非常同意宛东娇子的建议！经多次修改及实践变压器隔离驱动电路，发现隔离后的驱动信号波形畸变及频率大幅增高是以KHZ为单位了,看来变压器隔离驱动难以成功！不再浪费时间和精力决定放弃变压器隔离驱动的探索，遂启用光耦隔离全驱动（MOS管及反馈信号）电路的探索。

1.补充附件1/upload/community/2019/09/12/1568239005-24864.pdf2.补充附件2/upload/community/2019/09/12/1568239072-64528.pdf3.补充附件3/upload/community/2019/09/12/1568239152-97383.pdf

1.4N25:IC150mAPD150mWVCEO30V…单4N25就驱动不了MOS管其电路就不用说了！有专用H桥光耦隔离驱动芯片TLP250；TLP350;HCPL-316JA316JHCPL316J;FOD3120等，所驱动MOS管的电流小建议选用TLP250或FOD3120等。2.TLP250；TLP350;HCPL-316JA316JHCPL316J;FOD3120芯片英文资料(附件）。/upload/community/2019/09/12/1568231435-17110.pdf3.根据MOS管驱动负载功率选择MOS管(重点是MOS管的耐压、电流、导通电阻值等),IRF830:ID4.5A VDSS500V RDS1.5Ω PD74W VGS±20V 封装TO-220(P)…；建议选用10N60： ID10A VDSS600V RDS0.85Ω PD155W VGS ±30V  封装TO-220AB…4.共轭滤波器电感、电容参数选择见下图所示，其电感选用电流值不小于2.28A的。[图片] 

嘿嘿！初发一贴仅变成了“死贴”，看来无“捷径”可走了啦！还是得靠我自己研发完成。有感兴趣期待结果的吗？

不知有没有哪位同仁碰到过没有因某种原因导致H桥中只要有一只或多只MOS管损坏，前级EG211xx(IR211xx)必损一片或二片都损甚至波及EG8010也损坏？若使用光耦隔离驱动，光耦IC也会损坏！检修前级前级驱动电路麻烦，最佳驱动是变压器隔离驱动。本人正在尝试压器H桥隔离驱动暂时未果，若有哪位行家里手有这方面的可用资料（图纸等）想走点捷径。请赐教！谢谢！

Ok.very.[图片]

报告LV6团长：能否把您的佳作原理图发一份给我分享学习？QQ:1104701942@qq.com     Thank you.

 屹晶微电子有限公司(EG) 逆变器基EGD1000W于EGS003正弦波方案功率板原理图[图片]

您好！上述电路有如下几点问题:1.电流采样电路RS1R100是100Ω？若是太大了！我的是50mΩ(0.05Ω/5W的精密康铜丝电阻)。2.R1、R3、R5、R6均是100Ω，也是太大了！我的均是4.7Ω。3.AC输出滤波电路要用共模滤波电路，不能用L型滤波电路！4.NTC温度电压取样电路是二电阻串联分压串联点取样电路！5.输出AC变压器取样反馈到哪里？[图片]   [图片]我的后级板DC-AC原理图[图片]我的实物板图[图片][图片][图片][图片]一体机实物图[图片][图片][图片][图片]

你好！电流反馈（VFB:EG8010的 ⑭ 脚）和电流反馈（TFB:EG8010的 ⑮ 脚）不用均可接地！电压反馈（VFB:EG8010的⑬脚）不能接地！电压反馈：过压保护设定值3.15V延时时间为300mS,欠压保护设定值2.75V延时时间为3S，可外接可调稳压电源输入进行调试（带假负载＜电阻;灯泡等＞）。[图片][图片][图片]电压反馈[图片][图片]电压反馈电压反馈