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借楼主的地方也问一下,有没有500V的小功率的NMOS?电流只用到几十mA.现在在用600V/1A的管子,觉得成本贵了点.

这个电路有一个使用限制的,就是Vcc必须比输出电压高几伏才能驱动两个NMOS.而且成本也增加了不少.

不敢当啊,离大师还差远了,这个坛子里有不少高手的.如果我没算错的话,这个变压器是工作在DCM模式下,占空比20%,次级峰值电流19.3A.对5.5A的输出,建议工作在CCM模式下,这对减少铜损有好处!

温度为20度时,62.5k的频率,趋肤深度为0.26mm.线径一般取小于两倍的趋肤深度的线径,也就是说要小于0.52mm.次级线圈0.8mm太大了.另外你可以用手感觉一下是磁芯的温度高些还是线包的温度高些,知道了后可以对症下药

首先,你的transformer2:N=6是不是笔误?应该是12吧?从成本上来说,2的圈数增加了,成本上升.另外圈数增加有可能导致窗口面积不够,要换大一规格的磁芯,也是增加成本.从性能上来说,2的圈数增加而要保持电感量不变,势必要增大气隙,从而导致变压器的寄生参数,譬如漏感增加,影响性能.还有圈数增加,铜损也会相应增加.

变压器的损耗主要是铜损和铁损.铜损方面,你的线径太大了,趋肤效应比较明显,建议增加或者保持截面积不变的情况下使用多股细线.铁损方面,可以考虑降低频率和降低Bmax来实现.

同意你的说法!

100W左右的功率,外壳选用市场上方便买到的16cm*9cm的塑胶壳.

是不是作生产充电器都要求这样测试?现在已经让客户快递过来,还没收到.所以先在这里问问有哪些可能导致这样的现象的.如果是一些电阻电容的参数因为长期高温导致发生了不可逆的改变,那倒好说,就但如果是充电IC出了问题,那就麻烦了