谢工:您好!
我想咨询一下如LNK-2系列做的充电器电源的变压器最内侧屏蔽绕组,如卧式磁芯,一般是从大电容正极从初级正向绕到次级侧然后NC,或先NC反向绕到次级反向回来挂到GND,如下两幅图饶法
我想问一下如果这个绕组是屏蔽MOS漏极都磁芯的干扰,为什么不能先挂GND正向绕道次级在NC,谢谢!
可以从GND到NC,只要从静点到NC就可以了。
这样与V+起绕到NC EMI差别大吗,谢谢!