谢谢，这个芯片确实方便，之前我也看过，可惜是上端电流采样。我的应用环境只能用下端采样的IC，负载全是共正极的，目前我找了QX9921，准备试试

第一段坡不是下管的米勒平台，但可能是上管的，因为下管栅极电压还在上升。第二段雪崩式的悬崖才是下管的米勒平台，此时下管栅极电压暴跌，并且震荡，等悬崖到底了才会继续上升

谢谢各位帮助，又搞了两天稍微有点眉目了 这款MOS不管如何暴力驱动，最快的关断延时也在40ns左右，如果关断太早激活了体二极管，那么拖尾要增到50~70ns，效率有点下降下管开通的时候，电感上产生的第一个滑坡，就是上下管在互相较劲，看坡的幅度已经达到10~20V，估计瞬间电流已经上百A，所以下管开通太快没有用了，反而增大损耗

电路图里还有个VB自举充电二极管，忘记画出来了

附上一个简化的电路图，是刚画的示意图，这块测试板子我是直接画的PCB，没存原理图，属于入门学习，搞个普通的升压电路再贴个下管的波形，黄线是VGS，蓝线是VDS，我就搞不清楚为啥开通到中途会有个坎，电压不能顺畅拉到底[图片][图片][图片]

选的MOS管子不科学，这管子一上高压(15V以上)拉大负载要炸

非常感谢热心回帖！细致而有深度，受益匪浅！

刚刚到货一只，准备搞成电动车快充哈哈

这么大的电流用空心的，会不会变成EMP武器？