IGBT与MOS有什么区别!?

igbt和mosfet不一样,由于igbt存在电流脱尾,因此igbt频率不能太高,同时igbt不能加负压加速关断,不象mosfet可以加负压加速关断.此外,igbt还有个电流擎住效应.

答得好!

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IGBT通常用在大功率场合,而MOSFET用在中小功率场合.另外,IGBT的通态压降比MOSFET的小

国外有用MOSFET做到1000KW 1MHZ的,主要是速度上的差别.

两个观点我都不认同

3842+10N60只能做小功率电源,不宜用IGBT替代MOSFET,主要是IGBT的开关损耗太大,小功率电源往往没有良好的散热条件.
IGBT与MOSFET的不同之处很多,三言两语难于说全.
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我支持!

只有设计得当就好了

大家说说mosfet与igbt的区别吧

兄台,你画图的功夫实在是令我叹为观止啊,^_^!
这样的解释很好,等效原理很一目了然,只是可能结构上来说是模糊了一点!!

兄台好像你的说法有点问题吧??
IGBT可以加负压关断的,而且一般是推荐加负压关断来提高抗干扰能力的!!

一个是正温度系数的电阻性质,随电流温度的增大而端电压增大
另一个是压降性的,在一定电流范围内压降随电流变化不大,且随温度的升高而压降降低,驱动一般得有负压支持

我是说igbt不能加负压“加速”关断!

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双级型晶体管,实质是一个场效应晶体管.三个级分别称为:E(发射极),C(集电极),G(栅极).
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Fied Effection Transistor),三个级分别称为:D(漏极),S(源极),G(栅极).

MOSFET的耐压随温度的升高而升高,最大允许电流则降低
IGBT则可能相反

IGBT的最大允许电流也可能是随温度的升高而下降的,耐压也会下降

低压大电流下,基本都用MOS,高压下MOS的通态电阻无法做小,而IGBT的通态压降相对不变,在高压下,损耗相对小

IGBT的耐压容易做高而MOSFET不容易做高,但电流容易做大

希望大家批评指正

igbt的电流容量可以做得比mosfet要大

MOSFET的电阻温度系数还不小

时间仓促而为,省掉了转换过程,什么东西都是画的描述也不清楚.当然可能也没这个必要.

接受,谢谢指正

其实除去从结构的角度来探讨,你的图很能解释了!!
只是我觉得让我在画图板上能画出来确实有点困难,所以兄台鼠标用得很顺啊,^_^!!

霍霍还没睡啊你在哪里工作

一般软开关电路采用IGBT比较合适,频率也可做高.

^_^,不好意思可能是我误解了你的意思了!!
还有,我想问问我的IGBT关断时出现非常大的尖峰电压,采用RCD吸收好像效果不是很好,能给点建议吗??谢谢!!

^_^,小弟在常州工作,兄台你呢??

深圳呢