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司坦森 MOS管 降价通知！！！

温馨提示：8月份开始，我司大部分产品如ST9435A,STP4435，STC4606，STN4828等都有不同程度的降价，欢迎垂询，预祝合作愉快！！

  联系人  贺生  13684977366

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stanson_tech
LV.4
2
2012-07-23 09:44

司坦森集成电路是一家台系、专业场效应MOSFET设计开发生产商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封装MOSFET.

原厂供应。性价比优厚。

主推料号：

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST3401，3402….ST3413…

STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(专用inverter)

STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

……

原厂现货，欢迎来电垂询!

司坦森集成电路

http//www.stansontech.com

Tel:13684977366 贺  生

QQ:595639271

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stanson_tech
LV.4
3
2012-07-25 09:35
@stanson_tech
司坦森集成电路是一家台系、专业场效应MOSFET设计开发生产商全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封装MOSFET.原厂供应。性价比优厚。主推料号：ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…ST3400,ST3401，3402….ST3413…STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…STC4606,STN4828(专用inverter)STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10STP3052。。。(TO-252/251)……原厂现货，欢迎来电垂询!司坦森集成电路http//www.stansontech.comTel:13684977366贺 生QQ:595639271
场效应管（MOSFET）由于具有如下优点而广泛应用于PDP驱动电路中，这些优点主要是：
　　（1）场效应管是多数载流子导电，不存在少数载流子的存储效应，从而有较高的开关速度。
　　（2）具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿，同时它具有正的温度系数，容易并联使用，可以解决大电流问题。
　　（3）具有较高的开启电压，即阈值电压，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力，给电路设计和调试带来很大的方便。
　　（4）由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。
详情请联络 贺生 13684977366
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stanson_tech
LV.4
4
2012-07-26 09:38
@stanson_tech
场效应管（MOSFET）由于具有如下优点而广泛应用于PDP驱动电路中，这些优点主要是：　　（1）场效应管是多数载流子导电，不存在少数载流子的存储效应，从而有较高的开关速度。　　（2）具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿，同时它具有正的温度系数，容易并联使用，可以解决大电流问题。　　（3）具有较高的开启电压，即阈值电压，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力，给电路设计和调试带来很大的方便。　　（4）由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。详情请联络贺生13684977366
最后，对MOS管及栅极驱动器在PDP驱动电路中的应用作一些总结：
　　（1）在Vdss、Id、Pd等参数满足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等参数对减少MOS管的导通损耗和开关损耗至关重要。
　　（2）栅极驱动器起着电平转换和隔离作用，栅极驱动电路至少能提供2A以上的峰值输出电流，还要有高速的电压变化率（dv/dt）。
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stanson_tech
LV.4
5
2012-07-27 11:21
@stanson_tech
最后，对MOS管及栅极驱动器在PDP驱动电路中的应用作一些总结：　　（1）在Vdss、Id、Pd等参数满足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等参数对减少MOS管的导通损耗和开关损耗至关重要。　　（2）栅极驱动器起着电平转换和隔离作用，栅极驱动电路至少能提供2A以上的峰值输出电流，还要有高速的电压变化率（dv/dt）。
培训继续啊。。。
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司坦森集成电路
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6
2012-07-31 15:21
@stanson_tech
培训继续啊。。。
ST8835全面替代ID7535\OB2263
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mfkddd2
LV.2
7
2012-07-31 16:00
@司坦森集成电路
ST8835全面替代ID7535\OB2263
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司坦森集成电路
LV.4
8
2012-08-03 09:44
@mfkddd2
**此帖已被管理员删除**
司坦森MOS管原厂生产厂家本司诚招代理分销商。有意向的朋友请电话联系，联系人：贺生 电话 13684977366。。 产品系列 2301 2302 2305 2306 2307 3400 3401 3401 9435 4953 6848 8835 8433 5853 4606 9926 4920 4435 8205 等，产品广泛应用于电脑周边.MP3. MP4. DVB. DVD,应用领域，ＬＣＤ显示器，ＬＣＤ　ＴＶ，便携式ＤＶＤ，车载ＤＶＤ，笔记本电脑，ＰＤＡ，电源，稳压器，逆变器，高压条 适配器 数码相机,电子游戏机.电子玩具等多重数码产品

