我也不太懂，单感觉你的电源启动电阻给得有点小，建议改为750K的；辅助绕组居然有两个二极管，不太对吧，电解电容太多了，难道不要钱吗；输出电解居然是1000UF，土豪啊。PCB上面就看了变压器下面居中走了一根线，这可是大忌。TL431没有环路增益控制，加一组电容和电容电阻的网络吧。 我也准备做一个隔离60W的，先看看楼主的结果（你先当当白鼠看看），大家一起进步！

HEHE

大哥，你太会吹了吧，20W，光效80的话也才1600LM，PHILIPST5紧凑型光效达到100+LM/W，你拿什么和人家比。中国人，太浮躁，搞技术的都这样，这个行业怎么得了。

你好，贵司的SD42522做出来的电源能匹配PHILIPS的电子整流器（ET60/70）吗？若能，请你发份资料到我的邮箱：fox20040076@126.COM

好版主，你好！      我昨天推算了一下，发现你在输入功率推算过程中用到了2倍的关系：PIN=VinpkIpkF2(X)/2 这就会使输入功率比输出功率大了4倍以上，所以好像有问题，是不是不应该除以2啊。同样，后面算次级电流时也有这一情况。

我的变压器是通过AP法算的，能够输出28W@75KHZ。 好版主，我想问一下，针对于普通的反激式变压器，这两种都可以实现同样的功能吗？依据您的经验，哪一种变压器设计方法更合理一些。    另外，因为现在对动态负载时转换效率的要求，QR也在慢慢流行起来，您能不能讲一下QR变压器的设计方法。小弟我一直把它当成DCM设计的，这就导致我在低压时效率较高，高压时效率较低，空载功耗有0.8W的差别（90-264）。

  版主，不好意识N错了，手误    根据版主你的分析N=（0.8*600-370）/36=3    这时次级峰值电流为2.6A初级峰值电流为0.86A     Lp=716uHNp=69TNs=23T         这样算出来的匝数根本绕不下（三层绝缘线加6MM安规胶布） 

我举个例子供好版主分析下：   输入85-264VAC 输出0.65A*36VDC工作模式QR工作频率75KHZ@85VAC，EF25CORE,AE=51.8MM2 MOSFET7N60    根据版主你的分析N=（0.8*600-370）/36=4.7     这时次级峰值电流为2.6A初级峰值电流为0.65A     Lp=947uHNp=92TNs=20T         这样算出来的匝数根本绕不下     网上另一种方法是N=(80*0.5)/(36*0.5)=2.2280为最低直流电压，0.5为占空比        这时次级峰值电流为2.6A初级峰值电流为1.17        Lp=455uHNp=44TNs=20T 这样相差很大。  另外，好版主，我看了你关于次级整流二极管耐压的计算方法，感觉和实测有较大差异，有机会我想向你请教一下。

好版主：我想问一下你在讨论N匝比的时候用的是反射电压除以输出电压的比值，但我看到很多工程师都是用的最低输入电压乘以开通时间然后处输出电压与关断时间的比值。而且这两种方法算出来的N相差很大。

非常感谢你，唐工。专门注册了个号发这个跟帖