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arokh：

PICOTESTJ2101A

2017-11-02 22:09 回复

arokh：

LDO里面有带隙基准源，跟稳压管类似吧，受温度影响小，因为电压值跟硅的带隙电压一致所以叫带隙基准源

2013-11-26 16:43 回复

arokh：

好笼统的问题啊……没猜错的话LZ说的是VCC管脚的电源退耦电容吧？这个电容值跟芯片输出频率有关系，电容的容抗最低点跟输出频率对上，那么就可以最大限度的退耦。印象里面100nF的陶瓷电容对应几兆~10几兆，10nF的陶瓷电容对应几十兆。

2013-11-26 15:31 回复

arokh：

输出接到反向输入端，正向输入端接地

2013-11-26 15:26 回复

arokh：

不知道你的电源的功率和结构，个人猜测会有如下后果：1，输出功率达不到额定值；2，MOSFET发热要比220V输入的时候大，整体效率降低。综合来说，如果低输入电压和大输出电流这两种情况凑在一起，会严重拖低电源整体效率，导致发热严重。时间长了会加速元器件老化。别的貌似没有什么。

2013-11-26 15:25 回复

arokh：

我也感觉应该和电流纹波系数有关

2013-03-05 15:07 回复

arokh：

2576作为负压buck-boost的时候启动电流高达5A,一般的电源会进入保护状态,这一点在手册上已经明确写出了,解决方法是加大vin退耦电容并加延时启动电路.

2008-03-13 10:36 回复