ST2301 替代 SI2301 AO3423 FDN302 FDN342P FDN338P APM2301 APM2313 APM2323 STM2309

ST2302 替代 SI2302 TN0200T FDN339AN FDN371N FDN335N APM2314 APM2324

ST2303 替代 SI2303 SI2307 SI2323 AO3405 AO3409 AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307

ST2304 替代 SI2304 SI2306 AO3406 AO3404 NDS355AN APM2306

ST2305 替代 SI2305

ST2341 替代 AO3415

ST2342 替代 AO3416 AO3420

ST3400 替代 AO3400

ST3401 替代 AO3401

ST3407 AO3407

ST3413 SI2321 AO3413 AO3419

ST3414 SI2412 SI3418 AO3414 APM2300 APM2312

ST3403 SI2341 SI2307 AO3403

ST3402 SI2316 AO3402 AO3418 FDV303N FDN359AN FDN361AN

ST7400 AO7400 AO7410

ST1413 SI1303 SI1307 APM1401

STN423 APM1402

ST1443 SI1304 SI1302

ST1413A SI1413DH AO7411 AO7415 FDG326P

ST1423A SI1410DH AO7408 FDG329N

ST1433A SI1433DH AO7405 AO7405 FDG316P

STP1013 SI1013

STN1012 SI1012

STP4953 替代 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953

STC4539 替代 SI4539 APM4542

STN4440 替代 AO4440

ST9435 SI9435 SI 4431 AO4405 FDS 9435

STP9437 AO4403

STP4435 SI4431 SI4435 SI4425 AO4411 AO4415 FDS8435 FDS4435 FDS6675

STP9527

STN4412 SI4412 S4416 SI9410 AO4412 AO4414

STN4426

STN4346 SI4362 SI7442 SI4404 SI4888 AO4404

STN 4392 SI4346 AO4430

STN4402 SI4420 SI4882 SI4820 SI4894 AO4420 AO4422 AO4466 FDS 6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 IRF7413

STN4546

STN4526

STN4436 STN4850

STN4440 AO4440

STP4953 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953

STP4803

STN4920 SI4920 AO4812

STN4828 SI4900 AO4828

STN9926

STN6303 SI912 AO7800 FDC6335 FDC6303

STN6561 AO6802 FDC6561

STN6562 AO6800 FDC6561

STP6308 SI1913 AO7801 FDC6308

STP6506 SI4447 SO4443 FDC6506

STP6507 AO6801 FDC6506

STC4539 SI4539 APM4542

STC4614 SI4567 AOS4614

STC4527

STC6601 SI3590 AO6601 FDC6432

STC6602 SI3552 AO6602 FDC6333

STC6604 SI3586 SI3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C

STC6332 SI1563 AO7600 FDC6332

ST8835 SG6848 LD7535

联系人：贺生 13684977366 QQ 595639271

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9
2012-08-07 10:10

台湾大电流MOS管 联系人 贺生 13684977366

溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)

Part No. TYPE VDSS VGS VTH IDS RDS(Max) PD Package Data Sheet
Min Max 25°C 10V 4.5V 2.5V 1.8V 5.0V 25°C
V V V V A m Ω m Ω m Ω m Ω m Ω W
STN454D N 40 20 1.0 3.0 10 25 27 - - - 50 TO-251/TO-252
STP413D P 40 20 0.8 2.5 12 36 52 - - - 50 TO-251/TO-252
STN4189D P 40 20 1.0 3.0 12 18 23 - - - TO-251/TO-252

