我后来找出来原因，正是变压器的寄生电容引起的。我把MOS管驱动放得缓慢一点，也有一点效果。谢谢！

我补充两点：首先，根据吸收电路的损耗表达式可知，吸收电路的损耗大于原边漏感的能量，因此初步判断原边励磁电感的一部分能量也被吸收电路损耗；其次，吸收电路二极管导通时，原边漏感电流方向向下，且基本是线性下降，而此时原边励磁电感电压的方向是下正上负，又因为在漏感电流下降的过程中励磁电感和漏感电流的方向相同，因此对原边励磁电感来说，其电压和电流呈非关联方向，因此它在释放能量。 

请问一下电容C2是什么电容？是原边的匝间电容？还是？

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不好意思，我看错了。我想说的是如果是DS结电容放电的话，那电流应该是在MOS内部流通的，外面应该检测不到的

RCD吸收回路吸收的能量，一部分是漏感的能量,还有一部分是初级电感储能。这句话是正确的，确实，后一部分是很多人不会想到的。但我觉得cmg你表达的意思和26楼的意思还不一样，26楼说RC回路不只吸收漏感能量，还消耗部分初级电感储蓄的能量，应该是26楼认为，由于RC的时间常数比较小，放电非常快，使得吸收电容C上的电压很快放到低于反射电压，因此吸收电阻就因承受反射电压而损耗很大。而cmg大师你表达的意思是否是原边电流下降，副边电流上升的过程中，RC回路同时吸收了漏感的能量和一部分原边励磁电感的能量？不知我的理解是否正确？

如果是DS结电容放电的话，那电流应该是在MOS内部流通的，外面检测不到吧？

以DCM为例，电流信号进入芯片引脚之前，一般都会有RC滤波。当输入电压升高时，占空比减小，此时原边电流所含的高频分量会更多一些。由于采用的是同样的RC滤波参数，因此高压输入时，原边电流的高频分量衰减的更加严重，导致控制IC感知到的电流峰值比实际的电流峰值来得小（被衰减），因此过功率能力会更强一些

我觉得你想问的是针对电流采样的滤波，其截至频率和开关频率的关系吧？如果是这样的话，我觉得首先要明确滤波的目的：既要滤除掉不必要的干扰信号，又要保留想要的电流信号。个人觉得针对100KHz的开关频率，因为其电流波形为三角波或者梯形波，包含很多100KHz正弦信号的高频分量，因此最好使滤波器的截止频率放在100KHz的9倍左右，即，要包含9次谐波及其以下的分量，这样既可以滤掉过高频率的干扰信号，又不至于失真。如果你想进行定量的分析，可以针对你的电流波形进行傅里叶分解，然后查看各次分量所占的比例。

只要是反激电源，这个尖峰一定会有的。如果你是通过MOS管s极到地的采样电阻采样的电流，则这个电流尖峰由两部分组成;1mos管开通时驱动电压对栅源间电容充电而产生的电流2MOS管开通后母线电压给变压器原边的分布电容充电的电流