现在能效的要求越来越高，电源整个系统中MOS管的损耗不可小视
一般MOS管用于开关管，同步整流管。
MOS管的损耗一般有三部分导通损耗，栅极损耗，开关损耗，后面发帖说说各部分损耗
另，具体MOS规格和选型可上元器件网http://www.yuanqijian.com/mosfet/
【草根大侠】贴 MOS管的损耗分析
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@zhangyh
栅极损耗应该是对栅极电容充电荷所用的能量，栅极极板上电荷充满后就只剩下维持能量了，这个过程是从大到小的，也就是说栅极充电的开始电流很大，然后逐渐减小，这部分损耗相对于其他损耗来讲要占比例很少导通损耗是在管子饱和导通时电流在沟道内阻上生成的热，Q=(I^2)RT,I和T是我们必须的,那么只剩下R了，所以通态电阻越小损耗将越小。特别提到的是：尽可能保证栅极极板上的电荷充足才能保证沟道内有足够的载流子，才能保证通态电阻最小开通损耗是在管子由关闭状态转入开通时，D,S两端电压与电流的变化过程中的损耗，D,S电压由HV转入Vds（saturate）时，是一个倾斜下降的过程，电流由0转入最大Imax，是倾斜上升的，在这个交叉过程中的区域就是损耗能量。关断时反之。只分析开通损耗，关断差不多。由于开通时电压倾斜下降，电流倾斜上升，所形成的交叉区是损耗，那么交叉区越小损耗就越小，也就是说电压下降越快，电流上升越快，交叉区越小，然后损耗就越小。既然知道了损耗小的本质了，那么就是找方法让电压下降快和电流上升快。电压和电流变化快的原因是什么呢，就是导通时管子由截止到导通的电阻由无穷大到最小的时间快，那么这个电阻的形成又是来自于门极电荷，只有门极与衬底之间的电容充电荷越快，沟道形成的越快，电阻变化才越快，电压电流变化率才越快。门极电荷充电又是驱动电路提供，所以驱动所拥有的驱动功率越大，才有充电越快。到这里已经找到了影响开通损耗的根源了，但是开通损耗过快又会有什么结果呢？如果开通很快，也就是说电压下降率很高，即du/dt很大，那么对外的响应就是所谓的共模信号；还有一个电流变化率di/dt与电感量的乘积，则表现为一个电压信号，在哪呢？就在电感的两端，这里形成的是一个负压，（关断时形成的是一个正压），也就是说di/dt越大，电压尖峰越高，需要的管子耐压越高。关断损耗请各位自己分析，跟开通时差不多，在示波器上保存这些数据后可以经过积分计算出开关损耗的说道到这里，其实开关损耗就是控制门极充放电的快慢，调整的方法就是门极的电阻。正是由于硬开关有较大的损耗，所以才有了谐振开关，也就是加入电容同电感谐振，当震荡过零时开关，有零电压和零电流两种，各位自己查资料吧，我打拼音太慢了
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@zhangyh
栅极损耗应该是对栅极电容充电荷所用的能量，栅极极板上电荷充满后就只剩下维持能量了，这个过程是从大到小的，也就是说栅极充电的开始电流很大，然后逐渐减小，这部分损耗相对于其他损耗来讲要占比例很少导通损耗是在管子饱和导通时电流在沟道内阻上生成的热，Q=(I^2)RT,I和T是我们必须的,那么只剩下R了，所以通态电阻越小损耗将越小。特别提到的是：尽可能保证栅极极板上的电荷充足才能保证沟道内有足够的载流子，才能保证通态电阻最小开通损耗是在管子由关闭状态转入开通时，D,S两端电压与电流的变化过程中的损耗，D,S电压由HV转入Vds（saturate）时，是一个倾斜下降的过程，电流由0转入最大Imax，是倾斜上升的，在这个交叉过程中的区域就是损耗能量。关断时反之。只分析开通损耗，关断差不多。由于开通时电压倾斜下降，电流倾斜上升，所形成的交叉区是损耗，那么交叉区越小损耗就越小，也就是说电压下降越快，电流上升越快，交叉区越小，然后损耗就越小。