IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双级型晶体管,实质是一个场效应晶体管.三个级分别称为:E(发射极),C(集电极),G(栅极).MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFiedEffectionTransistor),三个级分别称为:D(漏极),S(源极),G(栅极).

先贴一个框图上去.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1114593358.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

那是SIMULINK仿真图.原理图用MATLAB画不合适,等我用PSPICE画好就贴出来.其实二者是一致的,只是MATLAB侧重与控制系统的分析,看上去类似于自控里的传递函数框图.

在一个周期T内,导通时的脉宽为t,则占空比d=t/T,它是一个变化的数值,在0-1之间.

IGBT通常用在大功率场合,而MOSFET用在中小功率场合.另外,IGBT的通态压降比MOSFET的小

我也是初学,请诸位同仁不吝指正.电路指标:DC380V输入,开关频率50K,输出220V正弦(50HZ),载波采用三角波(50K,幅值15V).负载电阻60欧姆,滤波电容25微法,滤波电感0.5毫亨.单级性SPWM信号在PWM模块中(蓝色),反馈采用电压瞬时值反馈策略.电压波形还行,但滤波电感纹波较大,不理想,有待改进.1114574275.mdl

曾经用MATLAB仿真(带电压瞬时值反馈),通过.你要是认为这个仿真有帮助的话,我可以把仿真图发上来

SG3525即可,虽然它的给定为2.5V,但是可以通过调节采样电路(最简单的就是电阻分压)来和2.5V匹配.

检查反馈回路是否正常工作,能够调压.

所谓“反激”是指在开关管导通时,能量储存在变压器原边电感中,当且仅当开关管关断时,才将变压器原边所储存的磁能传递到副边电感,再由它传至负载.可以参考一些电力电子方面的书籍,一般都有这种反激电路的详细分析.