STN4186D

N 40 20 1.0 3.0 35 13 15 - - - TO-251/TO-252
STP6635GH P 30 20 1.0 3.0 40 20 36 60 TO-251/TO-252
STP3052D P 30 20 1.0 3.0 25 45 50 60 TO-251/TO-252
STN442D N 60 20 1.0 3.0 37 24 31 - - - 62 TO-251/TO-252
STP601D P 60 20 1.0 3.0 30 20 27 - - - 60 TO-251/TO-252

STN4130

 N 60 20 1.0 3.0 30 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4110 N 60 20 1.0 3.0 40 10 12 - - - 60 TO-251/TO-252
STN8882D N 30 20 1.0 3.0 60 5 7 - - - 100 TO-251/TO-252
STN410D N 30 12 0.8 1.6 15 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4102 N 30 20 1.0 3.0 15 32 40 - - - 60 TO-251/TO-252
STN484D N 30 20 1.0 2.5 30 8 13 60 TO-251/TO-252
ST13P10 P 100 20 2.0 4.0 13 130 - - - - 66 TO-251/TO-252
ST16N10 N 100 20 2.0 4.0 12 160 - - - - 79 TO-251/TO-252
ST12N10D N 100 20 1.0 3.0 12 170 190 - - - 79 TO-251/TO-252
ST36N10D N 100 20 1.0 3.0 36 40 42 - - - 80 TO-251/TO-252
 
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2012-08-08 11:13
@司坦森集成电路
台湾大电流MOS管联系人贺生13684977366溝槽式場效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[图片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[图片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[图片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[图片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[图片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[图片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[图片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[图片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[图片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[图片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[图片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[图片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[图片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[图片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[图片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[图片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[图片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252[图片] 
危机、机遇，从来都是并存的！！！
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2012-08-10 10:28

台湾大电流MOS管 联系人 贺生 13684977366

溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)

Part No. TYPE VDSS VGS VTH IDS RDS(Max) PD Package Data Sheet
Min Max 25°C 10V 4.5V 2.5V 1.8V 5.0V 25°C
V V V V A m Ω m Ω m Ω m Ω m Ω W
STN454D N 40 20 1.0 3.0 10 25 27 - - - 50 TO-251/TO-252
STP413D P 40 20 0.8 2.5 12 36 52 - - - 50 TO-251/TO-252
STN4189D P 40 20 1.0 3.0 12 18 23 - - - TO-251/TO-252

STN4186D

N 40 20 1.0 3.0 35 13 15 - - - TO-251/TO-252
STP6635GH P 30 20 1.0 3.0 40 20 36 60 TO-251/TO-252
STP3052D P 30 20 1.0 3.0 25 45 50 60 TO-251/TO-252
STN442D N 60 20 1.0 3.0 37 24 31 - - - 62 TO-251/TO-252
STP601D P 60 20 1.0 3.0 30 20 27 - - - 60 TO-251/TO-252

STN4130

 N 60 20 1.0 3.0 30 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4110 N 60 20 1.0 3.0 40 10 12 - - - 60 TO-251/TO-252
STN8882D N 30 20 1.0 3.0 60 5 7 - - - 100 TO-251/TO-252
STN410D N 30 12 0.8 1.6 15 40 50 - - - 60 TO-251/TO-252
STN4102 N 30 20 1.0 3.0 15 32 40 - - - 60 TO-251/TO-252
STN484D N 30 20 1.0 2.5 30 8 13 60 TO-251/TO-252
ST13P10 P 100 20 2.0 4.0 13 130 - - - - 66 TO-251/TO-252
ST16N10 N 100 20 2.0 4.0 12 160 - - - - 79 TO-251/TO-252
ST12N10D N 100 20 1.0 3.0 12 170 190 - - - 79 TO-251/TO-252
ST36N10D N 100 20 1.0 3.0 36 40 42 - - - 80 TO-251/TO-252
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12
2012-08-13 10:15
@司坦森集成电路
台湾大电流MOS管联系人贺生13684977366溝槽式場效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[图片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[图片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[图片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[图片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[图片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[图片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[图片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[图片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[图片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[图片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[图片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[图片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[图片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[图片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[图片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[图片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[图片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252
真芯无限！！！
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2012-08-14 10:19
@司坦森集成电路
台湾大电流MOS管联系人贺生13684977366溝槽式場效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[图片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[图片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[图片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[图片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[图片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[图片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[图片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[图片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[图片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[图片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[图片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[图片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[图片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[图片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[图片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[图片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[图片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252

