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求教一个很简单问题:MOS管的下降沿

见图,如何能使下降沿变陡??
现在的下降沿有0.5个毫秒之大.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/43/1153836819.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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鹫峰之鹰
LV.5
2
2006-07-25 23:22
减少R的阻值试试.
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xiaodong
LV.9
3
2006-07-25 23:53
@鹫峰之鹰
减少R的阻值试试.
什么结构的电路?RCC或反激?或...
0
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powerdesign
LV.3
4
2006-07-26 14:54
驱动加个二极管就搞定了!但是我就是搞不懂关断时变斗不知道是什么问题有高手请教下吗?
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LV.1
5
2006-07-26 17:09
@powerdesign
驱动加个二极管就搞定了!但是我就是搞不懂关断时变斗不知道是什么问题有高手请教下吗?
MOS的D、S两端有个等效电容,在MOS关断时需要对电容充电,所以就出现了那个弯.
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nanxiang51
LV.4
6
2006-07-26 19:04
@鹫峰之鹰
减少R的阻值试试.
减小电阻是有效果,但是电阻不能变太小,因为电阻上功耗会变大.
还有别的办法吗?
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nanxiang51
LV.4
7
2006-07-26 19:07
@
MOS的D、S两端有个等效电容,在MOS关断时需要对电容充电,所以就出现了那个弯.
对电容充电还是放电??
能解释一下吗?谢谢!
有什么有效的解决办法?
在R两端并一个MOS管给他瞬间接通一下可行吗??
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legendacer
LV.4
8
2006-07-26 19:39
@nanxiang51
减小电阻是有效果,但是电阻不能变太小,因为电阻上功耗会变大.还有别的办法吗?
电阻减小,功耗会变大?
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唐伯虎点蚊香
LV.2
9
2006-07-26 20:33
@nanxiang51
对电容充电还是放电??能解释一下吗?谢谢!有什么有效的解决办法?在R两端并一个MOS管给他瞬间接通一下可行吗??
如此简单的问题,还来问,你好牛哦.加泻放
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nanxiang51
LV.4
10
2006-07-26 22:35
@唐伯虎点蚊香
如此简单的问题,还来问,你好牛哦.加泻放
不耻下问,
对我来说是新问题,
还请解释解释
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nanxiang51
LV.4
11
2006-07-26 22:36
@唐伯虎点蚊香
如此简单的问题,还来问,你好牛哦.加泻放
不懂则问,
学问太浅,还请指点,
能否解释的清楚些
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鹫峰之鹰
LV.5
12
2006-07-26 23:55
@nanxiang51
不懂则问,学问太浅,还请指点,能否解释的清楚些
负电源处再加个P沟道的MOS G极与N沟道的G极并.
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nanxiang51
LV.4
13
2006-07-27 07:51
@鹫峰之鹰
负电源处再加个P沟道的MOSG极与N沟道的G极并.
加P沟道是可以,但是G极驱动要加负脉冲才能使负电压送出,否则输出端的负电压没有输出.
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shuang
LV.7
14
2006-07-27 08:55
选低栅荷的,如IRFP460LC
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LV.1
15
2006-07-27 09:15
@nanxiang51
对电容充电还是放电??能解释一下吗?谢谢!有什么有效的解决办法?在R两端并一个MOS管给他瞬间接通一下可行吗??
是对电容充电.至于解决的办法,我也不是很了解.从管子来讲,要选输出电容小的.
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numberto
LV.2
16
2006-07-27 09:32
@
是对电容充电.至于解决的办法,我也不是很了解.从管子来讲,要选输出电容小的.
Vo和GND间再接一个小size N管,N管gate信号由Vin加Invertor产生, 有点像LDO里sink管的作用.
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鹫峰之鹰
LV.5
17
2006-07-27 14:08
@nanxiang51
加P沟道是可以,但是G极驱动要加负脉冲才能使负电压送出,否则输出端的负电压没有输出.
在P沟道的栅极与负电源处,栅极与N沟道栅极处各接两个分压电阻应该就可以了.
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LV.1
18
2006-07-27 15:50
也可以降低R的电阻值.
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nanxiang51
LV.4
19
2006-07-27 18:31
@鹫峰之鹰
在P沟道的栅极与负电源处,栅极与N沟道栅极处各接两个分压电阻应该就可以了.
分压电阻可能不可行,因为+V有300V.
该电阻大概什么范围?
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nanxiang51
LV.4
20
2006-07-27 18:33
@numberto
Vo和GND间再接一个小sizeN管,N管gate信号由Vin加Invertor产生,有点像LDO里sink管的作用.
那该信号要隔离驱动了,而且是导通很短时间,对吗?
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xiaodong
LV.9
21
2006-07-27 18:44
加个二极管就可以了,不同的结构加法不同的.
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zhangyuxia775
LV.1
22
2006-07-27 19:17
我觉得在G脚加一个泄放电阻就应该可以搞定了
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LV.1
23
2006-07-28 09:55
@xiaodong
加个二极管就可以了,不同的结构加法不同的.
这个DIODE怎么加?
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鹫峰之鹰
LV.5
24
2006-07-28 22:46
@nanxiang51
分压电阻可能不可行,因为+V有300V.该电阻大概什么范围?
由两电阻分压不会造成烧管的,分压值由自己定,但不要超过管子VGS最高电压,两分压电阻阻值小些,对关断时间有改善,跟频率有关.为安全可以有两管GS之间加稳压管.
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zhangying132
LV.1
25
2011-10-31 10:32
@powerdesign
驱动加个二极管就搞定了!但是我就是搞不懂关断时变斗不知道是什么问题有高手请教下吗?

请教一下，这个二极管加在那个位置呢？

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cheng111
LV.11
26
2011-10-31 14:12
可以使用两个MOS管啊？推挽驱动不行
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cheng111
LV.11
27
2011-10-31 14:15
@zhangying132
请教一下，这个二极管加在那个位置呢？
个人认为加一个二极管在驱动的地方是没有用的。加了二极管RC充电还存在。直接使用两个MOS管最好了。
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