或者哪个大神知道是那个公司的产品，告知一下，谢谢[图片]

在又烧了几个芯片后，原因找到了，L6599启动瞬间，芯片的VCC电压一下串到了20V+，刚开始示波器扫描频率太块，单次触发没抓到波形，后来扫描频时间调到100ms，抓到波形了，仔细看了下波形，发现瞬变抑制二极管用错了（应该根据VC选型），电压钳位在20.1V，未起到保护作用[图片][图片]通道CH2是VCC（绿色），一格5V，已经超过4格了，CH3红色是电流采样，CH4蓝色是下臂mos管的Vgs电压 芯片取电从稳压管上取的，且辅助绕组断开，芯片地线回路单点接地，想不通VCC哪来的高压芯片放在谐振电感正下方，会不会干扰来自谐振电感？有没有高人指点下迷津[图片] 等瞬变抑制二极管样品到了在继续调试，这次选的是VC小于16V的

之前用的15V稳压管，上电就坏芯片，现在用的13V的稳压管，测试VCC电压只有12.8V左右，开机时示波器也未捕捉到电压尖峰。。。关键是现在用稳压管供电，装上mos通电后，mos管还未工作，芯片就坏了，VCC击穿

求指导[图片]

图3中的D1和图2中的D1位置不一样，具体在 图4-2-3 中就是2个二极管， 要避免震荡，是要将 图4-2-3中的那个未标注的二极管加上吗？ 我之前试的是 图4-2-3中只有D1，那个未标注的二极管没加，而且这个二极管不好选，它是串联在初级的，300W反激初级峰值电流不小，HER308可能都嫌小啊，还有N1和N3双线并绕有空可以试试，之前N3直接绕在最外层主要是手上刚刚好有几个要试的变压器样品，所以就拆了磁芯直接绕最外层了

我拿手上的一个反激电源按照你的方法改了下变压器ER4220的，初次级24T:4T，CCM模式，在变压器最外层直接加了一个24T的N3绕组，增加了CM,容量为684/400V CBB电容，D1为HER308（图2中的D1,图3中的D1未用），去掉了线路板上的RCD吸收电路实验结果存在2个问题：1，mos管电压依然很高，输出10W时，mos管上的尖峰电压达到了550V多2，噪音很大，芯片空载降频，但未改之前，10W输出时，就听不到声音了，但更改后带10W，吱吱声音依然很大后来将RCD吸收加上（C减少为原来的1/3），尖峰变低了，但电源吱吱的声音依然很大继续加载到25A输出，输出电压11.6V，总输入功率为348W，而且还能听到异响，但比之前的吱吱声小很多，，MOS管电压尖峰540-580V的样子；对比未改造之前，输出25A时，总输入功率为340W，效率反而降低了不知道哪出问题了，可能N3与初级未双线并绕有关，但影响不至于这么大，效率反而降低了

谢谢各位大神的指导[图片]我重绕变压器去

频率我是计算得到的，EE55，初级三匝，计算下来频率应该取28.3KHz，目前空载电流0.3A电源是接的7815，7815的输入输出都并了220uf的电解电容2110的作用只是增加驱动能力的。2110的驱动能力是2A，3525最大也只有400mA。之前发现3525驱动能力不够会把16脚的5.1V参考电压拉低（峰峰值快接近1V了，远超datasheet的1%误差范围），所以更改后我参考电压都没从3525的16脚上取，直接用7815出来的15V

不用2110的话，驱动波形很差，第一次3525直接推场管，电源用的是12V/1W的模块供电，发现推动不了，就把3525的VC脚直接接电池正，结果悲催了，3525和场管全报废，分析原因是由于反向电动势先把3525干掉，然后管子直通，结果管子都烧焦了。。。然后改电路，正好手头上有2110，就干脆加上了，波形比直接推场管好很多

[图片][图片]以上是电路图公司办公和上网物理隔离，上网机还不让插U盘或手机，手机QQ传的，拍摄水平不好，将就下[图片]。。。