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功率器件热设计基础(八)——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流
英飞凌工业半导体
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# GaN/SiC
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# 二级管
功率器件热设计基础(七)——热等效模型
英飞凌工业半导体
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功率器件热设计基础(六)——瞬态热测量
英飞凌工业半导体
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功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容
英飞凌工业半导体
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功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
英飞凌工业半导体
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功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
英飞凌工业半导体
11-10 09:33
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功率器件热设计基础(二)——热阻的串联和并联
英飞凌工业半导体
11-08 13:26
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功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻
英飞凌工业半导体
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生产芯片所使用的晶圆是如何制作的你知道吗?
图说硬件
10-25 14:50
# GaN/SiC
笔记18---飞跨电容BOOST三电平变换器
电源技能成长记
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# GaN/SiC
系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析
英飞凌工业半导体
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PCIM2024论文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动
英飞凌工业半导体
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PCIM2024论文摘要|离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势
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笔记17---SiC MOS并联电流不均的影响因素与抑制方法
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当.XT技术遇上SiC单管
英飞凌工业半导体
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具备出色稳定性的CoolSiC™ MOSFET M1H
英飞凌工业半导体
09-13 14:00
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
英飞凌工业半导体
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仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题
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英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
英飞凌工业半导体
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鱼与熊掌皆可得?当SiC MOSFET遇上2L-SRC
英飞凌工业半导体
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