C1充电是主要是在下桥T2导通时充电充饱的吧。带电机状态下，另一桥臂T4长通时，T1关断时C1是可通过T4构成一个充电回路，只能充到VCC的73%左右。呵呵，个人愚见哈！

望各路大侠多指导

谢谢！在两个D之间加电容比D与公共抽头之间加电容承受的电压要大一倍吧，我想把电容加在中心抽头与D之间会好些，因为有两个电容，两个原边每个周期电容都在充放电，开关管之间电容加大后尖峰电压是有所抑制，但效率会有所影响，不是解决问题的根本！我发现死区在负载越轻的它对开关管的损耗越大（变压的励磁电感与漏感串联，在开关管关断后，电流不能突变，由于漏感的原因初级的能量不能耦合到次级去，自感的条件下形成一个反向的电压阻碍电流的变小）在这我想变压器的匝比变大后，漏感与磁场强度与dv/di的某些直接联系!在网上也看了不少这方面的资料,想实验在两原边各开关管D管脚去中心抽头中间加个MOS管在死区时间让它导通,这样开关管在死区时钳位于Vdc.不知道这样妥不妥，在死区时导通的MOS管实际上就是把原边绕组短路，这时对副边两个二极管续流有没有影响！ 

谢谢大家,尖峰宽有710NS了,请问有没有好的绕制方法了!减少漏感!

我现在重绕了一个变压器，我怀疑是漏感太大造成的！

第一图是半桥上管驱动的VGS，第四图是下管VDS，，测量上管的VGS与VDS都没有下管的好看！测时并发出吱吱声！还望各路朋友说说，不吝赐教！

我想，输入是会引起输出变化的，掉电的时候，是不是输入也在发生改变，有些地方是不是电压要多维持住一会！

谢楼主,好东西,谢谢

先谢楼上的兄弟,初级电感量由漏感和励磁电感组成,励磁电感决定励磁电流,成正比,他是一个初始磁导率下的电感量!我做的不是反激,我看书上的电感量与磁性材料,匝数,和气隙有关,公司每次出去打样都标了一个电感量,我就在想,匝数有了,磁性材料确定了,除反激外一般变压器不开气隙,因为气隙的增加.励磁电流的增大,漏感的增加,所以效率就降低了.为什么要写电感量呢,

十二、各绕组线径确定电流密度J=Kj*Ap-0.14/100=531*2.36-0.14/100=4.71A/mm21、Snp1=N1*I0/Np/J=10*12.5/13/4.71=2.04mm2,30股0.302直径线并绕2、Sn1=Sn2=0.707*I0/J=0.707*12.5/4.71=1.88mm2,30股0.302直径线并绕十三、磁芯尺寸的检验总线面积=(30*13+30*10*2)*0.302*0.302/4*3.1416=70.9mm2磁芯窗口面积Aw=265mm2窗口利用率70.9/265=26.8%,满足要求I1m=4.3A,I1=I1m*=0.43A取电流密度j=400A/cm2,则初次级导线截面为Su1=I1/j=0.43/400=0.11*10-2cm2=0.11mm2Su2=Su3=I2/j=0.215/400=0.055mm2考虑集肤效应,工作频率100KHz时,查得导线线径不能大于2*0.2=0.4mm,取d1=0.38mm,Su1=0.114mm2d2=d3=0.27m,Su2=Su3=0.0573mm26.校核铁芯窗口面积Ku=0.114*38+2*0.055*38/25.8=0.336