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推勉300W原边管关断尖峰电压太高 12V转385V

    输入电压12.5V,测量原边Vds时,尖峰电压高达到60V。

    变压器Np/Ns=5/220 原边Np两绕组各1层绕完, 次级分为5层,每层44匝。做了两种变压器,  第一种方法绕制顺序是Np1 - Ns -Np2   第二种方法绕制顺序是Ns1.2 - Np1- Ns3 -Np2 - Ns4.5  同绕组层之间包1层胶带,绕组与绕组之间2层交带.两种变压器,尖峰电压无明显区别,漏感不到原边电感量的3%,工作频率20K!

    次级采用全桥整流后加电感滤波,输出385V 有RCD 吸收。输出电感并联(D串个R放电电阻) 放电电阻左端接吸收电容,右端接滤波电感!

    请问各大侠是什么原因导致的,是不是匝比太大,分布电容与漏感造成,有什么好方法解决!

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2013-03-08 14:11
尖峰的话,主要是漏感造成的,不过你尖峰能到这么大,是有点过了,这件尖峰的宽度有多少ns?
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2013-03-08 15:31
绕制工艺好的话漏感可以再减少点。
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ta7698
LV.9
4
2013-03-08 15:46
@sometimes
尖峰的话,主要是漏感造成的,不过你尖峰能到这么大,是有点过了,这件尖峰的宽度有多少ns?

对!主要是要解漏感的问题。

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gaud001
LV.2
5
2013-03-08 21:51
@ymyangyong
绕制工艺好的话漏感可以再减少点。

谢谢大家,尖峰宽有710NS了,请问有没有好的绕制方法了!减少漏感!

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2013-03-09 06:49

这个尖峰电压与变压器漏感没有很大的关系,主要与原边功率回路的分布电感有关。

在原边MOSFET的漏极间跨接RC吸收可降低尖峰电压。

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2013-04-10 18:55
@世界真奇妙
这个尖峰电压与变压器漏感没有很大的关系,主要与原边功率回路的分布电感有关。在原边MOSFET的漏极间跨接RC吸收可降低尖峰电压。

您是说在变压器初级2个线圈的D端之间接RC吸收?我看到有些是在D和公共抽头之间接RC  不知道有何区别?

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gaud001
LV.2
8
2013-04-22 23:53
@水星小鬼
您是说在变压器初级2个线圈的D端之间接RC吸收?我看到有些是在D和公共抽头之间接RC 不知道有何区别?

谢谢!在两个D之间加电容比D与公共抽头之间加电容承受的电压要大一倍吧,我想把电容加在中心抽头与D之间会好些,因为有两个电容,两个原边每个周期电容都在充放电,开关管之间电容加大后尖峰电压是有所抑制,但效率会有所影响,不是解决问题的根本!

我发现死区在负载越轻的它对开关管的损耗越大(变压的励磁电感与漏感串联,在开关管关断后,电流不能突变,由于漏感的原因初级的能量不能耦合到次级去,自感的条件下形成一个反向的电压阻碍电流的变小)在这我想变压器的匝比变大后,漏感与磁场强度与dv/di的某些直接联系!

在网上也看了不少这方面的资料,想实验在两原边各开关管D管脚去中心抽头中间加个MOS管在死区时间让它导通,这样开关管在死区时钳位于Vdc. 不知道这样妥不妥,在死区时导通的MOS管实际上就是把原边绕组短路,这时对副边两个二极管续流有没有影响!

 

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gaud001
LV.2
9
2013-04-22 23:55
@gaud001
谢谢!在两个D之间加电容比D与公共抽头之间加电容承受的电压要大一倍吧,我想把电容加在中心抽头与D之间会好些,因为有两个电容,两个原边每个周期电容都在充放电,开关管之间电容加大后尖峰电压是有所抑制,但效率会有所影响,不是解决问题的根本!我发现死区在负载越轻的它对开关管的损耗越大(变压的励磁电感与漏感串联,在开关管关断后,电流不能突变,由于漏感的原因初级的能量不能耦合到次级去,自感的条件下形成一个反向的电压阻碍电流的变小)在这我想变压器的匝比变大后,漏感与磁场强度与dv/di的某些直接联系!在网上也看了不少这方面的资料,想实验在两原边各开关管D管脚去中心抽头中间加个MOS管在死区时间让它导通,这样开关管在死区时钳位于Vdc.不知道这样妥不妥,在死区时导通的MOS管实际上就是把原边绕组短路,这时对副边两个二极管续流有没有影响! 
望各路大侠多指导
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