首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：

去探测G极的电压，发现电压波形如下：

G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

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hkguoda
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14
2012-08-15 10:55
@stanson_tech
场效应管（MOSFET）由于具有如下优点而广泛应用于PDP驱动电路中，这些优点主要是：　　（1）场效应管是多数载流子导电，不存在少数载流子的存储效应，从而有较高的开关速度。　　（2）具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿，同时它具有正的温度系数，容易并联使用，可以解决大电流问题。　　（3）具有较高的开启电压，即阈值电压，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力，给电路设计和调试带来很大的方便。　　（4）由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。详情请联络贺生13684977366


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深圳市金万顺电子有限公司

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司坦森集成电路
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15
2012-08-20 09:35
@司坦森集成电路
首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：[图片]去探测G极的电压，发现电压波形如下：[图片]G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。
 
最后，对MOS管及栅极驱动器在PDP驱动电路中的应用作一些总结：
　　（1）在Vdss、Id、Pd等参数满足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等参数对减少MOS管的导通损耗和开关损耗至关重要。
　　（2）栅极驱动器起着电平转换和隔离作用，栅极驱动电路至少能提供2A以上的峰值输出电流，还要有高速的电压变化率（dv/dt）。
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szwggk
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16
2012-08-22 09:52
@司坦森集成电路
司坦森MOS管原厂生产厂家本司诚招代理分销商。有意向的朋友请电话联系，联系人：贺生电话13684977366。。产品系列2301230223052306230734003401340194354953684888358433585346069926492044358205等，产品广泛应用于电脑周边.MP3.MP4.DVB.DVD,应用领域，ＬＣＤ显示器，ＬＣＤ　ＴＶ，便携式ＤＶＤ，车载ＤＶＤ，笔记本电脑，ＰＤＡ，电源，稳压器，逆变器，高压条适配器数码相机,电子游戏机.电子玩具等多重数码产品ST2301替代SI2301AO3423FDN302FDN342PFDN338PAPM2301APM2313APM2323STM2309ST2302替代SI2302TN0200TFDN339ANFDN371NFDN335NAPM2314APM2324ST2303替代SI2303SI2307SI2323AO3405AO3409AO3421FDN360PFDN358PFDN352APAPM2307ST2304替代SI2304SI2306AO3406AO3404NDS355ANAPM2306ST2305替代SI2305ST2341替代AO3415ST2342替代AO3416AO3420ST3400替代AO3400ST3401替代AO3401ST3407AO3407ST3413SI2321AO3413AO3419ST3414SI2412SI3418AO3414APM2300APM2312ST3403SI2341SI2307AO3403ST3402SI2316AO3402AO3418FDV303NFDN359ANFDN361ANST7400AO7400AO7410ST1413SI1303SI1307APM1401STN423APM1402ST1443SI1304SI1302ST1413ASI1413DHAO7411AO7415FDG326PST1423ASI1410DHAO7408FDG329NST1433ASI1433DHAO7405AO7405FDG316PSTP1013SI1013STN1012SI1012STP4953替代SI4953AO4803FDS8958APM4953STC4539替代SI4539APM4542STN4440替代AO4440ST9435SI9435SI4431AO4405FDS9435STP9437AO4403STP4435SI4431SI4435SI4425AO4411AO4415FDS8435FDS4435FDS6675STP9527STN4412SI4412S4416SI9410AO4412AO4414STN4426STN4346SI4362SI7442SI4404SI4888AO4404STN4392SI4346AO4430STN4402SI4420SI4882SI4820SI4894AO4420AO4422AO4466FDS6630AFDS6614AFDS6680FDS6924IRF7413STN4546STN4526STN4436STN4850STN4440AO4440STP4953SI4953AO4803FDS8958APM4953STP4803STN4920SI4920AO4812STN4828SI4900AO4828STN9926STN6303SI912AO7800FDC6335FDC6303STN6561AO6802FDC6561STN6562AO6800FDC6561STP6308SI1913AO7801FDC6308STP6506SI4447SO4443FDC6506STP6507AO6801FDC6506STC4539SI4539APM4542STC4614SI4567AOS4614STC4527STC6601SI3590AO6601FDC6432STC6602SI3552AO6602FDC6333STC6604SI3586SI3588AO6604FDC6420FDC6327APM2701CSTC6332SI1563AO7600FDC6332ST8835SG6848LD7535联系人：贺生13684977366QQ595639271回复2帖

