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蓝杰
最新回复:2011-07-23 09:44
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蓝杰:
这不就是高压串单硅吗?lc这么干和并在硅上没有区别,主要是电压高
06-20 08:31 回复
原帖:见过这种并联的单硅电路吗?附上抄的电路图,随手抄的,还没有整理。
蓝杰:
硅的作用不好控制与bt严格反相就像串单硅了长通就是普通bt前面一小尖峰了和并硅类似不知道说的对不对
2020-03-24 07:24 回复
原帖:IGBT (MOS) +可控硅 的混合后级
蓝杰:
找到放电大师就找到正规军了,回大部队的感觉真特么的好!好图,顶一下
2020-03-24 07:18 回复
原帖:IGBT (MOS) +可控硅 的混合后级
蓝杰:
向高手学习
2016-03-07 12:04 回复
原帖:我的正弦波程序!(带稳压反馈)
蓝杰:
#该内容仅管理员可见#
2013-07-16 18:07 回复
原帖:
蓝杰:
494推10对mos管都没问题它的典型应用中是可以直推变压器的我用494直推6对gs结电容为3nf的mos管70khz都没问题
2013-02-21 15:28 回复
原帖:亲人们 问个问题TL494
蓝杰:
不需要图腾,但须放电三极管494输出为单晶体管结构,推mos一般以c接电源vcc+,e级输出接负载电阻到gnd,同时接入pnp三极管作为放电回路以加速mos的截止你看一下494内部电路图就知道了发个图给你参考一下[图片]
2013-02-21 15:05 回复
原帖:亲人们 问个问题TL494
蓝杰:
g极电路设计不合理,或控制电路的初始化过程控制出现全通状态,原则上不允许先上高压后上控制电源
2012-04-13 11:10 回复
原帖:IGBT爆炸
蓝杰:
这个dd15d应该没问题的,是航半的器件,质量还可以的,两个上3A(温升在60度左右)应该问题不大。
2011-05-10 08:23 回复
原帖:这个15D是真的吗?
蓝杰:
软件保护速度不够快,要在10nS以内才能可靠保护,请在硬件接口中使用MCUINT_EXT端口实现,在软件中直接在中断入口处关闭驱动脉冲并停止SPWM等与驱动脉冲引脚有关联的进程,如果MCU的指令执行速度可满足要求就可以达到可靠的保护目的
2011-04-29 14:15 回复
原帖:我做的逆变器出现了输出短路IR2113和IGBT炸管,请高人帮忙看看
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