大家好，我是电源漫谈，很高兴和各位一起分享我的第75篇原创文章，喜欢和支持我的工程师，一定记得给我点赞、收藏、分享。
大家好，我是电源漫谈，众所周知，由于没有IGBT所具有的拖尾电流，SiC MOSFET可以比IGBT实现更高频化，同时关断损耗又不至于太高，有助于提高系统功率密度。
值得注意的是，开关速度在一定程度上取决于栅极电阻，包含芯片内部和外部串联栅极电阻，针对合适的系统级考虑选择合适的外部栅极电阻。
芯片的内部栅极电阻取决于材料的物理特性和芯片尺寸，芯片尺寸越小，则其栅极电阻越大，SiC MOSFET首先比Si MOSFET的尺寸小，所以一般来说，栅极电阻会变大一些，在芯片内部栅极电阻确定的情况下，尽可能的选择适当外部栅极电阻，以抑制开关尖峰电压的基础上，尽可能减小开关损耗。
以1200V的MSC025SMA120B分立器件为例，我们可知其典型的栅极电阻为0.88ohm，相对较小，侧面也印证出其内部芯片尺寸较大。
图1 典型SiC MOSFET的栅极电阻ESR参数
关于SiC MOSFET的栅极电阻的讨论就到这里，下次再聊。
参考资料: 部分资料整理自网络。