各位兄弟们大家好我是来自万国高科电子有限公司的郑萍，我公司主要是做一些 中 高 低压的mos管 畅销应用管及各参数的二极管 如肖特 基快恢复 tvs 主要代理的牌子有一下几个品牌 AOS美国万代 仙童 st ir 强茂 等品有需要的各位兄弟可联系我，以下是我的联系方式AOS代理全系列场效应管，MOSFET：
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hkguoda
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17
2012-08-23 11:15



★本公司郑重承诺所提供（AOS 美国万代）产品.均为进口原装正品★

 
 
产品参数资料：
 




 
产品应用：
 
 ME（松木）产品广泛应用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护（PCM/BP）等产品，应用型号参考如下：
锂电池保护应用：
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SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
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ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A...
手机:ME3424,ME3433D,ME3443,ME3446,ME3460,ME3481,ME3941D,ME3500,ME3502,ME3585,
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主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,
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司坦森集成电路
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18
2012-08-27 09:30
@hkguoda
[图片]★本公司郑重承诺所提供（AOS美国万代）产品.均为进口原装正品★  产品参数资料： [图片] 产品应用：  ME（松木）产品广泛应用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护（PCM/BP）等产品，应用型号参考如下：锂电池保护应用：SO-8：　ME4336ME4346,ME4348,ME4384,ME4410,ME4411,ME4413D,ME4936,ME4946,ME4946A,ME4948,ME4953,ME4970...SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A,ME2347,ME2349D...TSSOP-8：ME6913D,ME6914D,ME6970,ME6972,ME6968ED...数码相机(SOT23)：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A...手机:ME3424,ME3433D,ME3443,ME3446,ME3460,ME3481,ME3941D,ME3500,ME3502,ME3585,ME3587,ME3902,ME3946,ME3948,ME3981....主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,ME40N03,ME45P04,ME60N03,ME60N04,ME70N03,ME70N30S,ME70P04,ME75N03,ME75N80CDLCDB/L（Inverter）：ME4920,ME4922,ME4925,ME4936,ME4946...MP3/PMP：ME1302AT3,ME1303,ME1304AT3,ME1308,ME1403D,ME1413D,ME1472,ME2301,ME2302. 联系方式：以上为部分型号.需要更多型号请联系以下方式：深圳市金万顺电子有限公司地址:深圳市福田区中航路国利大厦A座2705室联系人:陈先生电话:0755-83214597-8004QQ:1796889185传真:0755-23805801QQ:1796889185 
 
PDP驱动电路是一种高压开关电路，电压幅值负几十伏到正几百伏左右，工作频率100~233kHz，驱动电路的设计选型对PDP的画面质量尤为重要。
　　在基于“开关”的驱动电路设计完成后，需要解决两个问题：一是选择合适的MOS管替代驱动电路中的“开关”，二是进行MOS管的栅极驱动电路设计。
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司坦森集成电路
LV.4
19
2012-09-03 14:58
 
