其实就是安规中耐压的要求吧不过安规中具体使用多少耐压，并不是根据隔离或非隔离确定。而是整灯的绝缘等级。

标称Tc是在满足电解电容寿命的前提下外壳的最高温度

标准是说你实际的Tc温度不能超过你的标称Tc。

建议用多个电阻或串并联做成一个面板，这样单个电阻的功率会小一些。而且后续如果测试其他不同规格的电源的话可以灵活变更阻值。然后可以在电阻面板后面加风扇散热。或者可以直接采购电阻箱。

基板的耐压的确也是一个方向。不过这个安规要求是哪里的要求啊。基板的么？

拜托，你这个图中只是APFC部分好不好，哪里有过压保护、控制电路那些啊

不是很能同意这个观点：首先，对于PFC的要求，如果要做认证的话，多数标准是有要求的，比如北美能源之星标准要求PF>0.7，欧盟ERP中要求大于25W的PF>0.9.要做这些认证必须对PF有要求。不是我们说不做就不做的。其次，关于效率问题。在实际使用中PFC是否会导致效率下降我不能确定，但是即便如图版主说说会降低3%的效率，但是从整个网络来说，0.5跟0.9的功率因数其中的效率相差近80%。而且还可以减少谐波对电网的影响。然后，版主所说PFC会降低电源的稳定性。这一点的话没有实际试验。不能下结论。不过以个人看法，PFC只是优化了电压曲线，调试得当的话，稳定性应该是会更好而不是更差。所以，是否要做PFC，关键要看产品仕样方向以及产品定位。还是一句话，在满足客户要求及相关标准的基础上，根据自身能力尽量使产品性价比最大化。

还是不太明白。在IC的THD优化电路介绍中，也主要是强调其内置PFC预调节的作用。

先说下各引脚的功能吧：1、INV脚：误差放大器的反向输入端。主要是通过R11、R12、R13分压取样输出端电压作为PFC的预调节。2、COMP脚：误差放大器的输出端。该引脚连接到L6562内部乘法器和THD优化电路。R60、C3、C23是作为补偿网络。提供稳定的电压回路从而确保高PF和低THD3、MULT脚：乘法器的电源输入。R1、R2、R3通过对整流桥输出电压分压（C3滤波）提供给MULT脚，并且提供一个正弦参考给到电流回路。4、CS脚：PWM比较器的输入端。通过R9、R10（R15为限流电阻，一般很小，可不要）检测MOS管中的电流，该电流和乘法器的内部参考正弦波比较，从而控制MOS管的关断。5、ZCD脚：升压电感的退磁检测输入。负边沿触发MOS管的导通。R6为限流电阻，R14、C5、D8以及D2应该是作为一个分压以及吸收电路，防止5脚电压过高。6、GEN脚：接地7、GD脚：栅极驱动器输出。提供MOS管栅极驱动电压。R7限流，R8应该是作为一个钳位。8、VCC脚：IC信号以及栅极电压的供电。T1有两个作用：一是升压电感，二是反馈控制MOS管开启工作原理：IC通过取样电源输入和输出端电压比较。从而控制MOS管的开关。MOS管闭合时，升压电感通过Q1、R9、R10充电，MOS管关断时，T1通过D1放电。以达到提升电解电容C6电压的目的。NTC为过流保护。实际使用中可以不用。以上为个人见解。至于电路究竟怎样实现减小THD、提升PF的还是不太明白。欢迎高手指点。

如果说是驱动问题。你还可以通过对比几个关键位置点（比如MOS管、变压器等）的波形找到具体位置。找到问题，才能对策。我们做的都是非隔离的电源。在电源设计完成后，还没有发现会损坏LED的。