推到了一个反激的气隙公式：Lgap=u*2.5*T*Po/(B*B*Ae)，如果对，一旦磁芯和控制芯片选定，气隙大小只和输出功率有关，有点气隙储能嫌疑[图片]，不知对不对？

其实稍微大一些，也是可以的，100V左右，压力比较小，120和130，这就需要技术了，像类似我这样的新手，还是放小一些安全，130太挑战了

个人感觉应该是一样的，如果反射电压一定，那么占空比就和输入电压有关了，不管设计的占空比是多少（此时，也许可以理解为输入电压的函数），对应于某个具体输入电压时，占空比也是一定的，或者说是固定的，不会因为宽和窄电压而改变，电流也一样，不知理解对不对[图片]

跟你的一样，用示波器和信号发生器，测试电源的环路，但是注入后的信号失真严重，正弦波都成三角波了。网上的说法是注入信号约为输出电压的5%，还是不行，不管放在多少都失真。后来仔细校对，只有在轻载时才会有，估计是芯片的簇发模式，但也不太确定。[图片]图类似这个，不过示波器和信号发生器都是分开的，也没有波特图的软件，变压器是自己绕的

[图片][图片]根据您的公式，算出来的Vmin很小，比如90Vrms时大概为77V，为此研究发帖，还是没有搞定，跟网上有人的经验和有些书上出入很大，很是纳闷，该怎么选？[图片]

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[图片][图片][图片] 两个仙童pdf资料算出来 相差太大