MOS芯片规格选小了，磁芯复位续流电流估计是超二极管的电流能力了。

地址私信发给你了

600VMOS的VGS实际耐压都在30V以上，这种情况并不一定就是GS烧坏，所以在GS上并联稳压管或者TVS都不能完全解决上述出现的问题。具体是不是由电压造成VGS损坏的，最好提供坏品，让芯片厂商进行分析。也可以委托给我帮分析。

换IR的IRFP2907或 HPW080NE5SPA试一试，HY4306W雪崩能力不强。用在逆变上不是那么合适。把击穿的管子给我个做个分析，看能探究损坏原因。

分享一张IRFP260N失效图[图片]

MOSFET失效分析还是需要点条件的分享两张MOS失效图片[图片][图片]需要分析失效元件，可以找我。IC除外。

如果是SOT-23的多颗MOSFET并联可以选择TO-252的MOS[图片][图片]

3400静态参数[图片]

这是2302静态参数：[图片]

MOS的型号没有给出来，不好说明参数选型。8050/8550Vce(sat)电压是比较高的，0.5-0.6VMOS选用的如2302这类产品。它的Vth是0.4-1.4的范围。出现关不断的情况并不奇怪。