是在计算“功率部分和输出LC滤波部分小信号传递函数”中的ω0时,公式是(1-D)/(LsC)^0.5.在这个公式中,与等效串联电阻Rc没有关系的.

不知道楼主还在不在关注这个帖子.有个问题想问一下.就是在计算“功率部分和输出LC滤波部分小信号传递函数”中的ω0时,公式是(1-D)/(LsC)^0.5.因为原理图中是两个560μF并联的电容,那么这里C应该是1120μF吧?但是我算过这个数,如果用1120μF计算的话,结果是:(1-0.48)/(8.85e-6*1120e-6)^0.5=5223,与楼主计算的结果有所出入.如果用560μF计算的话,结果就更加大,7386μF.按照楼主的4920来计算的话,那应该的电容值为2427μF.相差甚大!为什么会这个样子呢?请楼主还有各位大虾不吝赐教啊!!!

我觉着应该不是电压击穿的.有可能是快恢复和肖特基之间的差异造成的吧?

第一,按您所说,电压击穿一定是断路,电流击穿一定是短路吗?我也不是很明白的.也不知道哪位高人可以给解释一下??但是我觉着,也不一定是这么绝对的.第二,VIP22坏,SB2100肯定要坏.因为,VIP22的最大电流是0.7A.按照你第二次设计的变压器的变比算.VIP22流过最大0.7A电流的时候,副边最大的电流已经有5.5A左右了.长时间的流过这样的电流,两个器件肯定是要坏的.第三,500mA老化没有问题,800mA有问题.有没有点一下两次老化过程中磁芯的温度呢?我觉着,应该是800mA的时候,磁芯温度过高,才饱和的吧.当然,这个猜测还是在我觉着损坏的原因是磁芯饱和.至于,两种管子,SB2100损坏,SF24没有损坏.也许是跟两个管子的恢复时间有关系?SF24恢复时间慢,所以关断损耗小,发热少些?这只是猜测啊!我好像也迷糊了!呵呵~可以把两个管子的数据手册传上来莫?我帮你看看.还有,磁芯你用的那个厂家的,TDK的?有数据手册莫?我们公司给封了QQ啊!没法上!o(∩_∩)o...

还有就是,我看你的电路图R8,R5组成的分压电路的参数,我觉着不是很对的.按照R8=4.99K,R5=5.11K分压的话,得到的电压只能在5V左右啊.是不是没有标注出来呢?而且,在一般的两级后级滤波电路中,我见过的,431反馈网络的接法跟您的有所不同.我见过的都是R4的接法不变,而R8接到输出端的.也就是后级LC滤波的输出.或者,R4,R8都接到输出端.我想问一下,您这样的接法有什么好处吗?

还有,你说你换了肖特基SF24便好了.我没有找到SF24的数据手册.不知道其电流是多少的.如果电流也是2A的话,是否导通电阻小呢?从而温升低些?还有就是,第二次设计的变压器匝数多了,铜损增加,是否会影响到变压器的温升?也许第一次设计的变压器,如果可以绕下的话,增加绕线的直径,可以避免变压器温升过高,从而饱和?但是第一次的占空比实在太大.占空比大变压器很容易饱和.偶就是这么多的看法.不对的地方多该批评批评,该指正指正!祝成功啊!

我大体计算了一下你第二次的参数.最大占空比在40%左右.我感觉应该问题不大的吧.这个还得经过实际的实验来进行验证.不知道你的老化是在常温下做的,还是在恒温箱里做的.我想,肖特基击穿应该不是电压击穿,而应该是电流击穿.而击穿的原因应该是变压器饱和.因为,变压器饱和,会使得变压器电流瞬时增大从而烧毁肖特基.我算过,你第二次设计的变压器,肖特基上的反向电压只有40几伏.这个电压绝不会击穿肖特基.即使在开机瞬间,瞬时高压也绝不会击穿它.因为肖特基等二极管,瞬时耐压都很高.而且,你也说过,第一次设计的变压器计算的磁通密度会超过0.3T.我想,如果是在50℃下长时间烧机的话,势必会发生饱和.烧毁肖特基.所以,我想,并不是反馈设计的不好而损坏肖特基,而应该是变压器饱和.偶也是初学者,不知道说的对还是不对.多指正啊!o(∩_∩)o...

3、DesigningStableControlLoops.354951205824889.pdf

2、ClosingtheFeedbackLoop.354951205824782.pdf

继续上传参考文献中的几篇不错的文章.1、TIApplicationReport:SLUA059A354951205824409.pdf