大家好，我是硬件微讲堂。这是在电子星球的第32篇原创文章。为避免错过干货内容，一定记得点赞、收藏、分享哟。加微信hardware_lecture进群沟通交流。

上周发的文章（链接:《选择二极管时应重点关注哪些参数？》），里面有个技术细节错误，是逻辑上的错误。上周在公众号上有发文，让大家帮忙找错误。

参加找错误留言的小伙伴，共计有24位。可以看出大家还是很热情的。

对于各位的留言，我是非常谨慎和慎重，不敢轻易下结论，生怕辜负了粉丝的热情。所以，中秋假期没有出去嗨，专门腾出时间逐一进行研究。又翻出本科时的模电书，重新学习，真的是“温故而知新”。

（中秋假期，重新学习的笔记）

甚至还动用小金库，下载CSDN的付费资源。目的是要把问题点确认清楚。

(CSDN 付费下载记录)

根据留言情况，我进行了梳理，大概分了8类，下面逐一和大家解析下。

1、第一类答案

第一类，提出我写了错别字，共计2位。

谢谢小伙伴的细心，但这个不是我想提出来的技术细节错误。同时也要感谢第二行的小伙伴对我文章的认可。

下面是我对留言的回复：

2、第二类答案

第二类，二极管静态曲线图片上的If@Vr，是不是应该是If@Vf？这个是数量最多的，共计有7位。留言截图不一一放出，下面是对留言的回复。

我的回答：应该是If@Vf，但这个属于笔误，不是我们要找的技术错误。如果拿这个作为错误标的(di) ，那这个抽奖任务太没有区分度，也太简单了。

3、第三类答案

第三类，小伙伴提了一些观点或者指出有错误，共计4位，但是没有明确说明是哪里的错误以及如何修改。这个有些可惜。

4、第四类答案

第四类，关于Vf和If的定义解释，共有3位小伙伴提出异议。

其实这个大家不用太过于纠结，这种概念的定义都是透明的，网上相关介绍很多。我这里再复述一遍。If，指的是管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。这里强调下“最大”和“平均”，在上期文章截图中也能看到平均值AV标识和Max标识。

Vf，指的是在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。这里的规定正向电流，就是规格书上写@If=1A。

5、第五类答案

第五类，对文章中的部分描述进行了优化，共有2位小伙伴。

其实，我理解你说的对，我说的也不错，只不过表达方式或者出发点不同。但都没有找到文章中实际存在的问题。

6、第六类答案

第六类，有2位小伙伴提出了问题，但我认为提出的问题不对。

如上图，第一行的小伙伴提出“P区空穴和N区电子”，这里是有上下文语境的，我简要解释下。文章中原话是“当PN结正偏时，P区的电子和N区的空穴随着正向电压的增加而增加”。这里积累和增加的是P区的电子(少子)和N区的空穴(少子)，文章描述没有错误。当外加正向电压时Ｐ区空穴向Ｎ区扩散，Ｎ区电子向Ｐ区扩散，这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在Ｐ区内存储了电子(少子)，而在Ｎ区内存储了空穴(少子)。第二行的小伙伴提出“二极管反偏时空间电荷区应该是变宽而不是变窄”。这里我解释下：文章没有说反偏时空间电荷区会变窄。文章说的是“势垒区随着外部反向电压Vr的增加而增宽，随着Vr减小而变窄。”这个主要是说明势垒区和外部反向电压的跟随关系，并不是说反偏时势垒区会变窄。

7、第七类答案

第七类，只有1位小伙伴，对“当PN结反偏时，势垒区随着外部反向电压Vr的增加而增宽，随着Vr减小而变窄。”这个描述提出了不同意见，具体详见下图。

感谢这些小伙伴的留言，其表述甚是专业和严谨，部分表述内容已超出我现有理解。目前我手头的书籍上，也没有讲这么细。所以，以目前我的知识储备，尚无法确定其合理性。

8、第八类答案

第八类，也是最后一类，共有3位小伙伴。他们不约而同地指出了反向恢复时间Trr的定量描述有问题，并不是“从PN结电压反偏开始”，而是从电流开始反向过零点的时刻开始算起。对，这就是我想要提出的技术细节错误，这是一个概念性的理解错误。

因为PN结电压刚开始反偏，如下图t0时刻(注意这里指的是外部电压反偏，并不是实际的PN结反偏)时，由于PN结电容效应的存在，原来的工作状态不可能瞬间完全转变。在电压反偏后的一小段时间内(t0-t1)，二极管的PN仍处于正偏状态，流动的电流仍是正向电流，只是数值在减小。在t1时刻后，PN结的电流变为反向电流，此时PN结处于反偏状态，但不是反向截止。在t2时刻，反向电流达到最大值Irm（最大反向恢复电流）。在此时刻后，反向电流开始减小。在此过程中，PN结内部积累的载流子(少子)逐渐消耗，直至t3时刻，反向电流减小至正常值。

小伙伴给出了关于Trr的标准定义出处，详见：IEC 60747-2-2016 第3.5.2条款关于Trr的定义。该标准我已经在CSDN上付费下载，需要的小伙伴可在文末免费领取。其实，这里面还有对应的电压突变波形，这个是有害波形，可能会损坏甚至击穿二极管。这里不作展开。具体可以去研究上面提到IEC文档。小伙伴在留言时，甚至还给出了Trr产生的原因及影响因素，PN在正向导通期间，扩散区积累的非平衡少子在反向偏置电场下做定向运动(也就是我所说的消耗掉非平衡少子)。Trr的时间长短取决于扩散区内非平衡少子消耗的速度，与扩散电容Cd有一定的关系，但还有很多其他因素。真的要给小伙伴们点赞！不仅指出哪里不对，给出修改方法，还附带给出产生的原因及影响因素。这就给人眼前一亮，惊喜的感觉！

上述对小伙伴留言的分析过程受限于个人知识积累程度和个人理解深度，或许存在有片面及不清晰的地方。欢迎有疑问的小伙伴，继续交流探讨。

最后还是要感谢参加活动的各位小伙伴，希望各位都能在各自的技术领域日日精进，年年拿高薪！

关于前面提到的标准文档《IEC 60747-2-2016》，可在文末 即可免费获取。

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