC IC采用NCP1397,最低工作频率约69KHZ,最高工作频率约200KHZ。在3M辐射测试发现冷开机时33MHz有3个dB的余量,煲热之后竟超标20dB。目前已经做了如下整改措施,请各位高人支招是否有合理解决方案:

整改措施如下:

1. 增加PFC MOS驱动电阻至100R

2. PFC 火牛加铜箔屏蔽接整流桥地

3. 输入输出用Nizn磁环双线并绕,输入还有一级Mnzn共模电感,约10mH

4. PFC续流二极管加bead core 

5. 初级地接3n3 Y电容到壳,次级输出负接3N3 Y电容到壳 

冷开机时垂直扫描:

  


2. 热开机时垂直扫描:

 

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zq2007
LV.11
2
2012-04-10 10:17
是不是电路稳定性存在问题,
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incled
LV.1
3
2012-04-10 11:32
@zq2007
是不是电路稳定性存在问题,

谢谢军长的回复,我测过PFC电路Cs波形,LLC HB电压电流波形是正常的,PFC

VDS波形也是正常的,未发生不稳定或振荡现象,MOSFET用到是SPP21N50C3,Coss为1200PF。输入功率在煲机时也未发现明显增加的现象。

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10227
LV.7
4
2012-04-10 11:43

30M前冲高,输入端共模或Y电容出问题,

变压器是否发热?

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2012-04-10 12:16

我遇到过温度升高后Y电容容量变小导致的问题,你要不查下你的元器件

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r2271297
LV.6
6
2012-04-10 16:32
@sarcophile
我遇到过温度升高后Y电容容量变小导致的问题,你要不查下你的元器件
Y电容容量变小,是一个因数
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zengtx
LV.6
7
2012-04-11 15:14
@incled
谢谢军长的回复,我测过PFC电路Cs波形,LLCHB电压电流波形是正常的,PFCVDS波形也是正常的,未发生不稳定或振荡现象,MOSFET用到是SPP21N50C3,Coss为1200PF。输入功率在煲机时也未发现明显增加的现象。

冷机下与热机下各点波形有变化么?元件参数变化大么?

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incled
LV.1
8
2012-04-12 10:59
@zengtx
冷机下与热机下各点波形有变化么?元件参数变化大么?

以下为APFC Mosfet VDS波形,振铃刚好为33MHZ,冷机和热机无明显变化:

 

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2023-07-08 14:13
@zq2007
是不是电路稳定性存在问题,

各位大佬,我这个是LLC  180W TEA2016方案,冷机余量大,热机后传导超了

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