MOS管在车载逆变电源中的解决方案

一、车载电源

      随着社会生活水平的提高,我们对汽车的要求已经从简单的代步工具转化为了集娱乐、生活、办公等多功能的移动场所。如需完成以上生活、工作、娱乐任务,笔记本电脑等电子设备一定是不可或缺的。电子移动设备一般采用220V/50Hz的工频正弦交流电,车上12V/24V的直流电蓄电池是无法直接为我们的移动电子设备供电的,所以出现了车载电源转换器,即逆变电源。相较于市场较多的修正弦波逆变器,纯正弦波逆变器弥补了修正弦波逆变器连续性不好的缺点,具有安全性强,电源转化率高,控制方法简单的特点。

      2020年Sun Jun Min设计了一款功率为500W,输入电压为直流20V,输出电压为交流220V/50Hz的逆变电源。经实验样机测试,其效率约为88%,具有噪声小、安全可靠等特点。

 【逆变电路总体结构设计框图】

二、整体电路

主要参数

DC-DC升压电路+控制电路(推挽式):

  • 蓄电池:VARTA 6-QW-6(580)-L
  • MOS管:VD>30V
  • 整流二极管:DSEI30
  • 主控芯片:TL494

 

DC-AC逆变电路+控制电路(全桥式):

  • MOS管:VD=600V,ID=10A
  • 滤波电容:2.25μf/2.4mH
  • 主控芯片:TDS2285
  • 20M无源晶振
  • 整流器1N4007
  • 磁芯:EE55
  • 光耦:TLP250

 

DC-DC升压电路

 【DC-DC升压主电路图】

      DC-DC高频升压部分采用推挽式拓扑结构。在DC-DC升压电路中,选用MOSFET作为开关器件,场效应管所需承受的最大电压约为30V,选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量。此处可以选择VBsemi微碧半导体的NMOS VBM1606,VD=60V,ID=120A,拥有极低的导通电阻Rds(on)=5mΩ。

 

可选用的VBsemi微碧MOS管型号:

①VBM1606

②VBL1615A

③VBL1105

④VBM1607V3

⑤VBL1806

 

【适用的VBsemi 场效应管参数】

 

【DC-DC PWM驱动电路】

      DC-DC升压控制电路采用PWM脉冲宽度调制技术,选用TL494做为主控芯片,其内部包含全部的脉冲宽度调制控制电路,是个集成了开关电源控制所需全部模块的芯片。

 

DC-AC逆变电路

 【DC-AC逆变电路原理图】

      DC-AC逆变电路的主回路采用的是全桥式结构,和开关管并联的二极管起到保护作用。MOS管此处可选用VBsemi微碧半导体的VBP16R20S,VD=600V,ID=20A,Rds(on)=190mΩ。

可选用的VBsemi微碧MOS管:

①VBP16R20S

②VBE16R10S

③VBL16R11S

④VBMB16R15S

⑤VBM16036N

 

【适用的VBsemi微碧场效应管参数】

 【DC-AC SPWM驱动电路】

     

      逆变部分的控制电路采用TDS2285作为主控芯片,并采用了光耦芯片TLP250,增加了硬件电路的可靠性。

 

保护电路设计

      为了保证电源的可靠性,其保护电路由输入防反接保护电路、输入过压保护电路和欠压保护电路组成。

 【输入反接保护电路】

 

 

 【输入欠压保护】

 

 【输入过压保护】

 

 

三、微碧半导体MOS管封装及应用

      微碧半导体企业主要产品的封装有:SOP-8 、TO-220(F)、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN、AO3400、IRF540、IRF630等系列封装产线。

 

【微碧部分MOS管产品封装】

      广泛应用于3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、军工/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居、电脑主板显卡、MID\UMPC 、GPS、蓝牙耳机、PDVD、车载DVD、汽车音箱、液晶显示器、移动电源、手机电池(锂电池保护板)、LED电源等产品。微碧半导体有限公司以饱满的激情,拼搏务实的干劲,不断创新进取,致力于为客户群体打造出一座高效、便捷、直通、优质的服务桥梁。

四、参考文献

[1]孙军民. 基于车载供电的高压电源的实现[D].兰州交通大学,2020.

[2]李文. 基于DSP车载逆变电源的研究与设计[D].西安科技大学,2019.

[3]易映萍,王晓丽,唐志俊,姚为正.车载逆变电源控制电路的研究[J].电源技术,2012,36(07):1019-1021.

[4]袁义生,龚昌为.一种高效逆变电源及绿色工作模式的研究[J].电力电子技术,2011,45(01):1-3.

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