同步整流中MOS管功耗有哪几部分?

其实实际电容不是理想的,它包含等效电阻和等效电感.电阻是一个耗能元件.或者说电容是有介质损耗的.

从公式看,驱动电压不能用的过高了

那如你所说,是等效电阻耗能.为什么公式不写r×Vgs.

MOS管的电容要存储电荷,大小为cin×Vgs,它是要被放掉的,这部分能量没有使用.
体二极管导通也要损耗能量,这部分能量为Vdiode×I×t×f,vdiode是体二极管的正向导通压降,I为mosfet工作时流过mosfet的电流,t为同步整流时body diode导通的时间,f为工作频率.
还有体二极管的反相恢复损耗.
同时mosfet的导通电阻跟mosfet的驱动电压有关,一般来说电压越高Rdson越低.
驱动mosfet的时候尽量采用高一点的电压,减小死区时间和反相恢复时间,这样有利于降低整体的功耗.