MOS管存在两种转换过程：一是导通转换过程，二是关断转换过程。
　　右图为MOS管导通转换过程的示意图，导通转换过程分为4个区间，Vgs－t曲线是单调递增的，对应于MOS管栅极电容的充电过程，区间Ⅲ的平台是由于MOS管的密勒电容引起的。可以看出，区间Ⅱ和Ⅲ的电压与电流重叠，是MOS管导通过程功耗最大的区域。
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20
2012-10-10 11:52
@hkguoda
代理AOS美国万代，MOS场效应管，原装正品，低价实惠！AO3400(A)AO3401(A)AO3402A03403AO3406AO3407AO3409AO3413AO3414AO3415AO3416AO3418AO3422AO3423AO4403AO4407AAO4409AO4419AO4435AO4466AO4468AO4459AO4606AO4803AAO4828AO4842AO6409AO8822AO8810AO9926BAOD403AOD442AOD480AOD452ALAOD484AOD464AOD409AOD407AOD4132AO7600AO7800AOZ1094AI(AOZ1014AI)AOZ1016AI本公司承诺只做代理原装正品，不做国产和假货!需要原装正品AOS系列的朋友请联系：深圳市金万顺电子有限公司电话：0755-83214597地址：福田区中航路国利大厦A座2705
假日综合症。。。
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司坦森集成电路
LV.4
21
2012-10-12 11:15
@mfkddd2
**此帖已被管理员删除**
 
场效应管（MOSFET）由于具有如下优点而广泛应用于PDP驱动电路中，这些优点主要是：
　　（1）场效应管是多数载流子导电，不存在少数载流子的存储效应，从而有较高的开关速度。
　　（2）具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿，同时它具有正的温度系数，容易并联使用，可以解决大电流问题。
　　（3）具有较高的开启电压，即阈值电压，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力，给电路设计和调试带来很大的方便。
　　（4）由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。
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22
2012-10-17 15:28
@司坦森集成电路
真芯无限！！！

MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

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司坦森集成电路
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23
2012-10-19 14:55
@司坦森集成电路
 MOS管存在两种转换过程：一是导通转换过程，二是关断转换过程。　　右图为MOS管导通转换过程的示意图，导通转换过程分为4个区间，Vgs－t曲线是单调递增的，对应于MOS管栅极电容的充电过程，区间Ⅲ的平台是由于MOS管的密勒电容引起的。可以看出，区间Ⅱ和Ⅲ的电压与电流重叠，是MOS管导通过程功耗最大的区域。

第一步：选用N沟道还是P沟道

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。

详情请咨询 贺生 13684977366

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2012-10-22 09:54
@司坦森集成电路
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。详情请咨询贺生13684977366

第二步：确定额定电流

第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

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司坦森集成电路
LV.4
25
2012-10-24 13:29
@司坦森集成电路
第二步：确定额定电流第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
元芳，你怎么看？？？
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司坦森集成电路
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26
2012-10-29 10:40
@司坦森集成电路
元芳，你怎么看？？？
培训继续：

选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

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humanpco
LV.2
27
2012-10-31 16:03
@司坦森集成电路
培训继续：选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

本司代理华晶和美国FIRST福斯特MOS管、二三极管等，详情请咨询 张生QQ2223092631


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司坦森集成电路
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28
2012-11-05 13:52
@humanpco
本司代理华晶和美国FIRST福斯特MOS管、二三极管等，详情请咨询 张生QQ2223092631

通过了解MOSFET的类型及了解和决定它们的重要性能特点，设计人员就能针对特定设计选择正确的MOSFET。由于MOSFET是电气系统中最基本的部件之一，选择正确的MOSFET对整个设计是否成功起着关键的作用。

 

