问题1：
翻了很多资料，发现许多人都将 DCM时 伏秒平衡 Vin*ton = (vo+vf)*Nps*(T-ton-tdz) = Vor*(T-ton-tdz)
直接等于 Vin*ton = (vo+vf)*Nps*(T-ton) = Vor*(T-ton) ,
即忽略死区时间tdz，故由此有 Vin*D=Vor*(1-D) 故 D=Vor*(Vor+Vin)，由此得到工作的最大占空比取决于VinMin时的反射电压Vor的值。那么这样直接等于对么？ 难不成是直接认为Vinmin的条件下，模式会进入CCM？那么如果我们还是希望它工作在 DCM模式，即死区时间tdz不为0,那又该如何？
问题2 ：Np/Ns=Nps的求解，很多人利用的预先设定的一个经验 Vor值与Vo+vf值的比做为匝比，那么怎么做到全输入电压范围的伏秒平衡~？ 或者说 如何科学的设计 Nps？
问题3 ： CCM时 tdz=0，类似上述过程 推导得到次级放电的toff时段，Vds=Vin/(1-D)，所以又有人说，MOS的耐压和
工作时的占空比有关，即“由该公式，在Vin为定值时，占空比越大将导致我们需要的 MOS的耐压 越高”~这也对么？明显我们设定好反射电压Vor后，假设为理想变压器，那么 次级放电的toff时段 MOS Vds之间的压降将等于 Vin+Vor，即是
等于一个定值，且最大值将为VinMax的时候，实际上我们定下Vin后，对应定下了D的值不变了，所以我认为这个说法是错误的 ~
求达人指教 谢谢~