既然知道了损耗小的本质了，那么就是找方法让电压下降快和电流上升快。电压和电流变化快的原因是什么呢，就是导通时管子由截止到导通的电阻由无穷大到最小的时间快，那么这个电阻的形成又是来自于门极电荷，只有门极与衬底之间的电容充电荷越快，沟道形成的越快，电阻变化才越快，电压电流变化率才越快。门极电荷充电又是驱动电路提供，所以驱动所拥有的驱动功率越大，才有充电越快。到这里已经找到了影响开通损耗的根源了，但是开通损耗过快又会有什么结果呢？如果开通很快，也就是说电压下降率很高，即du/dt很大，那么对外的响应就是所谓的共模信号；还有一个电流变化率di/dt与电感量的乘积，则表现为一个电压信号，在哪呢？就在电感的两端，这里形成的是一个负压，（关断时形成的是一个正压），也就是说di/dt越大，电压尖峰越高，需要的管子耐压越高。关断损耗请各位自己分析，跟开通时差不多，在示波器上保存这些数据后可以经过积分计算出开关损耗的说道到这里，其实开关损耗就是控制门极充放电的快慢，调整的方法就是门极的电阻。正是由于硬开关有较大的损耗，所以才有了谐振开关，也就是加入电容同电感谐振，当震荡过零时开关，有零电压和零电流两种，各位自己查资料吧，我打拼音太慢了
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@zhangyh
栅极损耗应该是对栅极电容充电荷所用的能量，栅极极板上电荷充满后就只剩下维持能量了，这个过程是从大到小的，也就是说栅极充电的开始电流很大，然后逐渐减小，这部分损耗相对于其他损耗来讲要占比例很少导通损耗是在管子饱和导通时电流在沟道内阻上生成的热，Q=(I^2)RT,I和T是我们必须的,那么只剩下R了，所以通态电阻越小损耗将越小。特别提到的是：尽可能保证栅极极板上的电荷充足才能保证沟道内有足够的载流子，才能保证通态电阻最小开通损耗是在管子由关闭状态转入开通时，D,S两端电压与电流的变化过程中的损耗，D,S电压由HV转入Vds（saturate）时，是一个倾斜下降的过程，电流由0转入最大Imax，是倾斜上升的，在这个交叉过程中的区域就是损耗能量。关断时反之。只分析开通损耗，关断差不多。由于开通时电压倾斜下降，电流倾斜上升，所形成的交叉区是损耗，那么交叉区越小损耗就越小，也就是说电压下降越快，电流上升越快，交叉区越小，然后损耗就越小。既然知道了损耗小的本质了，那么就是找方法让电压下降快和电流上升快。电压和电流变化快的原因是什么呢，就是导通时管子由截止到导通的电阻由无穷大到最小的时间快，那么这个电阻的形成又是来自于门极电荷，只有门极与衬底之间的电容充电荷越快，沟道形成的越快，电阻变化才越快，电压电流变化率才越快。门极电荷充电又是驱动电路提供，所以驱动所拥有的驱动功率越大，才有充电越快。到这里已经找到了影响开通损耗的根源了，但是开通损耗过快又会有什么结果呢？如果开通很快，也就是说电压下降率很高，即du/dt很大，那么对外的响应就是所谓的共模信号；还有一个电流变化率di/dt与电感量的乘积，则表现为一个电压信号，在哪呢？就在电感的两端，这里形成的是一个负压，（关断时形成的是一个正压），也就是说di/dt越大，电压尖峰越高，需要的管子耐压越高。关断损耗请各位自己分析，跟开通时差不多，在示波器上保存这些数据后可以经过积分计算出开关损耗的说道到这里，其实开关损耗就是控制门极充放电的快慢，调整的方法就是门极的电阻。正是由于硬开关有较大的损耗，所以才有了谐振开关，也就是加入电容同电感谐振，当震荡过零时开关，有零电压和零电流两种，各位自己查资料吧，我打拼音太慢了
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