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liu20010811：
如果不需要隔离的话这个效率用boost可以做到，但是电感要用中心抽头的。
2015-01-02 09:16 回复
原帖：500w反激变换器效率问题
liu20010811：
当Q2开通前，其两端的电压近似等于Vin/2
2011-07-22 16:08 回复
原帖：【讨论】关于双管正激上、下管发热不均的原因
liu20010811：
“Q2先导通，由于复位已完成，Q1还处在截至状态，故Q2是处于零电压，零电流的状态下导通的，其开通损耗基本为零。Q1的Vds为Vin.”这句话里的“零电压，零电流的状态下导通的”应该只能说是零电流导通，并不满足零电压导通条件
2011-07-22 14:55 回复
原帖：【讨论】关于双管正激上、下管发热不均的原因
liu20010811：
0电压关断是指在关断全过程都是0电压，这样才是关断0损耗，现在这个先关断的在关断全过程并不全是0电压，因此这里是有关断损耗的
2011-07-21 14:56 回复
原帖：【讨论】关于双管正激上、下管发热不均的原因
liu20010811：
是上管还是下管不重要，请将延时开通与延时关断分开仿真试一下，也就是同时开通延时关断与延时开通同时关断
2011-07-21 14:10 回复
原帖：【讨论】关于双管正激上、下管发热不均的原因
liu20010811：
开通时，先开通的为0电流开通，因此先开通的损耗小，有优势；关断时，后关断的为0电流关断，这是在不考虑磁复位的情况下，如果考虑磁复位的情况那么在这个MOS关断之前磁复位电流将要经过这个后关断的MOS，这时候就不太好说谁有优势了
2011-07-21 13:11 回复
原帖：【讨论】关于双管正激上、下管发热不均的原因
liu20010811：
这时的沿面距离会沿光耦表面过去，因此开槽无效，除非光耦本体与PCB之间的空间距离足够
2011-07-21 09:53 回复
原帖：大家好呀 关于光耦下面开槽 问题
liu20010811：
你的光耦是贴片的，平贴PCB铜铂面，这时候PCB开槽就失去了意义，这时只能当爬电距离不能当做是空间距离
2011-07-21 08:45 回复
原帖：大家好呀 关于光耦下面开槽 问题
liu20010811：
这个是对的
2011-07-12 17:07 回复
原帖：多个不同电压分压计算
liu20010811：
还是这样拿事实说话的好
2011-07-08 16:12 回复
原帖：当变压器磁蕊破裂后，可以用吗？
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