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MOSFET驱动保护上的TVS和稳压管

各位:

      在做实验的时候(拓扑不限),经常导致MOSFET的GS击穿,后来并联上二极管,好像也没啥用。最近看资料说MOSFET的G极输入阻抗很大,对静电十分敏感,可并联TVS管以防止静电损伤。

      现有困惑:TVS管是否可以充当稳压管的角色,即若本需驱动电压15V,而实际供电电压是16V,管子最高耐压18V,此时我是否需要并联一个17V的TVS管和15V的稳压管(不考虑稳压管及系统损耗)用以保护GS不被瞬态电压和限制驱动电压的电平?还是只需要单独加TVS管或者是稳压管就可以了?TVS管的反应速度应该是比稳压管快。

      求解!

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hylylx
LV.9
2
2019-08-15 11:55
稳压管就够了
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2019-08-15 12:26
用示波器量量测。你应该是超啦。在gate上加个2.2欧姆电阻试试。
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2019-08-15 15:21
@hylylx
[图片]稳压管就够了
如题所述,虽并有稳压管,但是gs仍然常击穿。
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2019-08-15 15:21
@排队买冰棍
用示波器量量测。你应该是超啦。在gate上加个2.2欧姆电阻试试。
有电阻,现在希望得到稳压管和TVS管的讨论
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hylylx
LV.9
6
2019-08-16 09:07
@守中堂尊者
如题所述,虽并有稳压管,但是gs仍然常击穿。

从你的描述看你应该对mos了解太少,怀疑你设计的驱动电路有严重缺陷,不然也不会在这个问题上纠结了

稳压管能决绝的没必要用TVS,稳压管决绝不了的TVS同样决绝不了。

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Lam小黑
LV.3
7
2019-08-16 09:12
@守中堂尊者
有电阻,现在希望得到稳压管和TVS管的讨论
稳压管的响应速度远比TVS管的要大得多了。只要你的mos的GATE不是悬空(G-S之间有合适的电阻)。一般不会给静电击穿。
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interpol
LV.2
8
2019-08-30 11:45

600V MOS 的VGS 实际耐压都在30V以上,这种情况并不一定就是GS烧坏,所以 在GS 上并联稳压管 或者TVS 都不能完全解决上述出现的问题。

具体是不是由电压造成VGS损坏的,最好提供坏品,让芯片厂商进行分析。也可以委托给我帮分析。

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