谢工：您好！
我想咨询一下如LNK-2系列做的充电器电源的变压器最内侧屏蔽绕组，如卧式磁芯，一般是从大电容正极从初级正向绕到次级侧然后NC，或先NC反向绕到次级反向回来挂到GND，如下两幅图饶法
我想问一下如果这个绕组是屏蔽MOS漏极都磁芯的干扰，为什么不能先挂GND正向绕道次级在NC，谢谢！
可以从GND到NC，只要从静点到NC就可以了。
这样与V+起绕到NC EMI差别大吗，谢谢！
