开关模式电源 (SMPS) 中共模 EMI 的主要来源是耦合到开关器件的寄生电容。 MOSFET 漏极电压通过各种寄生电容驱动容性电流。 这些容性电流的一部分流入连接到大地的中性线并观察为共模噪声。 通过在绕组之间（初级绕组侧或次级绕组侧，或两者）使用静电隔离屏蔽，共模信号有效地“短路”到地并降低了电容电流。 如果设计得当，这种屏蔽可以显着降低传导和辐射发射和敏感性。 通过使用这种技术，可以减小 EMI 滤波器的尺寸。 使用铜箔或紧密缠绕的电线可以轻松实现屏蔽。 屏蔽层应虚拟接地至静止点，例如初级侧直流链路、初级接地或次级接地。
图 14 显示了一个屏蔽示例，它允许移除通常用于降低共模 EMI 的 Y 电容器。 可以看出，为了消除寄生电容的耦合，初级绕组的底部和顶部都使用了屏蔽。 图 15 还显示了详细的屏蔽结构。
Shield B
图 14. 移除 Y 电容器的屏蔽示例
图 15. 移除 Y 电容器的屏蔽方法