现在回复也不知道能不能看见了。MOS关掉初次级切换时间太长，肯定效率低漏感要减小，DS间电容减到100pF以内

感觉不像是原理上的问题，可能是生产焊接锡量不足，时间长了氧化

做了多少台，有几台发生这样的问题

1.输出3A，次级滤波用两个1500uF高频低阻电解电容，加上2.2uF的棒型电感和一个220uF电解组成Pai型滤波2.如果输出的噪音比较大，示波器探头地别用夹子，拔掉夹子，探头的针和一圈金属地直接接触输出的正负3.如果尖峰还高要改变压器绕组结构，减少MOS漏级对次级绕组的耦合4.吸收回路换成RCD会降低一些电压尖峰，个人认为用TVS管设计部好不可靠

我也遇到很多这种电源，也搞不清，只能说说我的想法：1.次级地接大地EMI会不好过2.在安规中记得有一条次级对外壳要打500Vdc电压，如果这条一定要满足，那么这种接法是不可以的，但不知道这条是对应哪些电源3.如果这样接，那么初次级就变成基本绝缘，因为输入AC线之间的绝缘是基本绝缘，安规要求初次级是加强绝缘，这也是矛盾

建议在红线位置把线割断，变压器辅助绕组地飞线到大电容GND;Y电容直接跨在变压器V+脚和次级地脚上焊接，测纹波时直接测CD3两端[图片]

这样与V+起绕到NCEMI差别大吗，谢谢！

你的Y电容走向不太好，从变压器次级地直接接到大电容的GND，不要经过IC的S脚再接到大电容的GND。或Y电容从变压器次级地直接接到变压器Vin+脚上。次级的电解电容是高频低阻的吗，如果做10W以内的功率变压器不用三明治绕法就行。

好东西，顶！

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