上次说到了三种主流的FPGA编程技术，还剩下最后一个FLASH编程技术。

EEPROM编程的技术原理

   首先，EPROM晶体管具有与标准MOS晶体管相同的基本结构，但是加上了第二个多晶硅浮栅，由氧化层隔离。

   在非编程状态，浮门是不在充电状态，是不影响控制门的正常控制的。为了对晶体管进行编程，在控制门和漏极端子之间施加了一个相对较高的电压(约12V)。这导致晶体管被强力打开，高能电子强迫它们通过氧化物进入浮栅，这一过程被称为热(高能)电子注入。当编程结束时，负电荷即保持在浮门上。这些电荷因为氧化物的高阻，可以保持十年之久都不会流失。这些电荷，会组织控制门的正常操作，使得来区分编程与否的单元。

   利用这一特性，FPGA一样能实现通断编程的能力。

   特点总结：

   FLASH FPGA和反熔丝FPGA一样是非易失性的，但它们也像SRAM FPGA一样可重新编程。

   FLASH FPGA使用和SRAM FPGA一样的标准制造工艺，有和反熔丝FPGA一样的低功耗特性。

   FLASH FPGA相对其他两个技术要更快。

三种FPGA的编程技术，都讲完了。也都清楚，这个积木是怎么搭起来的了。那么下一章，就开始重头戏，积木是怎么样的，即FPGA的内部架构。