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司坦森集成电路
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29
2012-11-07 15:06
@humanpco
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第四步：决定开关性能

选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。

基于开关性能的重要性，新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷；而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗，新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生，旨在减少栅极电荷。举例说，SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)，最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样，MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt)，甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。

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司坦森集成电路
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30
2012-11-12 09:38
@司坦森集成电路
司坦森MOS管原厂生产厂家本司诚招代理分销商。有意向的朋友请电话联系，联系人：贺生电话13684977366。。产品系列2301230223052306230734003401340194354953684888358433585346069926492044358205等，产品广泛应用于电脑周边.MP3.MP4.DVB.DVD,应用领域，ＬＣＤ显示器，ＬＣＤ　ＴＶ，便携式ＤＶＤ，车载ＤＶＤ，笔记本电脑，ＰＤＡ，电源，稳压器，逆变器，高压条适配器数码相机,电子游戏机.电子玩具等多重数码产品ST2301替代SI2301AO3423FDN302FDN342PFDN338PAPM2301APM2313APM2323STM2309ST2302替代SI2302TN0200TFDN339ANFDN371NFDN335NAPM2314APM2324ST2303替代SI2303SI2307SI2323AO3405AO3409AO3421FDN360PFDN358PFDN352APAPM2307ST2304替代SI2304SI2306AO3406AO3404NDS355ANAPM2306ST2305替代SI2305ST2341替代AO3415ST2342替代AO3416AO3420ST3400替代AO3400ST3401替代AO3401ST3407AO3407ST3413SI2321AO3413AO3419ST3414SI2412SI3418AO3414APM2300APM2312ST3403SI2341SI2307AO3403ST3402SI2316AO3402AO3418FDV303NFDN359ANFDN361ANST7400AO7400AO7410ST1413SI1303SI1307APM1401STN423APM1402ST1443SI1304SI1302ST1413ASI1413DHAO7411AO7415FDG326PST1423ASI1410DHAO7408FDG329NST1433ASI1433DHAO7405AO7405FDG316PSTP1013SI1013STN1012SI1012STP4953替代SI4953AO4803FDS8958APM4953STC4539替代SI4539APM4542STN4440替代AO4440ST9435SI9435SI4431AO4405FDS9435STP9437AO4403STP4435SI4431SI4435SI4425AO4411AO4415FDS8435FDS4435FDS6675STP9527STN4412SI4412S4416SI9410AO4412AO4414STN4426STN4346SI4362SI7442SI4404SI4888AO4404STN4392SI4346AO4430STN4402SI4420SI4882SI4820SI4894AO4420AO4422AO4466FDS6630AFDS6614AFDS6680FDS6924IRF7413STN4546STN4526STN4436STN4850STN4440AO4440STP4953SI4953AO4803FDS8958APM4953STP4803STN4920SI4920AO4812STN4828SI4900AO4828STN9926STN6303SI912AO7800FDC6335FDC6303STN6561AO6802FDC6561STN6562AO6800FDC6561STP6308SI1913AO7801FDC6308STP6506SI4447SO4443FDC6506STP6507AO6801FDC6506STC4539SI4539APM4542STC4614SI4567AOS4614STC4527STC6601SI3590AO6601FDC6432STC6602SI3552AO6602FDC6333STC6604SI3586SI3588AO6604FDC6420FDC6327APM2701CSTC6332SI1563AO7600FDC6332ST8835SG6848LD7535联系人：贺生13684977366QQ595639271回复2帖
11.11你脱光了吗？？？
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司坦森集成电路
LV.4
31
2012-11-13 13:54
@司坦森集成电路
第四步：决定开关性能选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。基于开关性能的重要性，新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷；而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗，新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生，旨在减少栅极电荷。举例说，SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)，最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样，MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt)，甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。

基于开关性能的重要性，新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷；而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗，新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生，旨在减少栅极电荷。举例说，SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)，最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样，MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt)，甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。

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