之前分别对AEC-Q100 B组的3个验证项目进行了介绍，在此我们对B组项目进行一个总结。
B组是ACCELERATED LIFETIME SIMULATION TESTS，加速寿命模拟测试。
先看一下AEC-Q100测试流程表中B组的位置。
AEC-Q100测试流程中的B组位置
B组项目放大图
B组的3个项目回顾
B组的3个验证都是加速寿命模拟测试项目，是用来模拟产品的工作寿命的，所以这三项测试，全都需要给产品上电，需要产品工作起来才可以验证。
B1项：HTOL项是高温工作寿命验证，对于包含NVM（非易失性存储功能）的器件，必须根据Q100-005的流程在HTOL验证之前进行预处理。主要模拟产品的工作寿命，一般进行不同温度级别的1000小时验证，125℃的1000小时对应55℃平均使用温度下的78600小时工作时间，约为9年时间，该项验证可以模拟产品的使用寿命。
AEC-Q100车规芯片验证B1：HTOL - 高温工作寿命实验
B2项：ELFR项是早期寿命失效率验证，非破坏性测试，在A、B两组验证中，仅有PC和ELFR是非破坏性的，它主要验证产品在早期工作寿命过程中的失效率，所以验证时间短，但是需要数量大，800pcs*3批次。一般进行不同温度级别48小时的验证，125℃的48小时对应55℃平均使用温度下的3773小时工作时间，约为半年时间，根据浴盆模型，绝大多数的生产和工艺问题都会在这个初始阶段暴露出来。
因为早夭验证的样品数量实在太大，所以原则上，这些验证样品还可以作为合格样品出售给客户，也可以用于其他的验证项目。
AEC-Q100车规芯片验证B2：ELFR - 早期寿命失效（早夭）
B3项：EDR - NVM非易失性存储器验证，很多客户会有一个误区，就是仅存储器比如NOR、NAND才需要进行EDR验证，但是实际上，任何包含NVM模块的芯片，都需要进行EDR的验证，而且如果带有NVM的MCU，还要根据B3项中的预处理流程，先进行NVM的预处理然后再开始HTOL。而且EDR分为高温和低温验证，高低温的失效模式并不相同，所以原则上都需要独立验证。
EDR流程相对来说还是比较复杂的，细节可以参考如下文章。
AEC-Q100车规芯片验证B3：EDR - NVM非易失性存储器验证
如上B组的加速寿命实验项目总结，除了ELFR以外，其余2项都是破坏性的，不可以再用于其他验证，所以准备样品的时候，搭配好样品数量和验证内容，ELFR剩余的样品怎么重复利用都很重要，要不产品的消耗量真的很大。
本文对AEC-Q100 B组的内容进行了简答的介绍和总结，希望对大家有所帮助。
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