背景
电子星球的朋友提的一个问题，自己先把对这个电路的理解写下，其中有一部分自己暂时还没想明白，把这块放出来也是想一起交流下。
如下部分，欢迎多多交流：负载电流大于10uA时，K2只要按一下就可以关机；当负载电流小于5uA时，K2需要长按3-5s才能关机（负载电流小，按的时间越长），希望清楚的朋友留言区交换意见。
可以看到，上面这个电路中用到两颗开关管，其中一颗是MOS管，另外一颗还是MOS管。型号分别为PMZB200UNE(Q2)，CJBB3139K(Q1)。PMZB200UNE(Q2)用来辅助控制CJBB3139K(Q1)的通断。
已知信息：K1，K2是锅仔片（如下图），老式手机上比较常见，可以认为是非自锁按键。K1是开机键，K2是关机键，因为是开关机电路，因此先将电路中用到的两个MOS的开启电压参数Vgs(th)写出来备用。
四种常用锅仔片
对于PMZB200UNE，其Vgs(th)如下：
对于CJBB3139K，其Vgs(th)如下：
开机过程分析
按下开机键K1，VBAT_3V经过R1、R4分压，此时Q2栅极电压为1.5V，栅源之间压差：Vgs=1.5-0=1.5V，对比图中参数，可知Vgs大于PMZB200UNE(Q2)栅源开启电压最大值0.95V，所以Q2导通。Q2导通后会将Q1的基极拉低到地，即此时CJBB3139K(Q1)的栅极为0V左右，Q1的栅源电压值Vgs=0-3=-3V，查看CJBB3139K参数表可知Vgs小于栅源之间Vgs(th)max，因此Q1导通。Q1导通后，其漏极电压在3V左右。此时Q2栅极电压由R3与R4分压构成，经计算，Q2的栅极电压=3*(R4/(R3+R4))=2.15V，其栅源电压Vgs=2.15-0=2.15V>Vgs(th)max，Q2一直导通，从而Q1一直被打开，系统开机完成。
注：NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
关机过程分析
按下关机键K2，R4、R5、C1、C2并联，此时并联电阻值大概在10k，用字母Req表示，与R3分压后得到Q2的栅极电压值基本在0V，此时Q2的栅源电压Vgs≈0V，因此Q2截止，此时Q1的栅源之间电压Vgs=0V，Q1截止，系统关机完成。